三星：Q2存儲業(yè)務(wù)量價齊升，庫存已處于低位水平，下半年風(fēng)險與機遇并存

近日三星公布了截至2021年6月30日的二季度財報業(yè)績，報告顯示，由于服務(wù)器與高端家電市場的強勁需求，三星Q2綜合營收達63.67萬億韓元（約合555億美元），同比增長20%，創(chuàng)下二季度營收紀(jì)錄。

另外，由于存儲產(chǎn)品向先進制程迭代，本季度三星利潤成長顯著，其中，營業(yè)利潤12.57萬億韓元（約合109.6億美元），環(huán)比增長34%，同比增長54.2%；凈利潤達9.63萬億韓元（約合84億美元），環(huán)比增長34.9%，同比增長73.2%。

來源：三星

資本支出方面，三星Q2資本支出達13.6萬億韓元（約合118.6億美元），其中12.5萬億韓元（約合109億美元）用于半導(dǎo)體，0.6萬億韓元（約合5.2億美元）用于顯示器。上半年資本支出總額為23.3萬億韓元（約合203億美元），其中半導(dǎo)體為20.9萬億韓元（約合182億美元），顯示器為1.4萬億韓元（約合12億美元）。其對存儲業(yè)務(wù)的投資主要用于容量擴展和先進工藝研發(fā)領(lǐng)域。

按照部分劃分：

消費電子部門：營業(yè)收入13.4萬億韓元（約合117億美元），同比增長32%；營業(yè)利潤1.06萬億韓元（約合9億美元）；

信息技術(shù)和移動通信部門：營業(yè)收入22.67萬億韓元（約合198億美元），其中手機營收21.43萬億韓元（約合187億美元），環(huán)比下滑24%，同比增長8%；

設(shè)備解決方案部門：營業(yè)收入29.46萬億韓元（約合257億美元），其中存儲業(yè)務(wù)營收17.88萬億韓元（約合156億美元），環(huán)比增長24%，同比增長22%；

Harman部門：營業(yè)收入2.42萬億韓元（約合21億美元），同比增長57%，環(huán)比增長2%。

產(chǎn)品成本優(yōu)化+量價齊升，半導(dǎo)體貢獻超55%營業(yè)利潤

由于服務(wù)器、PC市場需求表現(xiàn)強勁，加上DRAM和NAND芯片平均售價上漲強于預(yù)期，以及三星積極推動先進制造工藝導(dǎo)致成本降低，使得三星半導(dǎo)體利潤成長。財報顯示，Q2半導(dǎo)體部門營業(yè)利潤達6.93萬億韓元（約合60億美元），占三星合計營業(yè)利潤55%。

盡管由于零部件短缺以及全球主要智能手機生產(chǎn)基地因疫情反復(fù)導(dǎo)致產(chǎn)能受阻，導(dǎo)致智能手機出貨量下滑，然而，單個設(shè)備存儲容量有所提升，加上主要客戶需求不斷增長；另外，由于數(shù)據(jù)中心企業(yè)對服務(wù)器投資增長以及PC強勁需求，SSD出貨量有所增長，整體上NAND Flash bit出貨量也超過此前預(yù)期，而128層V6產(chǎn)品出貨比例增加。

綜合來講，三星預(yù)計今年全年NAND Flash bit增長在40%左右，DRAM bit增長在20%左右，三星供應(yīng)增長將于市場增長保持一致。

另外，三星指出，由于二季度NAND Flash和DRAM出貨量均強于預(yù)期，因此，當(dāng)前庫存水位都處于相當(dāng)?shù)偷乃健?/p>

三星將于下半年量產(chǎn)基于EUV工藝的14nm DRAM和基于176層NAND Flash消費類SSD

對于下半年市場****，三星則認(rèn)為風(fēng)險與機遇并存。一方面，三星預(yù)計零部件供應(yīng)短缺問題，以及疫情反復(fù)和地緣政治風(fēng)險依舊持續(xù)存在。另一方面，三星預(yù)計下半年需求面依舊強勁。

首先，隨著5G普及率提升、新款智能手機發(fā)布，以及高存儲密度機型增加，移動存儲市場需求有望回升；另外，隨著疫苗接種率提升和經(jīng)濟刺激政策，數(shù)據(jù)中心企業(yè)對服務(wù)器投資情緒有望復(fù)蘇；另外，隨著混合工作模式普及，企業(yè)級客戶對PC的需求表現(xiàn)強勁，加上新款CPU上市，替代需求也會較為穩(wěn)定。

另外，三星將進一步鞏固其在尖端芯片技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，DRAM方面，三星推動向15nm DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)換，并將于下半年開始實現(xiàn)基于EUV的工藝的14nm DRAM量產(chǎn)，并擴大EUV技術(shù)在DRAM制造中的應(yīng)用；

NAND Flash方面，三星將在下半年擴大128層3D NAND芯片生產(chǎn)比例，并開始量產(chǎn)基于雙堆棧176層第7代V-NAND的消費級固態(tài)硬盤，此外，三星表示，其第8代V NAND產(chǎn)品可能會超過200+層堆疊。