美光超三星，其1α DRAM擁有業(yè)界最高存儲密度！

在推動DRAM制程向1α節(jié)點演變中，美光在三家原廠中態(tài)度最為積極，并于今年6月開始批量出貨1α級工藝LPDDR4x和DDR4；緊隨其后的就是SK海力士，于今年7月開始量產第四代10nm（1α）級工藝的8Gb LPDDR4 移動端DRAM產品。然而，存儲巨頭三星卻尚未發(fā)布關于1α制程產品的信息。

隨著美光和SK海力士邁入下一技術節(jié)點，三星的技術優(yōu)勢難免會被超越。據(jù)韓媒報道，美光最新產品擁有0.315Gb/mm2的存儲密度，half pitch為14.3nm，超越了三星1z制程工藝0.299 Gb/mm2的存儲密度，是當前業(yè)內存儲密度最高的產品。

既然在量產時程被超越，報道稱，三星計劃在今年底之前量產1z制程DRAM，線寬僅為14nm，比美光的要小。

DRAM制程競爭激烈

除了在技術制程上競爭激烈之外，三家原廠在投資擴產方面也你爭我搶。在DRAM領域，SK海力士M16工廠已于今年初竣工，首次引進了EUV光刻設備，并預計從今年下半年開始投產；美光A3廠區(qū)也如期完工，將投產1α制程產品。

投資方面，據(jù)韓媒報道，預計今年三星在內存方面的投資將達20兆韓元，SK海力士達14兆韓元，美光達100億美元。出貨量方面，預計今年三星內存出貨量將增長27%，SK海力士將增長21%，美光將增長26%。