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(2020.10.9)半導體國慶節(jié)要聞

發(fā)布人:qiushiyuan 時間:2020-10-10 來源:工程師 發(fā)布文章

半導體國慶要聞

2020.10.1- 2020.10.8

  • 高啟全:中國大陸高端半導體發(fā)展恐被圍堵,做好中低端芯片鏈需10-15年

全球執(zhí)行副總裁退休的高啟全表示,中國在未來會把中低端的芯片供應鏈做好,但至少需要10~15年時間。


高啟全說,在美國強大的政策措施打擊下,中國大陸在高端半導體領域的發(fā)展恐被圍堵;不過,在消費性低端半導體領域,中國對世界是有幫助,沒有威脅,且中國有可能持續(xù)發(fā)展。


對于美中貿易戰(zhàn)持續(xù)升溫,且美國擴大防堵中國半導體產業(yè),高啟全指出,紫光集團旗下記憶體廠長江存儲目前已有15% 的設備及材料是采用中國廠商產品。他預期,中國在10 至15 年內,將可發(fā)展成低端半導體供應鏈,這是中國臺灣廠商的機會。


高啟全認為,美國會封鎖中國高端半導體的發(fā)展,中國要取得像極紫外光(EUV)先進制程技術看來沒有機會,但預估美國之后應會陸續(xù)放寬在消費性或中低端的芯片生產鏈限制。相對上,臺灣半導體產業(yè)鏈十分成熟,有機會在兩岸合作上找到發(fā)展機會。


  • 中芯國際后傳:美國又鎖定長江存儲、長鑫存儲、長電華天也危險

在中芯國際被美國商務部加入實體清單后,美方狙擊中國半導體產業(yè)的動作并未就此收手,有傳聞稱下一個目標鎖定DRAM產業(yè)。


據DIGITIMES報道,除了中芯國際之外,華虹及發(fā)展快速的長電、華天等封測廠,國內最大的NAND Flash廠長江存儲,DRAM大廠長鑫存儲,設備大廠中微半導體都在美國關注名單中。


  • 中國半導體與美國的差距到底有多大?

《電子工程專輯》主分析師顧正書根據相關調研機構的統(tǒng)計數據和預測,對中國半導體的現狀與美國半導體進行了對比,通過一些數據揭示出我們目前的差距有多大。只有對自己有了清楚的認識后,我們才能理性客觀地做出正確的決策,將有限的資源投入到最需要補缺的地方。同時,我們也可以看到未來的發(fā)展機會,通過技術創(chuàng)新和強大的市場需求來加速中國半導體產業(yè)的發(fā)展步伐,早日在全球市場占據領導地位。


全球半導體營收對比:美國47%,中國大陸5%。


據世界半導體貿易統(tǒng)計(WSTS)的統(tǒng)計,全球半導體營收在2018年創(chuàng)下破紀錄的4680億美元,2019年則因為存儲器市場的周期性調整而下滑12.1%,降至4123億美元。WSTS預測,由于新冠病毒疫情對全球經濟和供應鏈的影響,2020年相比2019年僅有微小增幅,預計達到4260億美元,2021年將回升至4520億美元。


從最終用戶需求來看,全球半導體的主要應用市場包括通信、計算機、消費電子、汽車、工業(yè)和政府機構等六大領域,占比分別為33.0%、28.5%、13.3%、12.2%、11.9%和1.3%。AI、量子計算、5G、物聯網和智慧城市等新興應用將是全球半導體未來增長的驅動力。


 

在4123億美元的全球營收中,美國半導體公司占據47%,而中國大陸的公司只占5%。


若進一步細分到半導體器件類型,微處理器/數字/邏輯器件的美國占比為61%,中國大陸為9%;模擬器件美國占63%,中國大陸低于5%;存儲器方面,美國占23%,中國大陸幾乎為零;分離器件美國占23%,中國大陸占5%。


 

若按產業(yè)鏈上下游分工和商業(yè)模式劃分,美國在全球IDM市場的占比為51%,Fabless市場為65%,半導體設備占比40%,而在晶圓代工和封裝測試方面則相對較弱,分別占比10%和15%。


2019年中國大陸的晶圓代工行業(yè)整體營收為391億元,全球占比約10%。目前中國大陸只有華潤微和士蘭微這兩家IDM廠商,而且規(guī)模相比美國IDM公司仍然很小。據中國半導體行業(yè)協會統(tǒng)計,2019年中國IC設計銷售額為3,064億元,全球占比約10%。封裝測試產業(yè)營收為2350億元,全球占比約20%。


以數字和邏輯器件的晶圓代工為例,晶圓產能達到10萬片/月的資本投入正隨著工藝的進步逐代飆升,從14nm/16nm的120億美元,攀升至5nm的200億美元。能夠支付起這么高額開支的公司也越來越少,2001年全球有30家公司可以制造當時最先進工藝的芯片,而到了今天只有3家公司在追逐最先進的7nm/5nm工藝。


在2019年全球半導體資本開支中,美國占28%,而中國大陸只占10%,韓國和臺灣則分別占比31%和17%。同樣以數字/邏輯器件的制造技術先進性為例,2010年臺灣和韓國落后美國2.5年,中國大陸落后4年。到了2019年,臺灣和韓國已經趕上甚至超過美國,而中國大陸仍然有4年的差距。

 

現在,美國的產能僅占全球的12.5%,超過80%的產能分布在亞洲。2019年,全球新建六座晶圓廠,全部在美國之外,其中有四座是在中國。


據預測,到2030年,美國的晶圓產能將下降到10%,而亞洲國家和地區(qū)則占據83%,屆時中國大陸將成為產能最大的國家。

 

據IBS統(tǒng)計,2019年中國市場的半導體供應量約有15.81%來自中國本土企業(yè),而84.19%依賴外國公司。預計到2030年,中國市場的半導體供應量將有39.78%來自中國公司,60.22%仍將來自外國公司。這一預測數據也許有點保守,但我們計劃2025年半導體自給率提升至70%的目標確實很難實現。


 

  • 英偉達將打造英國最強大的超級電腦,預計年底上線

據經濟日報報道,英偉達創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃仁勛于美國時間昨日在GTC 2020主題演講中,分享該公司在人工智慧、企業(yè)和邊緣運算、機器人及遠距協作等領域的最新進展。該公司持續(xù)進攻資料中心、嵌入式系統(tǒng)、醫(yī)療應用與專業(yè)繪圖等領域。


英偉達宣布將打造英國最強大的超級電腦「Cambridge-1」,讓英國的醫(yī)療研究人員能使用AI 解決急迫的醫(yī)療挑戰(zhàn)。Cambridge-1預計于今年底上線,將采用 NVIDIA DGX SuperPOD 系統(tǒng),首批運用Cambridge-1進行研究的****廠包括葛蘭素史克 (GSK) 與阿斯特捷利康 (AstraZeneca)。英偉達也宣布與葛蘭素史克的人工智慧研發(fā)中心,共同開發(fā)新****物和疫苗。


  • 為華為趕工出貨,臺積電Q3營收創(chuàng)新高

集微網消息(文/Oliver),10月8日,臺積電公布9月營收1275.85億新臺幣(約合人民幣302.44億元),環(huán)比上升3.8%,同比增長24.9%。


臺積電第三季度總營收為3564.26億新臺幣(約合人民幣844.88億元),季增14.7%,年增21.65%,打破去年第四季度創(chuàng)下的單季新高紀錄。


今年1至9月,臺積電總營收為9777.22億新臺幣(約合人民幣2317.63億元),年增29.9%。


  • 儲糧過冬,中國大陸半導體設備進口數據分析

國慶期間,傳來美國對中芯國際半導體設備管控的消息,一時網上轉載議論紛紛。不過也有說法,中芯國際其實在之前已經大量囤貨以備萬一了。

 


  • 中國芯片去美化產業(yè)鏈形成在即

中國的科技產業(yè),終歸是要建立起來一條完全去美化的芯片產業(yè)鏈,才是最終的出路。


 


  • 第三代半導體真的會火嗎?

從投資來看,進入2020年以來,已有8家半導體企業(yè)共計預投資大約430多億,第三代半導體項目在國內已處于火熱階段。


第一大問題:技術差距明顯

襯底方面:
1.碳化硅:目前國際企業(yè)正在從 4 英寸襯底向 6 英寸過渡,在研的有 8 英寸硅基襯底,而國內仍然以 4 英寸為主。國外核心企業(yè)有美國Cree、 DowCorning、德國 SiCrystal、美國 II-VI、日本昭和電工等,他們占據主要產能。Cree占據40%市場,其次是美國 II-VI,日本昭和電工,三者合計占據75%以上的市場。國內則以天科合達、山東天岳、同光晶體等公司為主,他們主要供應 3 ~ 4 英寸的單晶襯底。

2.氮化鎵:全球目前商用化合物晶圓尺寸最大為6英寸,比如臺灣穩(wěn)懋等國際主流廠家都采用6吋工藝,其中GaAs襯底主流尺寸為6英寸,8英寸在開發(fā)中;GaN襯底以4/6英寸為主。這個市場的主導者是日本住友電工,市場占有率約90%。國內廠家主要是2~4英寸。

外延方面:
1.碳化硅:外延片企業(yè)主要以美國的Cree、 DowCorning、II-VI、日本的羅姆、三菱電機,德國的Infineon 等為主。美國公司就占據全球70~80%的份額。國內瀚天天成、東莞天域已能提供4英寸的碳化硅外延片。2.氮化鎵:外延片目前主要是日本的NTT-AT、比利時的 EpiGaN 、英國的IQE 、臺灣嘉晶電子等在供應。2012年3月成立的蘇州晶湛半導體,國內最早最大的氮化鎵外延片提供商,但市占率依舊很低。器件/芯片方面:

1.碳化硅:國際上600~1700V SiC SBD、MOSFET 已經實現產業(yè)化,主流產品耐壓水平在1200V以下,主流企業(yè)為Infineon、Cree、羅姆、意法半導體等。國內則主要有泰科天潤、深圳基本半導體、中電科55所、上海瞻芯電子等,相比國外還屬于起步階段。

2.氮化鎵:分為射頻器件和電力電子器件。設計公司主要有美國的EPC、MACOM、Transphom、Navitas,德國的Dialog等公司,國內有被中資收購的安譜隆(Ampleon)等。IDM企業(yè)則包括住友電工和Cree,他們的市場占有率均超過30%,其他還有 Qorvo 和 MACOM。國內IDM企業(yè)蘇州能訊、英諾賽科、江蘇能華等加起來市場占有率不超過5%。以碳化硅來說,技術難度在于3點:1.在長晶的源頭晶種純度要求相當高2.長晶的時間相當長,碳化硅晶棒約需要7天。一般硅材料長晶平均約3-4天即可長成一根晶棒。3.長一根碳化硅的長晶棒只能長出2公分,量產的成本高很多。而一般的硅晶棒約有200公分的長度。


第三大問題:成本是最大瓶頸

據說,第三代半導體材料,這樣一片厚度只有0.5毫米的“碳化硅”6英寸晶片,市場售價高達2000美金。而12吋硅晶圓的平均單價在108~112美元價位,再加上制造成本和良率,第三代半導體比第一代半導體硅晶成本要貴很多倍。

氮化鎵也是如此,氮化鎵在傳統(tǒng)消費電子領域要取代砷化鎵和硅晶,成本是最大的挑戰(zhàn)。


第四大問題:產業(yè)人才短缺

為什么說第三代半導體是中國大陸半導體的希望?第一,第三代半導體相比較第一代第二代半導體處于發(fā)展初期,國內和國際巨頭基本處于同一起跑線。----以為是同一起跑線,實際上不是,落后5~10年。(筆者觀點)第二,中國有第三代半導體的應用市場,可以根據市場定義產品,而不是像之前跟著國際巨頭做國產化替代。----產品仍是國外先做出來,先在市場推廣,國內企業(yè)跟在后面做國產化替代。(筆者觀點)第三,第三代半導體難點不在設備、不在邏輯電路設計,而在于工藝,工藝開發(fā)具有偶然性,相比較邏輯芯片難度降低。----難度并沒有降低,成熟穩(wěn)定的第三代半導體工藝開發(fā)比第一代硅更難了。(筆者觀點)第四,對設備要求相對較低,投資額小,國內可以有很多玩家。在資本的推動下,可以全國遍地開花,最終走出來幾家第三代半導體公司的概率很大。----沒有產業(yè)人才,如何遍地開花?(筆者觀點)因為相信,才能看見。相信中國大陸一定能把第三代半導體做起來,即使如此,也只是解決了小部分問題,絕大部分問題仍然是第一代半導體決定的。





  

  • 臺積電5nm產能滿載,公司再度上調資本支出

蘋果新iPhone 10月中旬即將問世,積極下單臺積電,儲備新機搭載的最新A14處理器。供應鏈傳出,臺積電5奈米產能中,已有三分之二、總量約18萬片被蘋果包下。


由于A14處理器效能卓越,蘋果對新iPhone銷售展望正向,加大對臺積電下單力道,估計A14芯片已吃下臺積電5納米約18萬片產能,等于臺積電約三分之二的5納米產能都被蘋果包走,將在本季大量產出,提前滿單,比原先預期年底的時程要早。


業(yè)界人士分析,A14堪稱「地表最強手機應用處理器(AP)」,芯片尺寸雖與前一代A13芯片相去不遠,在臺積電5奈米制程工藝打造下,A14晶體管數量高達118億個,較前一代以7奈米生產的A13芯片晶體管數量85億個,及A12的69億個大幅增加,甚至超越英特爾x86架構處理器晶體管數量,效能較前一代提升15%、功耗降低30 %。


  • 前十大半導體供應商在第二季度繼續(xù)增長


 

  • 百分之100國產化的北斗三號民用芯片都有哪些?

官方表示,組織第三方測試機構,依據相關產品測試標準要求,對北斗三號民用基礎產品進行了測試和評估,編制形成了這份推薦名錄,共收錄RNSS射頻基帶一體化芯片5款、雙頻多系統(tǒng)高精度射頻基帶一體化芯片2款、多模多頻寬帶射頻芯片(全球信號) 6款、多模多頻高精度天線(全球信號) 6款、多模多頻高精度模塊(全球信號) 6款,供各行業(yè)根據實際情況進行選用。


  • 中國大陸晶圓廠的新挑戰(zhàn)

據Yole最新預測,從2018-2024年,整個半導體封裝市場的營收將以5%的復合年增長率(CAGR)增長,而先進封裝市場將以8.2%的復合年增長率增長,市場規(guī)模到2024年將增長至436億美元。在各種先進封裝平臺中,3D硅通孔(TSV)和扇出型(Fan-out)封裝,將分別以29%和15%的速度增長。而占據先進封裝市場主要市場份額的倒裝芯片(Flip-chip)封裝,將以約7%的復合年增長率增長。與此同時,扇入型晶圓級封裝(Fan-in WLP)主要受到移動市場驅動,也將以7%的復合年增長率增長。

 

臺積電和三星等晶圓廠在先進封裝技術上的布局,助其在摩爾定律的法則中不斷延續(xù),向5nm、3nm、2nm甚至1nm工藝上突進,這也使得我們大陸晶圓廠在工藝上的差距與他們越來越遠。就14nm而言,臺積電早于2014年已經開始量產,今年更開始量產5nm制程,占公司營收比重預計為8%,公司預計3nm制程明年試產,2022年下半年量產。相比之下,中芯國際比臺積電落后6年,而該公司早前宣布計劃今年第4季試產臺積電已經量產多時的7nm芯片。





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