首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ultra c sic

ultra c sic 文章 最新資訊

以中國帶動世界 意法半導體搶占新能源汽車制高點

  • 意法半導體(STMicroelectronics) 以“意法半導體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業(yè)領先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。 作為意法半導體重要的業(yè)務領域之一，此次展臺的焦點是一輛智能電動轎跑小鵬P7，這款先進的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導體的先進的多功能芯片L9788，這是首個集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標準，產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
  • 關鍵字： 意法半導體  SiC  BMS  

驍龍888望遠鏡亮相！三星Galaxy S21 Ultra支持100倍變焦

  • 今日晚間，三星Galaxy S21系列國行版正式亮相。國行版包括三星Galaxy S21、Galaxy S21+和Galaxy S21 Ultra三款，其中Galaxy S21 Ultra超大杯的影像有大幅升級。在Galaxy S21 Ultra上，三星為其配備了全新的四鏡頭模組，其中主鏡頭使用三星自家的1.08億像素傳感器鏡頭。這顆傳感器由三星全新設計，支持9in1像素合成技術，合成后的像素面積可以達到2.4μm，可以實現(xiàn)弱光下的降噪能力提升200%，同時這顆鏡頭可以拍攝12 bit的HDR RAW格式
  • 關鍵字： 驍龍888  三星  Galaxy S21 Ultra  

電動汽車BMS的技術趨勢及恩智浦的解決方案

  • 1? ?電動汽車BMS的技術趨勢對恩智浦而言，我們所觀察到的電動汽車制造商在規(guī)劃整個車型電氣化過程中正在面對如下挑戰(zhàn)，這也代表了現(xiàn)在技術發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動車普及以及車廠盈利的重要決勝點。除電芯降本外，還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機械架構，并制作支持自動化組裝的生產(chǎn)線，這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長里程需要提高比能量，縮短充電時間則要增加比功率，在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過程中，電池管理功能安全的等級、診斷的精度
  • 關鍵字： BMS  SiC  

SiC在電動汽車的功率轉換中扮演越來越重要的角色

  • 1? ?中國新能源汽車市場的需求特點首先，中國的電動化發(fā)展速度很快，中國企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛，而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過渡，沒有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復雜的“技術遺產(chǎn)”問題。相比歐美，新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國，功率轉換系統(tǒng)在汽車中的應用非常廣泛，這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產(chǎn)品部大眾市場業(yè)務拓展負責人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
  • 關鍵字： 新能源汽車  SiC  

TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應用

  • GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領
  • 關鍵字： GaN  FET  SiC  

推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術

  • 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎設施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
  • 關鍵字： EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

  • 領先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺灣的半導體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產(chǎn)品推向亞洲市場，為包括電動汽車、電池充電、IT基礎設施、可再生能源和電路保護等高增長應用領域的客戶提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場正在迅速崛起，急需采用能夠?qū)崿F(xiàn)新產(chǎn)品差異化的新技術。益登的
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  

安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

  • 目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據(jù)各大咨詢機構統(tǒng)計，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
  • 關鍵字： 安森美  SiC  碳化硅  

下月發(fā)！三星Galaxy Note 20 Ultra曝光：售價超8000元

  • Roland Quandt曝光了三星Galaxy Note 20 Ultra的核心參數(shù)。作為三星的年度旗艦，Galaxy Note 20 Ultra的S Pen是一大看點。其延遲僅有9ms，旨在書寫體驗更加真實，更接近傳統(tǒng)手寫筆的使用效果。第二大看點是云游戲，三星與微軟合作，借助Xbox Game Pass，Galaxy Note 20 Ultra可以暢玩90多款云游戲，使Galaxy Note 20 Ultra成為一款便攜式游戲機。核心配置上，Galaxy Note 20 Ultra采用6.9英寸AMO
  • 關鍵字： 三星  Galaxy Note 20 Ultra  

安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
  • 關鍵字： MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
  • 關鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

三星Note 20 Ultra渲染圖曝光 可能帶有紅外遙控功能

  • Galaxy Note 20 Ultra最近備受關注，這很簡單。它將定義Note 20系列的最高端作品。因此，它所受到的關注度是顯而易見的，至少可以說。在過去的幾周里，有大量的相關消息泄露和曝光。俄羅斯三星意外地在其網(wǎng)站上發(fā)布了神秘的青銅色Galaxy Note 20 Ultra的照片。起初，我們以為這些照片只是概念，但之后泄露的消息就開始源源不斷。此時，關于Note 20 Ultra的一切都已經(jīng)呈現(xiàn)在公眾眼前。據(jù)報道，Galaxy S21 Ultra正在進行三種屏幕尺寸的測試，三星準備超越7英寸顯示屏障
  • 關鍵字： 三星  Note 20 Ultra  紅外遙控  

臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術聯(lián)合實驗室

  • 中國新能源汽車電驅(qū)動領域高科技公司臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅(qū)科技”）與全球知名半導體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿(mào)易區(qū)試驗區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術聯(lián)合實驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開關損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來，臻驅(qū)科技和羅姆就采
  • 關鍵字： MOSEFT  SiC  

新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
  • 關鍵字： 電源  SiC  IGBT  GaN  

新諜照顯示三星Galaxy Note20 Ultra將采用巨大后置攝像頭

  • 現(xiàn)在大家已經(jīng)知道三星Galaxy Note20 Ulta跟三星Galaxy S20 Ultra相比將會有一個顯著升級的攝像頭。現(xiàn)在，三星爆料大神Ice_Universe發(fā)布了一些三星Galaxy Note20和Note20 Plus/Ultra的早期手機保護套的照片，看起來Note20 Ultra的相機集群將會非常龐大。通過對比可以看出大小的區(qū)別。盡管Note20 Ultra是一款更大的設備，但攝像頭群似乎占據(jù)了手機寬度的一半以上。尺寸更大的原因之一可能是用全新的激光自動對焦元件替換了Time of Fl
  • 關鍵字： 三星G  alaxy Note20  Ultra  
共521條 22/35 |‹ « 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 » ›|

ultra c sic介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ultra c sic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ultra c sic的理解，并與今后在此搜索ultra c sic的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473