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super junction mosfet 文章 最新資訊

第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

  • 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  MOSFET  

ROHM開發(fā)出適用于AI服務器等高性能服務器電源的MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數(shù)據(jù)處理技術的進步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，
  • 關鍵字： ROHM  AI服務器  服務器電源  MOSFET  

東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  柵極驅(qū)動  光電耦合器  

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

開關性能大幅提升！M3S 與M2 SiC MOSFET直觀對比

  • 安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側(cè)重于探討專為低電池電壓領域的高速開關應用而設計的先進 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產(chǎn)品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎知識、M3S 技術和產(chǎn)品組合（三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術發(fā)展解析
  • 關鍵字： 電源轉(zhuǎn)換  電動汽車  MOSFET  

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
  • 關鍵字： CoolSiC  MOSFET  

低壓電源MOSFET設計

  • 低壓功率MOSFET設計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用，即使電源電壓很低。關鍵功能包括以下內(nèi)容：　　低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應用中至關重要。由于其先進的結構和材料，低壓MOSFE
  • 關鍵字： 低壓電源  MOSFET  

如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

  • 在工業(yè)電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流。可靠的工業(yè)電子設備通常配備保護電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護電子設備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負載快速變化時發(fā)生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
  • 關鍵字： 過壓保護  開關浪涌  MOSFET  

瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能?；谶@一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個領域。瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導通電阻（MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻）
  • 關鍵字： 瑞薩  MOSFET  

牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！

  • 功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加
  • 關鍵字： 功率器件  MOSFET  電路  

為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？

  • 如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數(shù)據(jù)中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數(shù)據(jù)中心供電：從電網(wǎng)到GPU電源供應器(PSU)還必須滿足數(shù)據(jù)中心行業(yè)的特定需求。人工智能數(shù)據(jù)中心的PSU應滿足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規(guī)范，要求30%到100
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  數(shù)據(jù)中心  

黃仁勛秀手掌大小「生成式AI超級計算機」專為機器人設計

  • 人工智能應用日益擴展，英偉達（NVIDIA）近期再推出新產(chǎn)品，超小型生成式AI開發(fā)者套件「Jetson Orin Nano Super」，具備強大性能且價格親民，僅249美元（不到2000元），專為機器人設計，不僅降低AI硬件的門坎，還促進了生成式 AI 與機器人技術的廣泛應用。英偉達執(zhí)行長黃仁勛2020年在宣傳「全世界最大的GPU」時，選在自家廚房從烤箱中把A100繪圖芯片拿出來展示。此次黃仁勛重現(xiàn)經(jīng)典場面，從烤箱拿出僅有手掌大小的「Jetson Orin Nano Super」，還自嘲說可能烤太久、都
  • 關鍵字： 黃仁勛  生成式AI  Jetson Orin Nano Super  

Vishay推出性能先進的新款40V MOSFET

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導通電阻，能夠為工業(yè)應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導通電阻低至0
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術的標準閾壓40V MOSFET

  • 意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車規(guī)晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實現(xiàn)出色的能效。動態(tài)性能得到了改進，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
  • 關鍵字： 意法半導體  STripFET F8  MOSFET  

看完這篇，4個步驟快速完成MOSFET選型

  • 今天教你4個步驟選擇一個合適的MOSFET。第一步：選用N溝道還是P溝道　　為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側(cè)開關。在低壓側(cè)開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮?！∫x擇適合應用的器件，必須確定驅(qū)動器件所需的電壓，以及
  • 關鍵字： MOSFET  選型  
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