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MRAM大勢(shì)將至　產(chǎn)學(xué)界吁應(yīng)盡速計(jì)劃推動(dòng)

  • 　　臺(tái)灣磁性技術(shù)協(xié)會(huì)邀請(qǐng)產(chǎn)學(xué)人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對(duì)該主題介紹市場(chǎng)與技術(shù)概況。產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界人士交流該項(xiàng)技術(shù)的看法，對(duì)于磁性存儲(chǔ)器(MRAM)的市場(chǎng)前景樂觀，并認(rèn)為臺(tái)灣產(chǎn)官學(xué)研有迫切攜手推動(dòng)的必要性。 　　在市場(chǎng)發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存市場(chǎng)會(huì)由非揮發(fā)性存儲(chǔ)器所主宰，在低耗電市場(chǎng)上，包括L1 Cache在內(nèi)，嵌入式存儲(chǔ)器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運(yùn)算市場(chǎng)上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲(chǔ)器以及
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從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元

  • 磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，正在作為一種主流的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)被業(yè)界所廣泛接受。它集成了一個(gè)磁阻器件和一個(gè)硅基選擇矩陣。MRAM的關(guān)鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無(wú)限次讀寫的耐用性、快速
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STT-MRAM存儲(chǔ)技術(shù)詳解

  • 存儲(chǔ)器是當(dāng)今每一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、存儲(chǔ)方案和移動(dòng)設(shè)備都使用的關(guān)鍵部件之一。存儲(chǔ)器的性能、可擴(kuò)展性，可靠性和成本是決定推向市場(chǎng)的每個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)品經(jīng)濟(jì)上成功或失敗的主要標(biāo)準(zhǔn)。目前，幾乎所有產(chǎn)品都使用一種或組合使用
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MRAM的黃金時(shí)代即將來(lái)臨？

  • 　　MRAM市場(chǎng)可能會(huì)在明年開始變得越來(lái)越“擁擠”──開發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國(guó)業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標(biāo)是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。 　　STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hobe
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三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)在3年內(nèi)展開MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 　　韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲(chǔ)器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬(wàn)倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅(qū)動(dòng)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不使用時(shí)也完全不需要電力。
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問世

  • 　　SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 　　SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28
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IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用

  • 　　據(jù)海外媒體報(bào)道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲(chǔ)器(MRAM)和相變存儲(chǔ)器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。 　　韓媒 BusinessKorea 11 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置

  • 　　在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競(jìng)賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 　　比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 　　28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長(zhǎng)的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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日本東北大學(xué)，開發(fā)成功超高速小電流MRAM

  • 　　日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開發(fā)成功了可超高速動(dòng)作的新型磁存儲(chǔ)器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎(chǔ)元件，并實(shí)際驗(yàn)證了動(dòng)作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實(shí)現(xiàn)的小電流動(dòng)作和高速動(dòng)作。 　　 ? 　　三種自旋軌道力矩磁化反轉(zhuǎn)元件構(gòu)造。(a)與(b)為以前的構(gòu)造，(c)為此次開發(fā)的構(gòu)造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點(diǎn)擊放大) 　　PC及智能手機(jī)使用的SRAM及DRAM等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，因構(gòu)成元件的微細(xì)化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

  • 　　記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬(wàn)能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題 　　遺憾的是，實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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替代閃存的存儲(chǔ)新技術(shù)有哪些？

  • 不同存儲(chǔ)器都有其各自的優(yōu)勢(shì)和缺點(diǎn)，由消費(fèi)類產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)器市場(chǎng)在呼喚性能更優(yōu)存儲(chǔ)器技術(shù)，當(dāng)然也要價(jià)格便宜。
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DRAM微縮到頂！新存儲(chǔ)器MRAM、ReRAM等接班？

  • 　　DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業(yè)界認(rèn)為次世代記憶體“磁電阻式隨機(jī)存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現(xiàn)身，要以更快的存取速度橫掃市場(chǎng)。 　　   　　韓媒BusinessKorea 16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無(wú)法縮減，也可能不適合采用高介電常數(shù)(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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SK海力士與東芝訴訟和解　提升未來(lái)技術(shù)發(fā)展力

  • 　　東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時(shí)東芝也撤銷對(duì)SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭(zhēng)取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。 　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長(zhǎng)時(shí)間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。 　　MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。 　　TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲(chǔ)技術(shù)的原型。
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