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sic-mosfet 文章 最新資訊

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
  • 關(guān)鍵字： 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動器  MOSFET  集成  

IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

  • 1引言開關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動電路的設(shè)計一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  隔離驅(qū)動  光電耦合器  脈沖變壓器  

用SiC撬動新能源、汽車電子新興市場

  • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點，SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域，很多半導(dǎo)體廠商都看好SiC技術(shù)的未來，并積極投身其中，在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  太陽能  SiC  

Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項與設(shè)計要點

  • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，因此在通信電源，服務(wù)器電源，電源適配器以及臺式電腦電...
  • 關(guān)鍵字： Super-junction  PFC  MOSFET  

[組圖]800瓦M(jìn)OSFET功放

  • 800瓦M(jìn)OSFET功放功放適合大功率的AV場合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時）：0 ...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功放  

Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標(biāo)

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  控制器  MOSFET  

功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

  • 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無緩沖層MOSFET準(zhǔn)靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負(fù)
  • 關(guān)鍵字： 二維數(shù)值  模擬  能力  SEB  MOSFET  功率  

智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能

  • 智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進(jìn)步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競爭激烈，他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源，并且
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  醫(yī)療設(shè)計  可靠性  性能    

羅姆推出高耐壓功率MOSFET

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  電阻  MOSFET  

瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

  • 全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的μPA2812T1L。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  MOSFET  μPA2812T1L  

飛兆單一P溝道具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VP-P  120  電壓    

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  高頻特性  放大器電路  工作原理    

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(五)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
  • 關(guān)鍵字： 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動器  MOSFET  集成  

MOSFET的UIS和雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中評
  • 關(guān)鍵字： 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  
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