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sic-mosfet 文章 最新資訊

高功率LED照明驅(qū)動應(yīng)用的新方法

  • 摘要：傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作，成本低，容易實現(xiàn)，但目前高亮度LED消耗的電流可達350mA甚至更高，因此傳統(tǒng)方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動電源的實現(xiàn)方法，具有高性價比，輸出電流大，失真度低，且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點。
  • 關(guān)鍵字： LED  照明驅(qū)動  DC/DC  SIMPLE  MOSFET  201312  

東芝電子攜“智慧社區(qū)”亮相第十五屆高交會

  • 2013年11月22日，日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，在第十五屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區(qū)”這一主題，重點展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲等五大應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)與解決方案。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  存儲卡  MOSFET  

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動器設(shè)計

  • 引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

通過基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢

  • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
  • 關(guān)鍵字： 三菱電機  SiC  

MOS管驅(qū)動電路總結(jié)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MOS管  驅(qū)動電路  MOSFET  導通特性  AN799  

把握LED設(shè)計關(guān)鍵 實現(xiàn)情調(diào)照明

  • 一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設(shè)計方法與思路，目前有兩種最新的設(shè)計理念。1.情景照明:是2008年由飛...
  • 關(guān)鍵字： LED    MOSFET  

淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電源設(shè)計  

SiC二極管 通過基片薄型化降低導通電阻

  • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
  • 關(guān)鍵字： SiC  二極管  

Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸

  • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者 Power Integrations公司(納斯達克股票代號：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
  • 關(guān)鍵字： Power  MOSFET  HiperTFS-2  

飛兆集成式智能功率級(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

  • 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  SPS  驅(qū)動器  

新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

  • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關(guān)動作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
  • 關(guān)鍵字： 新日本無線  SiC-SBD  MUSES  

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導通電阻

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導通電阻。
  • 關(guān)鍵字： TI  MOSFET  導通電阻  

怎么能使Simulink的仿真速度更快?

  • 現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而處理的對象也是越來越復雜，特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時候，因為PC上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復雜化的速度，就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
  • 關(guān)鍵字： Simulink  仿真速度  操作系統(tǒng)  MOSFET  

深入淺出常用元器件系列——MOSFET

  • MOSFET，中文名金屬-氧化層-半導體-場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  晶體管  datasheet  漏極電流  

安森美用于辦公自動化設(shè)備應(yīng)用的高能效步進電機驅(qū)動器方案

  • 電機的應(yīng)用非常廣泛，遍及人們工作及生活的各個領(lǐng)域，如打印機、復印機、傳真機、投影儀、電冰箱、洗衣機、空調(diào)、燃氣灶、照相機、ATM機、電動縫紉機、保安攝像機、自動售貨機、熱水供應(yīng)系統(tǒng)、園林灌溉系統(tǒng)及工業(yè)自動化等。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  電機驅(qū)動  步進電機  MOSFET  驅(qū)動器  
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