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sic-mosfet 文章 最新資訊

電容器

  • 　　2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點　　TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法。　　CeraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比：由于該款新電容
  • 關(guān)鍵字： TDK  電容器  CeraLink  SiC  

Allegro MicroSystems推出新型雙同步低降壓穩(wěn)壓器

  • 　　Allegro?MicroSystems,?LLC?公司宣布推出針對多輸出系統(tǒng)的新型雙轉(zhuǎn)換器。Allegro’經(jīng)?AEC-Q100?標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的?A8651?是雙?2?A?低?VIN?同步穩(wěn)壓器，帶可調(diào)頻率，整合了高端?P?通道?MOSFET?和低端?N?通道?MOSFET。A8651?整合電流模式控制，可
  • 關(guān)鍵字： Allegro  雙轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

工程師該如何選擇電源？

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 供電處理器  凌力爾特  MOSFET  均流控制器  二極管  

基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開關(guān)電源的方案

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  TVS串聯(lián)  三相開關(guān)電源  ICE3AR2280JZ  

同步正向 MOSFET 驅(qū)動器無需信號變壓器

  • ??　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出高效率副邊?MOSFET?驅(qū)動器?LT8311，該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無需原邊控制就可工作。LT8311?采用獨特的預(yù)測模式，通過在副邊檢測信號以控制同步整流，無需信號變壓器實現(xiàn)原邊至副邊通信。這種模式減少了組件數(shù)量和解決方案尺寸?！　T8311?在?3.7V?至?30V
  • 關(guān)鍵字： 凌力爾  MOSFET  LT8311  

Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻，占位面積為2mm?x?2mm?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiA936EDJ  

德州儀器面向大電流電機控制及電源設(shè)計推出40V至100V NexFET? MOSFET

  • 　　德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET，其支持?40V?至?100V?輸入電壓，進一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產(chǎn)品陣營。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
  • 關(guān)鍵字： TI  TO-220  MOSFET  NexFET  

76V、?1A 降壓型轉(zhuǎn)換器靜態(tài)電流僅為12μA

  • 　　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出能接受?76V?輸入的高效率降壓型轉(zhuǎn)換器?LTC3637，該器件可提供高達?1A?的連續(xù)輸出電流。它在?4V?至?76V?的輸入電壓范圍內(nèi)工作，非常適用于電信、工業(yè)、航空電子和汽車應(yīng)用。LTC3637?運用可編程峰值電流模式設(shè)計，在很寬的輸出電流范圍內(nèi)優(yōu)化效率。該器件提供高達&nbs
  • 關(guān)鍵字： Linear  LTC3637  MOSFET  

Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境?！　〕司哂袃?yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗的光電子
  • 關(guān)鍵字： Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  

英飛凌推出針對體二極管硬式整流進行了優(yōu)化的快速二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD，進一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對體二極管硬式整流進行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過沖電壓和更低的反向恢復(fù)損耗，有助于實現(xiàn)最可靠的系統(tǒng)，特別是在硬開關(guān)應(yīng)用中，如通訊系統(tǒng)、工業(yè)電源、D類音頻放大器、電機控制(適用于48–110V系統(tǒng))和直流/交流逆變器等?！　√岣呖煽啃?，同時節(jié)省成本　　OptiMOS?FD家族具備針對最高性能標(biāo)準(zhǔn)而優(yōu)化的反向恢復(fù)電荷(Qrr)。相比標(biāo)
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  

凌力爾特推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動器 LT8309

  • 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動器 LT8309，該器件采用 MOSFET 取代了輸出二極管，無需使用散熱器就可允許高達 10A 的輸出電流。
  • 關(guān)鍵字： 凌力爾特  LT8309  MOSFET  

下一代晶體管技術(shù)何去何從

  • 電子技術(shù)發(fā)展至今，主要在拼什么？功耗、成本、快速性成為很多公司對外宣傳的殺手锏，那么在這個速食的時代，下一代晶體管技術(shù)又將何去何從呢？
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  晶體管  

凌力爾特推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器

  • 2014 年 2 月 19 日，凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器 LTC3784，該器件采用高效率 N 溝道 MOSFET 取代了整流升壓二極管。
  • 關(guān)鍵字： 凌力爾特  LTC3784  DC/DC  MOSFET  

模擬電子—從放大器說起（四）：反饋

  • 在了解了三極管/MOSFET的原理之后，就可以涉及具體的電路來放大信號了。但是剛一拿起鉛筆和稿紙就發(fā)現(xiàn)一個非常現(xiàn)實的問題那就是三極管或者是MOSFET的放大倍數(shù)都不是那么穩(wěn)定的，例如說三極管的電流增益Beta就是受到工藝影響非常大的一個指標(biāo)，如果我們要對信號進行非常精準(zhǔn)的放大僅僅依靠三極管的原生放大倍數(shù)肯定是不行的。
  • 關(guān)鍵字： 三極管  MOSFET  放大器  電路  增益  

飛兆全新中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

  • 2014年2月13日，許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench? MOSFET，在尺寸減小的同時可實現(xiàn)卓越的開關(guān)速度和功耗性能。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  
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