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sic mosfet 文章 最新資訊

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

  • 引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢

  • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
  • 關(guān)鍵字： 三菱電機(jī)  SiC  

MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MOS管  驅(qū)動(dòng)電路  MOSFET  導(dǎo)通特性  AN799  

把握LED設(shè)計(jì)關(guān)鍵 實(shí)現(xiàn)情調(diào)照明

  • 一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設(shè)計(jì)方法與思路，目前有兩種最新的設(shè)計(jì)理念。1.情景照明:是2008年由飛...
  • 關(guān)鍵字： LED    MOSFET  

淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電源設(shè)計(jì)  

SiC二極管 通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻

  • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
  • 關(guān)鍵字： SiC  二極管  

Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸

  • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時(shí)集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個(gè)元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
  • 關(guān)鍵字： Power  MOSFET  HiperTFS-2  

飛兆集成式智能功率級(jí)(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

  • 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  SPS  驅(qū)動(dòng)器  

新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

  • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關(guān)動(dòng)作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
  • 關(guān)鍵字： 新日本無線  SiC-SBD  MUSES  

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字： TI  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

怎么能使Simulink的仿真速度更快?

  • 現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而處理的對(duì)象也是越來越復(fù)雜，特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時(shí)候，因?yàn)镻C上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復(fù)雜化的速度，就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
  • 關(guān)鍵字： Simulink  仿真速度  操作系統(tǒng)  MOSFET  

深入淺出常用元器件系列——MOSFET

  • MOSFET，中文名金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  晶體管  datasheet  漏極電流  

安森美用于辦公自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用的高能效步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方案

  • 電機(jī)的應(yīng)用非常廣泛，遍及人們工作及生活的各個(gè)領(lǐng)域，如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、投影儀、電冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)、燃?xì)庠?、照相機(jī)、ATM機(jī)、電動(dòng)縫紉機(jī)、保安攝像機(jī)、自動(dòng)售貨機(jī)、熱水供應(yīng)系統(tǒng)、園林灌溉系統(tǒng)及工業(yè)自動(dòng)化等。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  電機(jī)驅(qū)動(dòng)  步進(jìn)電機(jī)  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

Vishay 聯(lián)袂中國電源學(xué)會(huì)舉辦電源專題研討會(huì)

  • 2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將與中國電源學(xué)會(huì)合作于10月16日舉辦電源專題研討會(huì)，該研討會(huì)內(nèi)容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管，同期還將有多位業(yè)內(nèi)專家出席并做宣講。研討會(huì)將在中國武漢的長江大酒店召開。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統(tǒng)性能

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 美高森美  SiC  
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