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sic fet 文章 最新資訊

羅姆開(kāi)發(fā)出世界首家壓鑄模類(lèi)型SiC功率模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē))和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類(lèi)型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  

用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

  • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
  • 關(guān)鍵字： 射頻開(kāi)關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

羅姆半導(dǎo)體： “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強(qiáng)勁動(dòng)力

  • 據(jù)羅姆中國(guó)營(yíng)業(yè)本部村井美裕介紹，面對(duì)未來(lái)的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  LED  

Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

  • 簡(jiǎn)介 　　一提到電源設(shè)計(jì)，大多數(shù)工程師都會(huì)感到撓頭，他們往往會(huì)問(wèn)，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲?、升壓、flyback、半橋和全橋等。
  • 關(guān)鍵字： intersil  FET  DC/DC  

富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

  • 　　富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 富士電機(jī)  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)分析

  • 引言　　隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： SiC  寬帶功率放大器  模塊設(shè)計(jì)  放大電路  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  MOS—FET  

MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

TI 小貼士：圖例理FET知識(shí)

  • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
  • 關(guān)鍵字： FET  

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺(tái)臺(tái)電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西，或用來(lái)逆變；或用來(lái)整流；或就當(dāng)個(gè)開(kāi)關(guān)...
  • 關(guān)鍵字： FET  

利用SiC大幅實(shí)現(xiàn)小型化 安川電機(jī)試制新型EV行駛系統(tǒng)

  • 安川電機(jī)試制出了利用SiC功率元件的電動(dòng)汽車(chē)（EV）行駛系統(tǒng)（圖1）。該系統(tǒng)由行駛馬達(dá)及馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)部構(gòu)成。通過(guò)...
  • 關(guān)鍵字： 安川電機(jī)  EV行駛系統(tǒng)  SiC  

CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管

  • 　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器. 　　
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  P-FET  

市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場(chǎng)

  • 　　在由Xilinx主辦的會(huì)議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場(chǎng)的報(bào)告。Semico對(duì)于傳統(tǒng)的ASIC市場(chǎng)將只有低增長(zhǎng)的預(yù)測(cè),而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動(dòng)聯(lián)結(jié)等日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)下將有大的發(fā)展。　　
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  Semico  SIC  
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