功率MOSFET在目前一些大功率電源的產品設計中得到了廣泛的應用，此前本文曾經就幾種常見的MOSFET電路設計類型進行了簡單總結和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器件的另一種應用方式，即有隔離變壓器存在的互補驅動電路，進行簡要分析?！ ∮懈綦x變壓器的互補驅動電路作為一種比較常見的驅動電路形式，在目前的家電產品設計中應用較多，其典型電路結構如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結構中，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。
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MOSFET 驅動電路
功率器件MOSFET是目前應用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學習時的重點方向。如果設計得當，MOSFET驅動電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅動設計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅動電路設計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?！ ∠聢D中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內比較常用的小功率MOSFET驅動電路，這一電路系統(tǒng)的特點是簡單可靠，且設計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關設備。圖1(b)所示驅動電路開關速度很快，驅動能力強，為防
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MOSFET 驅動電路
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過750W的高功率無刷直流電機應用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無刷直流應用，包括備用泵和暖通空調系統(tǒng)。 DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機控制應用的嚴格要求，
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Diodes MOSFET
全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機驅動和其他應用
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Fairchild MOSFET
一、引言 MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能?！ 《?、開關管MOSFET的功耗分析
MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導通損耗;3.關斷損耗;4.驅動
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MOSFET EMI
不少媒體已經對三星的最新旗艦Galaxy?S7/S7?edge進行了深入的拆解，而三星也在官網放出官方拆解圖，其中更是有這兩臺手機使用的熱管的解析： ?
? Galaxy?S7的屏幕面板，采用5.1英寸的Super?AMOLED，分辨率達到QHD(2560*1440)，這個規(guī)格和上一代的Galaxy?S6一致，前面板采用了2.5D玻璃設計。比較特別的是，這次的觸控IC也是三星自家的芯片?！ ?
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Galaxy S7
三星正式在國內發(fā)布了新世代旗艦GalaxyS7/S7 Edge系列，國行版的S7家族全系使用高通驍龍820主控，沒有出現(xiàn)搭載Exynos 8890的版本或許是出于網絡制式考慮。雖然像筆者這種好奇的極客看來，不能直接比對兩款旗艦主控有些遺憾，但好在從配置和功能層面上來看，國行版S7沒有任何縮水，即使是強迫癥們也無需糾結了?！ ?nbsp;
無獨有偶，近日，著名的芯片級分析網站Chipworks開始了對Galaxy S7 Edge(以下
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三星 S7
目前安卓手機行業(yè)正面臨同質化嚴重、缺乏創(chuàng)新等問題，智能手機發(fā)展到今天，到底還有哪些可能性?參數(shù)配置更加強大?還是硬件的不斷升級?這些都很難說是創(chuàng)新。
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三星 S7
三星S7上市了，但是還有很多用戶關注的東西三星并沒有公布。三星S7是否采用水冷散熱。需要通過真機拆解才能知道。下面分享網友拆解三星S7的過程，三星S7通過拆機能夠了解三星S7?！ ??
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三星 S7
關于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細梳理一下，也許對于您的知識系統(tǒng)更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。 1、MOS管種類和結構 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
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MOSFET 驅動電路
在今年旗艦智能機的比拼中，新一代的旗艦級處理器勢必會成為關鍵，其中以高通驍龍820、聯(lián)發(fā)科HelioX20、華為旗艦950以及三星Exynos8890這四大處理器中決出勝負，其中驍龍820、HelioX20、麒麟950的性能跑分都已經公之于眾，而近日Exynos8890處理器的跑分也首次曝光了。
雖然三星Exynos8890處理器早已經在去年發(fā)布，但是關于該處理器的性能跑分卻一直都是未知數(shù)，讓人很是期待這款三星旗艦級處理器的性能到底如何，這次在知名跑分網站Geekbench上，終于出現(xiàn)了搭載Ex
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三星 S7
進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設計人員，你還會有一定的預算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優(yōu)化。
圖 1 傳導損耗與 FET 電阻比和占空比相關
首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關系。
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MOSFET
最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據表的“看懂MOSFET數(shù)據表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據表中出現(xiàn)的某些其它混合開關參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關性(或者與器件性能沒什么關系)。
另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關參數(shù)是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關損耗的關鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設計人員在根據這些參數(shù)比較不同
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MOSFET 二極管
在《估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網絡的各種電壓代表各個溫度?！ ”疚闹?，我們把圖 1 所示模型的瞬態(tài)響應與圖 3 所示公開刊發(fā)的安全工作區(qū)域(SOA 曲線)部分進行了對比?！ ?nbsp;
圖 1 將散熱容加到&nb
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MOSFET 電路板
在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。 熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產生溫升。大多數(shù)熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設備免受過應力損害。圖 1 所示
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s7 mosfet介紹
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