s7 mosfet 文章最新資訊

住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

　　一般來(lái)講，尋求更大生活空間的居民會(huì)放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈?，院子更寬敞。同樣，?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時(shí)，他們一般會(huì)放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個(gè)更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破?，與郊區(qū)環(huán)境相類(lèi)似，具有相對(duì)的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會(huì)占據(jù)更多不動(dòng)產(chǎn)，更多的電路板空間。　　　　直到最近，電流超過(guò)10-15A的應(yīng)用一般會(huì)依賴(lài)帶外部MOSF
關(guān)鍵字： MOSFET 封裝

關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)大合集

　　下面對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。　　1，MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu) 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。　　對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)
關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET

意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)碳化硅功率器件加快汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)在混動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)(EV，Electric Vehicles)市場(chǎng)發(fā)布了先進(jìn)的高能效功率半導(dǎo)體器件，同時(shí)還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車(chē)質(zhì)量認(rèn)證時(shí)間表。　　電動(dòng)汽車(chē)和混動(dòng)汽車(chē)通過(guò)提高電能利用率來(lái)延長(zhǎng)續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車(chē)企能夠研制續(xù)航里程更長(zhǎng)、充電速度更快的電動(dòng)和混動(dòng)汽車(chē)，使其更好地融入車(chē)主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，針對(duì)汽車(chē)所有主要電氣模塊，意法半導(dǎo)體率先推
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

三星手機(jī)逆襲了！它用了這兩招

　　5月24日消息，科技新聞網(wǎng)站DigitalTrends稱(chēng)，盡管目前智能手機(jī)市場(chǎng)依然低迷，但韓國(guó)三星電子通過(guò)新的經(jīng)營(yíng)哲學(xué)實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。　　一年前，三星電子看似前途迷茫，其旗艦智能手機(jī)表現(xiàn)不盡如人意，整個(gè)手機(jī)市場(chǎng)正步入衰退。不過(guò)在短短一年的時(shí)間里，三星電子取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，其前景也看似更加光明。這背后的原因不是手機(jī)市場(chǎng)重新回到高增長(zhǎng)時(shí)代，而是三星電子自身的經(jīng)營(yíng)哲學(xué)發(fā)生了變化。　　三星電子第一次選擇不走尋常路，其不再?lài)L試通過(guò)硬件配置擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。與此同時(shí)，三星電子也停止了“討好所有人&rdq
關(guān)鍵字：三星 S7

英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴(kuò)大緊湊型門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品陣容

　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來(lái)了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。　　全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計(jì)。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車(chē)充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車(chē)等。優(yōu)化的
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC-MOSFET

理解超級(jí)結(jié)技術(shù)

　　基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級(jí)結(jié)MOSFET過(guò)渡的設(shè)計(jì)工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開(kāi)關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺(tái)的特征，以便充分理解和使用超級(jí)結(jié)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。　　為了理解兩種技術(shù)的差異，我
關(guān)鍵字： MOSFET 超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)

意法半導(dǎo)體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計(jì)人員提高計(jì)算機(jī)、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費(fèi)電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機(jī)會(huì)?！　∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書(shū)、視頻、相片和音樂(lè)文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長(zhǎng)，運(yùn)行云計(jì)算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)用戶(hù)終端設(shè)備的耗電量也隨之越來(lái)越高，人們對(duì)這些設(shè)備能耗最小化的需求越來(lái)越多
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？

　　MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?　　三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì)變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。　　MOS管在ON狀態(tài)時(shí)工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽
關(guān)鍵字： MOSFET 三極管

解析IGBT的工作原理及作用

　　本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f(shuō)，IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。　
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

【E問(wèn)E答】搞清楚MOS管的幾種“擊穿”？

　　MOSFET的擊穿有哪幾種?　　Source、Drain、Gate　　場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G　　(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對(duì)漏極電壓擊穿)　　先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。　　1) Drain->Source穿通擊穿:　　這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET

三星手機(jī)找到起死回生之術(shù)？

迅速普及的智慧手機(jī)市場(chǎng)日趨成熟，處于被其他廠商追趕的三星電子預(yù)計(jì)難以擴(kuò)大銷(xiāo)售規(guī)模，在此背景下，如何確保收益將成為關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：三星 S7

三星第一季度凈利潤(rùn)45.6億美元同比增長(zhǎng)13.55%

　　三星在監(jiān)管文件中稱(chēng)，公司第一季度的營(yíng)收為49.7萬(wàn)億韓元(約合447.3億美元)，同比增長(zhǎng)5.65%;運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)6.67萬(wàn)億韓元(約合60.03億美元)，同比增長(zhǎng)11.65%。這些業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)與該公司本月早些時(shí)候公布的前瞻數(shù)據(jù)基本一致。　　其包括智能手機(jī)的移動(dòng)部門(mén)運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)從去年同期的2.7萬(wàn)億韓元增長(zhǎng)至3.9萬(wàn)億韓元，漲幅達(dá)到42%，近7個(gè)季度以來(lái)首次超過(guò)芯片部門(mén)，成為公司的第一收入來(lái)源。芯片部門(mén)的運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)從去年同期的2.9萬(wàn)億韓元下降至2.6萬(wàn)億韓元，跌幅為10%。　　三星表示，移動(dòng)部門(mén)的出色表現(xiàn)
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如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障

　　為了降低能源成本，設(shè)備設(shè)計(jì)人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設(shè)計(jì)人員通過(guò)增大開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢(shì)如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開(kāi)關(guān)頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開(kāi)關(guān)，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用越來(lái)越普遍。但是，功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個(gè)問(wèn)題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。　　初級(jí) MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通
關(guān)鍵字：諧振轉(zhuǎn)換器 MOSFET

完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

　　為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全自保護(hù)的MOSFET功率器件來(lái)完成?！　D1顯示了完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見(jiàn)的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過(guò)壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個(gè)電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過(guò)壓箝制，為器件提供大部分的保護(hù)?！　?nbsp;&n
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件

三星電子一季度利潤(rùn)超預(yù)期達(dá)6.6萬(wàn)億韓元

　　三星電子表示公司預(yù)計(jì)第一季度的收入為49萬(wàn)億韓元，較上年同一季度的47.1萬(wàn)億韓元有所上升，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)計(jì)從2015年第一季度的6萬(wàn)億韓元上升至6.6萬(wàn)億韓元。　　　　這些數(shù)據(jù)要比預(yù)期的好很多。此前，彭博社對(duì)分析師做的一次調(diào)查預(yù)測(cè)第一季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為5.53萬(wàn)億韓元。預(yù)計(jì)三星電子在其旗艦產(chǎn)品Galaxy S7智能機(jī)銷(xiāo)售的首月中獲利不少。
關(guān)鍵字：三星 S7