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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng))和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設(shè)備功率模塊
PFC電路:柵極電阻的更改

- 在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)工作中,降噪是的一項(xiàng)重大課題,通常,可以通過(guò)提高開(kāi)關(guān)器件的柵極電阻來(lái)抑制噪聲,但其代價(jià)是效率降低(損耗增加),因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。在本文中,我們來(lái)探討當(dāng)將開(kāi)關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí),最大柵極電阻RG的情況。另外,由于噪聲需要實(shí)際裝機(jī)評(píng)估,所以在這里省略噪聲相關(guān)的探討。關(guān)鍵要點(diǎn)?增加開(kāi)關(guān)元件的柵極電阻會(huì)抑制噪聲,但與之存在權(quán)衡關(guān)系的效率會(huì)降低,因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。?將開(kāi)關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí),其最大柵極電阻RG可以通過(guò)仿真來(lái)確認(rèn)。
- 關(guān)鍵字: ROHM PFC
非常適用于車(chē)載和工業(yè)設(shè)備的雙面散熱功率模塊!ROHM開(kāi)發(fā)出12W級(jí)額定功率的0.85mm業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車(chē)載和工業(yè)設(shè)備中的大功率應(yīng)用,開(kāi)發(fā)出12W級(jí)額定功率的業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外,ROHM針對(duì)已在15W級(jí)額定功率產(chǎn)品中達(dá)到業(yè)界超小級(jí)別的“PSR330”和“PSR100”,還計(jì)劃推出0.2mΩ 的產(chǎn)品,以進(jìn)一步增強(qiáng)“PSR系列”的產(chǎn)品陣容。在工業(yè)設(shè)備的功率模塊中,早已出現(xiàn)了內(nèi)置分流電阻器的產(chǎn)品。近年來(lái),在xEV的主驅(qū)逆變器中,為了減小外殼尺寸,在模塊兩側(cè)配置散熱機(jī)構(gòu)的薄型功率模塊逐漸增加,在其中內(nèi)置分流電阻器的需求也日益高漲。然而
- 關(guān)鍵字: 雙面散熱功率模塊 ROHM 分流電阻器 PSR350
ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動(dòng)控制”IC 技術(shù)

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù),利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。近年來(lái),GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用,然而,如何提高控制IC(負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制)的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下,ROHM進(jìn)一步改進(jìn)了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”,成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns,達(dá)到業(yè)界超高水平。通過(guò)將該技術(shù)應(yīng)用在控制IC中,又成功地確立了可更大程
- 關(guān)鍵字: ROHM GaN器件 超高速驅(qū)動(dòng)控制
妙趣橫生的電子小知識(shí) 第1篇:初識(shí)晶體管
- 本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)和各種小知識(shí)。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛,涵蓋從基礎(chǔ)知識(shí)到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容,希望能夠幫到那些“至今不好意思問(wèn)別人,但又拿不準(zhǔn)自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應(yīng)該了解的要數(shù)“晶體管”了?!熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件,尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機(jī)時(shí),晶體管是不可或缺的重要器件。但是,對(duì)于電子制作初學(xué)者來(lái)說(shuō),掌握晶體管的使用方法有點(diǎn)難。剛開(kāi)始電子制作時(shí)使用的元器件,比如電池、LED、電阻器和開(kāi)關(guān)等,幾乎都是兩個(gè)引腳,而晶體管卻有三個(gè)引
- 關(guān)鍵字: ROHM 電源設(shè)計(jì) ZVS
妙趣橫生的電子小知識(shí) 第1篇:初識(shí)晶體管
- 本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)和各種小知識(shí)。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛,涵蓋從基礎(chǔ)知識(shí)到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容,希望能夠幫到那些“至今不好意思問(wèn)別人,但又拿不準(zhǔn)自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應(yīng)該了解的要數(shù)“晶體管”了?!熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件,尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機(jī)時(shí),晶體管是不可或缺的重要器件。但是,對(duì)于電子制作初學(xué)者來(lái)說(shuō),掌握晶體管的使用方法有點(diǎn)難。剛開(kāi)始電子制作時(shí)使用的元器件,比如電池、LED、電阻器和開(kāi)關(guān)等,幾乎都是兩個(gè)引腳,而晶體管卻有三個(gè)引
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ROHM開(kāi)發(fā)出精度達(dá)±1%的電流檢測(cè)放大器IC“BD14210G-LA”
- 與以往結(jié)構(gòu)相比,安裝面積減少約46%!輸入電壓范圍為-0.2V~+26V,非常適用于12V和24V電源應(yīng)用的電流檢測(cè)用途全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向無(wú)線基站、PLC*1 和逆變器等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域以及白色家電等消費(fèi)電子領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)出更節(jié)省空間的高精度電流檢測(cè)放大器IC“BD1421x-LA系列”。近年來(lái),越來(lái)越多的應(yīng)用產(chǎn)品需要具備電流檢測(cè)功能。例如,要想改善電機(jī)效率和實(shí)現(xiàn)異常檢測(cè)等目標(biāo),就需要提高電流檢測(cè)精度。另外,還需要減少安裝面積。在以往結(jié)構(gòu)(運(yùn)算放大器+分立器件)中,存在元器件精
- 關(guān)鍵字: ROHM 電流檢測(cè)放大器
ROHM開(kāi)發(fā)出用于液晶背光的4通道、6通道LED驅(qū)動(dòng)器,助力中大型車(chē)載顯示器進(jìn)一步降低功耗

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)針對(duì)車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)和車(chē)載組合儀表等應(yīng)用,成功開(kāi)發(fā)出適用于中型車(chē)載顯示器的4通道LED驅(qū)動(dòng)器IC“”、“BD83A14EFV-M”,以及適用于大型車(chē)載顯示器的6通道LED驅(qū)動(dòng)器IC“BD82A26MUF-M”。近年來(lái),隨著ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))的發(fā)展和車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)的功能增加,車(chē)載顯示器的尺寸日趨增大。這就要求用于車(chē)載顯示器液晶背光的LED驅(qū)動(dòng)器具有更高的驅(qū)動(dòng)效率,能夠在提高額定輸出電流的同時(shí)降低功耗。此外,如果車(chē)載顯示器出現(xiàn)閃爍,其視認(rèn)性將會(huì)降低
- 關(guān)鍵字: ROHM 液晶背光 LED驅(qū)動(dòng)器 車(chē)載顯示器
ROHM確立了業(yè)界超小短波紅外(SWIR)器件的量產(chǎn)技術(shù)

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)針對(duì)需要進(jìn)行物質(zhì)檢測(cè)的便攜設(shè)備、可穿戴和可聽(tīng)戴設(shè)備,確立了1608尺寸(1.6mm×0.8mm)業(yè)界超小的短波紅外*1(以下簡(jiǎn)稱SWIR:Short Wavelength Infrared)器件量產(chǎn)技術(shù)。?SWIR利用了水、冰和氣體等吸收特定紅外波長(zhǎng)的特性,在感測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用備受期待。這種產(chǎn)品不僅可用來(lái)檢測(cè)物質(zhì)的有無(wú)和成分的多少,還可以用作醫(yī)療領(lǐng)域的血氧飽和度和血糖檢測(cè)裝置的光源,在食品領(lǐng)域還可用來(lái)檢測(cè)蔬菜和水果的含水量和含糖量等。另外,在便攜設(shè)備
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羅姆(ROHM)第4代:技術(shù)回顧

- 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代(Gen4)金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V(從650 V提升至750 V)和1200 V的金氧半場(chǎng)效晶體管,以及多個(gè)可用的TO247封裝元件,其汽車(chē)級(jí)合格認(rèn)證達(dá)56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準(zhǔn)他們之前取得成功的車(chē)載充電器市場(chǎng)。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中,羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結(jié)構(gòu),在不影響短路耐受時(shí)間的情況下,使單位面積導(dǎo)通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?!彼麄冞€表示,“此外,顯著降低寄生電容使得開(kāi)關(guān)損耗比我們的上一代碳
- 關(guān)鍵字: 羅姆 ROHM MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出輸出電壓更穩(wěn)定且非常適用于冗余電源的小型一次側(cè)LDO

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出支持高達(dá)45V的額定電壓、50mA輸出電流的一次側(cè)*1LDO穩(wěn)壓器*2(以下簡(jiǎn)稱“LDO”)“BD7xxL05G-C系列”(BD725L05G-C、BD730L05G-C、BD733L05G-C、BD750L05G-C),該系列產(chǎn)品非常適用于各種冗余電源*3,用于車(chē)載應(yīng)用中,可提高車(chē)載電源系統(tǒng)的可靠性。近年來(lái),隨著ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))等的發(fā)展,要求為這些應(yīng)用供電的車(chē)載電源系統(tǒng)具有更高的可靠性。因此,越來(lái)越多的車(chē)載電源系統(tǒng)都開(kāi)始配備冗余電源,以
- 關(guān)鍵字: ROHM 一次側(cè)LDO
ROHM助力智能功率器件實(shí)現(xiàn)功能安全并減少功率損耗

- 近日,全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車(chē)載電子系統(tǒng)、PLC(Programable Logic Controller)等工業(yè)設(shè)備,開(kāi)發(fā)出40V耐壓?jiǎn)瓮ǖ篮碗p通道輸出的智能低邊開(kāi)關(guān)(Intelligent Power Device,以下簡(jiǎn)稱IPD)“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”,此次共推出8款產(chǎn)品。這些產(chǎn)品通過(guò)替代機(jī)械繼電器和MOSFET,實(shí)現(xiàn)汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)所需的功能安全。新產(chǎn)品已于2022年10月開(kāi)始暫以系列合計(jì)月產(chǎn)60萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: ROHM 智能功率器件 功率損耗 IPD
ROHM采用自有的電路和器件技術(shù)“TDACC?” 開(kāi)發(fā)出有助于安全工作和減少功率損耗的小型智能功率器件

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車(chē)載電子系統(tǒng)、PLC(Programable Logic Controller)等工業(yè)設(shè)備,開(kāi)發(fā)出40V耐壓?jiǎn)瓮ǖ篮碗p通道輸出的智能低邊開(kāi)關(guān)*1(Intelligent Power Device,以下簡(jiǎn)稱IPD)“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”,此次共推出8款產(chǎn)品。近年來(lái),在汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,圍繞自動(dòng)駕駛(自動(dòng)化)的技術(shù)創(chuàng)新日新月異,對(duì)安全性的要求也越來(lái)越高。在進(jìn)行設(shè)備開(kāi)發(fā)時(shí),必須考慮到如
- 關(guān)鍵字: ROHM TDACC 小型智能功率器件
ROHM開(kāi)發(fā)出有助于xEV相關(guān)應(yīng)用的小型化和減少降噪設(shè)計(jì)工時(shí)的隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7Fx05EFJ-C”

- 與普通產(chǎn)品相比,在主驅(qū)逆變器、OBC等的隔離電路中,安裝面積可減少約30%全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉(zhuǎn)換器和,新產(chǎn)品非常適用于xEV(電動(dòng)汽車(chē))的主驅(qū)逆變器、車(chē)載充電器(以下簡(jiǎn)稱“OBC”)、電動(dòng)壓縮機(jī)以及PTC加熱器*2等應(yīng)用中配備的柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電源。近年來(lái),為了實(shí)現(xiàn)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展,混合動(dòng)力汽車(chē)和純電動(dòng)汽車(chē)(統(tǒng)稱“xEV”)加速普及。xEV將電力作為主要?jiǎng)恿?lái)源,并配備了各類(lèi)電動(dòng)汽車(chē)特有的應(yīng)用,比如用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的主驅(qū)逆變器、用于空調(diào)的電動(dòng)
- 關(guān)鍵字: ROHM 轉(zhuǎn)換器 xEV
ROHM開(kāi)發(fā)出隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7Fx05EFJ-C”,助力xEV相關(guān)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型化以及減少降噪設(shè)計(jì)工時(shí)!

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7F105EFJ-C”和“BD7F205EFJ-C”,新產(chǎn)品非常適用于xEV(電動(dòng)汽車(chē))的主驅(qū)逆變器、車(chē)載充電器(以下簡(jiǎn)稱“OBC”)、電動(dòng)壓縮機(jī)以及PTC加熱器*2等應(yīng)用中配備的柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電源。近年來(lái),為了實(shí)現(xiàn)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展,混合動(dòng)力汽車(chē)和純電動(dòng)汽車(chē)(統(tǒng)稱“xEV”)加速普及。xEV將電力作為主要?jiǎng)恿?lái)源,并配備了各類(lèi)電動(dòng)汽車(chē)特有的應(yīng)用,比如用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的主驅(qū)逆變器、用于空調(diào)的電動(dòng)壓縮機(jī)、用于提升車(chē)
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rohm介紹
Rohm株式會(huì)社為全球知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè),ROHM公司總部所在地設(shè)在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM,于1967年和1969年逐步進(jìn)入了 晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導(dǎo)體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國(guó)硅谷的日本企業(yè),在硅谷開(kāi)設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心.以當(dāng)時(shí)的企業(yè)規(guī)模,憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念,加之年輕的、充滿夢(mèng)想和激情的員工的艱苦奮斗,ROHM [ 查看詳細(xì) ]
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