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rf-cmos 文章 最新資訊

美國欲掌控智能電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)關(guān)聯(lián)半導(dǎo)體市場

  • 　　向低碳社會挺進的美國打算控制智能電網(wǎng)領(lǐng)域的主導(dǎo)權(quán)，并聲稱將為此竭力取得智能電網(wǎng)的國際標(biāo)準(zhǔn)。目前，NIST(美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所)已開始與日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省展開標(biāo)準(zhǔn)化討論，而且IEC(國際電工委員會)也在美國主導(dǎo)下展開了研究。包括政府保證的額度在內(nèi)，美國準(zhǔn)備向可再生能源等綠色產(chǎn)業(yè)投入 1000億美元的資金，力爭在2020年之前將溫室氣體比2005年削減14%。這一目標(biāo)的實現(xiàn)要依靠節(jié)能、可再生能源及環(huán)保汽車(插電混合動力車)為主力軍，而作為可為此提供依托的基礎(chǔ)設(shè)施，智能電網(wǎng)被寄予了厚望。 　　對標(biāo)準(zhǔn)的掌控
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恩智浦射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶上海 人才招聘進行中

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發(fā)的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市開設(shè)兩家恩智浦高性能射頻(RF)產(chǎn)品技術(shù)中心。中心主要從事射頻/微波集成電路(IC)設(shè)計，涉及領(lǐng)域包括國防航空、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)衛(wèi)星接收器及寬帶通信中等。其中，于年內(nèi)第一季度成立的上海恩智浦高性能射頻產(chǎn)品技術(shù)中心主要關(guān)注從射頻前端到末級放大器的射頻器件設(shè)計開發(fā)、技術(shù)支持、售后服務(wù)等一條龍全方位射頻解決方案。目前上海公司市場部、技術(shù)部人才招聘正在進行。 　　
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iMouse多功能空中鼠標(biāo)

  • 本文設(shè)計并實施了一款基于最新MEMS(微電子機械系統(tǒng))技術(shù)的可以空中使用的鼠標(biāo)產(chǎn)品，以滿足當(dāng)前計算機快速家電化、娛樂化的需求。本設(shè)計集成了先進的微電子機械系統(tǒng)技術(shù)(MEMS)、2.4G低功耗無線射頻通信技術(shù)(2.4G/RF)、USB接口技術(shù)以及實時多任務(wù)操作系統(tǒng)uC/OS技術(shù)。本產(chǎn)品可以讓鼠標(biāo)脫離桌面環(huán)境，方便易用，讓用戶獲得家電化的計算機操作體驗，是一款真正“可以飛的鼠標(biāo)”。同時，其所用的技術(shù)還可以滲透到其他傳統(tǒng)的遙控器中，以大幅提升用戶體驗。
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瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

  • 　　瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。 　　在So
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Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議 共同開拓新技術(shù)

  • 　　全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會SEMATECH和先進無線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進CMOS技術(shù)進一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設(shè)計公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的研發(fā)項目，共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術(shù)。
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0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計

  • 本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環(huán)增益，62°的相位裕度，高達138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
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TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

  • 用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
    R=端接電阻的有效值
    VHI=高電平輸出（通常等于VT）
    VLO=低電平輸出
    VEE=輸出晶體管的射極（或源極
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端到端網(wǎng)絡(luò)流的介紹

  • 　　端到端網(wǎng)絡(luò)流的介紹 　　NI端到端網(wǎng)絡(luò)(P2P)流技術(shù)使用PCI Express接口在多個設(shè)備之間直接，點對點傳輸，而不必通過主處理器或存儲器。這可使同一個系統(tǒng)中的設(shè)備共享信息而不必占用其它的系統(tǒng)資源。NI P2P技術(shù)被以下設(shè)備支持：PXI Express NI FlexRIO現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)模塊(NI PXIe-7961R, PXIe-7962R, and PXIe-7965R)，PXI Express數(shù)字化儀和矢量信號分析儀，包括NI PXIe-5122，PXIe-5622和 PXI
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高線性度設(shè)計的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

  • 引言
    本文采用±5V電源，設(shè)計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好的使用
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CMOS雙向開關(guān)工作原理

  • CMOS雙向開關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優(yōu)良，使用方便且成本低。每個開關(guān)只有一個控制端和兩互為輸入/輸出信號端，
  • 關(guān)鍵字： CMOS  開關(guān)  工作原理    

基于BLF888設(shè)計的500W RF廣播發(fā)射方案

  • BLF888是500W LDMOS RF功率晶體管，用于廣播發(fā)射和工業(yè)應(yīng)用。在UHF頻帶470 MHz 到860 MHz可提供平均功率110W，峰值包絡(luò)功率500W，功率增益19dB，漏極效率46%，VDS 電壓50 V，漏極靜態(tài)電流1.3A。本文主要介紹了BLF888
  • 關(guān)鍵字： 廣播  發(fā)射  方案  RF  500W  BLF888  設(shè)計  基于  

基于MAX19994A設(shè)計的雙路RF下變換方案

  • MAX19994A是雙路RF下變換器,RF范圍從1200MHz到2000MHz,LO范圍從1450MHz 到 2050MHz,IF范圍從50MHz到500MHz,典型的轉(zhuǎn)換增益為8.4dB,典型的噪音為9.8dB,輸入IP3典型值為+25dBm,輸入1dB壓縮點為+14dBm,單電源5.0V 或3.3
  • 關(guān)鍵字： 變換  方案  RF  雙路  MAX19994A  設(shè)計  基于  

智能化電能計量技術(shù)提升能效，讓世界變得更環(huán)保

  • 引言我們都很熟悉那些隱藏在車庫、地下室或其它隱蔽之處的電表了。我們甚至可能每月會檢查它一次或...
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CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機”夢受阻

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： PA  砷化鎵  CMOS  單芯片手機  SiCMOS  

imec中國成立 與華力合作項目正式簽約

  • 　　5月25日，imec中國正式在上海張江高科技園區(qū)成立。同時，與華力微電子在先進芯片制程工藝技術(shù)上的合作開發(fā)項目也正式簽約。 　　imec與中國的合作已有十年的歷史，隨著中國在先進制程上的不斷投入，中國已經(jīng)成為imec潛在的一個重要市場。imec中國今后將會進一步加強與中國企業(yè)、高校和科研院所在微電子技術(shù)轉(zhuǎn)讓與許可、聯(lián)合研發(fā)以及培訓(xùn)等領(lǐng)域的合作。目前imec中國只有五名員工，隨著今后越來越多的合作協(xié)議的簽訂，imec中國將會吸引更多的研發(fā)人員與當(dāng)?shù)仄髽I(yè)展開更加緊密地合作。 　　imec中國成立當(dāng)天，
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