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ISM-RF PCB布局 寄生效應
高功率射頻(RF)功率晶體管領域全球領導者飛思卡爾半導體公司日前推出六款新的Airfast RF功率解決方案，專為2.3/2.6 GHz頻段的TD-LTE基站設計。
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飛思卡爾 RF Airfast 201307
從傳送出第一筆無線電波之后，工程師就持續(xù)發(fā)明新方法，以優(yōu)化電磁微波訊號。RF 訊號已廣泛用于多種應用，其中又以無線通信與 RADAR 的 2 項特殊應用正利用此常見技術。就本質而言，此 2 項應用的獨到之處，即是利用電磁波的空間維度 (Spatial dimension)。
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電磁波 RF 分析器
過去，RF研發(fā)人員在高性能接收器設計中使用無源下變頻混頻器取得了較好的整體線性指標和雜散指標。但在這些設計中使用分立的無源混頻器也存在一些缺點。
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Maxim RF 無源混頻器
在滿足宏蜂窩基站性能要求的前提之下，集成度究竟能夠達到多高? 工藝技術仍然限定某些重要的功能部件必須采用特殊工藝來制造：在射頻 (RF) 領域采用GaAs 和 SiGe 工藝，高速 ADC 采用細線 CMOS 工藝，而高品質因數 (High-Q) 濾波器則無法采用半導體材料很好地實現。此外，市場對于提高集成度的需求并沒有停止。
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凌力爾特 RF UMTS LTM9004
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數模電路 PCB設計 RF 回損
RF電路板設計最重要的是不該有信號的地方要隔離信號，而該有信號的地方一定要獲得信號。這就要求我們有意識地采取措施，確保信號隔離于其路徑適當的部位。音調、信號、時鐘及其在電路板上任何地方生成的所有諧波都可能作為寄生信號混入輸出信號，甚至可能會進入混頻器和轉換器進而被轉換、反映并混淆為寄生信號。
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RF 電路板
有機材質在顯示領域已經應用了多年(比如AMOLED)，相比傳統(tǒng)的非有機材質，它的色彩表現更加鮮艷，并且具有廣視角、高對比度等優(yōu)勢。本周富士、松下聯合宣布了他們共同打造的有機CMOS傳感器，將有機材料首次應用到CMOS傳感器上。
傳統(tǒng)影像傳感器一般由硅光電二極管、金屬連接層、分色濾鏡以及微透鏡等結構組成，而富士、松下聯合研發(fā)的這種有機CMOS傳感器使用高吸收率的有機材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅光電二極管，感光層厚度減小至0.5微米。
據了解，這種新型有機CMOS傳感器在性能和有諸多提升和改進，比如動態(tài)范
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CMOS 傳感器
隨著人們生活水平的提高和人口老齡化的發(fā)展，對醫(yī)療器械的創(chuàng)新發(fā)展也提出了更高要求，而半導體技術在醫(yī)療設備創(chuàng)新方面發(fā)揮著重要作用。安森美半導體身為推動高能效創(chuàng)新的半導體廠商，其多款醫(yī)療半導體產品居于領先地位，例如用于助聽器的數字信號處理(DSP) SoC的市場份額高居全球第一。
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安森美 DSP CMOS
晶圓代工大廠聯電(UMC)日前與IBM 共同宣布，聯電將加入IBM技術開發(fā)聯盟，共同開發(fā)10納米CMOS制程技術。聯電與IBM兩家公司此次的協議，拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協議。
擁有IBM的支援與know-how，聯電將可持續(xù)提升其內部自行研發(fā)的14納米FinFET 技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優(yōu)化技術。雙方計劃開發(fā) 10納米制程基礎技術，以滿足聯電客戶的需求。聯電將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納
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聯電 CMOS
東京 – 東芝公司(東京: 6502)日前宣布了對于具有小面積低功率像素讀出電路的CMOS圖像傳感器的開發(fā)進展。 內置讀出電路的樣品傳感器性能是傳統(tǒng)傳感器的兩倍。(1)東芝于2月20日在加州舊金山舉行的 ISSCC 2013(美國電氣和電子工程師學會(IEEE)主辦的國際固態(tài)電路研討會)會議上對該產品的開發(fā)進展進行了介紹。
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東芝 CMOS 傳感器
全球領先的全套互連產品供應商Molex公司宣布推出一款專門設計的高性能連接器系統(tǒng)，使得視頻、商業(yè)廣播和電信行業(yè)的PCB開發(fā)人員能夠通過單一組件形式插配電路板傳送多種RF信號，同時考慮空間約束。RF DIN 1.0/2.3模塊化背板系統(tǒng)具有獨特的凸起膠殼設計，能夠達到最多10個端口的擴展能力，從而增強直角PCB插配靈活性。
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Molex 連接器 RF
TTL電平：輸出高電平〉2.4V輸出低電平〈0.4V在室溫下，一般輸出高電平是3.5V輸出低電平是0.2V。最小輸入...
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CMOS 電平 電路
（1）使用TTL集成電路注意事項 ?、賂TL集成電路的電源電壓不能高于＋5.5V使用，不能將電源與地顛倒錯接，否則將會因 ...
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CMOS 集成電路
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CMOS MEMS RF前端 雙工器
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