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rf mems 文章 最新資訊

射頻（RF）基本理論

  • 1. 什么是射頻？射頻簡稱RF，是高頻交流變化電磁波的簡稱。電磁波其實就是比較熟悉的概念了，依據(jù)麥克斯韋的電磁場理論：振蕩的電場產(chǎn)生振蕩的磁場，振蕩的磁場產(chǎn)生振蕩的電場，電磁場在空間內(nèi)不斷向外傳播，形成了電磁波。下圖可以大致體現(xiàn)體現(xiàn)這個過程，E代表電場，B代表磁場。在軸上同一位置的電場、磁場的相位和幅度均會隨著時間發(fā)生變化。通常情況下，射頻（RF）是振蕩頻率在300KHz-300GHz之間的電磁波的統(tǒng)稱，被廣泛應(yīng)用于雷達和無線通信。2. 射頻基本特征為了描述給定射頻信號，可以從頻率、波長、幅度、相位四個角
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MEMS行業(yè)迎來新篇章xMEMS市場部副總裁Mike對話行業(yè)媒體

  • 2024年9月10日，半導(dǎo)體音頻解決方案公司xMEMS在深圳的“xMEMS Live – Asia 2024”技術(shù)研討會成功舉辦，現(xiàn)場參會人員對xMEMS的技術(shù)應(yīng)用、行業(yè)情況等進行了精彩的討論，帶來了眾多極具價值的觀點。MEMS行業(yè)的發(fā)展前景廣闊，MEMS技術(shù)廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)場景、汽車電子等領(lǐng)域。技術(shù)創(chuàng)新正在不斷推動MEMS行業(yè)發(fā)展，帶來了全新的機會。作為MEMS行業(yè)的知名企業(yè)，xMEMS一直致力于MEMS技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用，其每一步動作都值得行業(yè)關(guān)注。在這次技術(shù)研討會上，xMEMS推出了Cypre
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MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇

  • 文章概述  本文將詳細(xì)討論脈沖密度調(diào)制 (PDM) 和集成電路內(nèi)置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口，簡介它們的獨特特性以及在系統(tǒng)設(shè)計時的優(yōu)缺點。工程師具體選擇哪一種，將取決于對兩種技術(shù)的研究，并要了解哪種協(xié)議對于特定應(yīng)用更適合。具體要考慮的幾個關(guān)鍵因素包括：音質(zhì)功耗物料成本設(shè)計的空間限制硬件的運行環(huán)境如果您在MEMS 麥克風(fēng)的數(shù)字輸出接口選擇上有需求，相信本文會有所幫助。麥克風(fēng)用在嵌入式系統(tǒng)中已經(jīng)有很多年了。自其誕生以來，由于家居、汽車和可穿戴設(shè)備中基于語音的應(yīng)用范圍
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利用噪聲系數(shù)度量分析射頻電路中的噪聲

  • 關(guān)于射頻模擬設(shè)計中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數(shù)度量，包括本規(guī)范的關(guān)鍵方面。除了一些特定的應(yīng)用，例如，當(dāng)需要抖動效果時，噪聲通常是一種不想要的現(xiàn)象?？茖W(xué)家和工程師已經(jīng)表征了不同電路元件產(chǎn)生的噪聲，并開發(fā)了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設(shè)計中，我們通常將噪聲效應(yīng)建模為輸入?yún)⒖荚肼曤妷汉碗娏髟?。然而，在射頻（RF）設(shè)計中，噪聲系數(shù)度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數(shù)度量，強調(diào)該規(guī)范的一些微妙之處，最后看一個例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設(shè)計中的噪聲分析我們通常用
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單級小信號 RF 放大器設(shè)計

  • 本文要點：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設(shè)計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會放大它們接收到的輸入信號?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時，施加在輸入端子上的輸入信號會使輸出電流出現(xiàn)波動。波動的輸出電流流過輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態(tài)工作點相比）輸出電流波動較小，它們稱為
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拜登-哈里斯政府宣布與惠普達成初步條款，以支持尖端半導(dǎo)體技術(shù)的開發(fā)和商業(yè)化

  • 擬議的投資將支持現(xiàn)有園區(qū)的擴建和現(xiàn)代化，并創(chuàng)造 250 多個制造和建筑工作崗位
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基于ST ASM330LHH MEMS Sensor系列的智能座艙高精度慣性導(dǎo)航方案

  • 隨著汽車輔助駕駛和無人駕駛的發(fā)展，慣性導(dǎo)航越來越成為不可或缺的技術(shù)需求。在城市密集的高樓大廈下、復(fù)雜的高架下、冗長的地下隧道里，GPS信號因為受到遮擋和干擾，提供不了導(dǎo)航服務(wù)。這時候高精度的慣性導(dǎo)航就能很好彌補GPS信號丟失的不足，保證正常的導(dǎo)航行程。慣性導(dǎo)航IMU的核心是慣性傳感器，當(dāng)慣性導(dǎo)航IMU安裝在車輛上時，它可以通過測是車輛運動的加速度和角速度來計算車輛的位移和方位角。 能夠填補GPS信號丟失的空白，為車輛提供高精度定位，確保車輛行駛安全。ST汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH系列，為先進的
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RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？

  • 在采樣速率和可用帶寬方面，當(dāng)今的射頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(RF ADC)已有長足的發(fā)展，其中還納入了大量數(shù)字處理功能，電源方面的復(fù)雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò)。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)

  • 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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博世推出堅固耐用的高能效四合一 MEMS 室內(nèi)空氣質(zhì)量傳感器

  • ※? ?四合一?MEMS?傳感器采用緊湊封裝，可精準(zhǔn)測量氣體、濕度、溫度和氣壓?！? ?與上一代產(chǎn)品相比，功耗最多可降低?50%，是電池供電設(shè)備的理想之選?！? ?完全符合?WELL?和?RESET?室內(nèi)空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，確保一流的監(jiān)測性能?！? ?更堅固耐用，可在冷凝水平較高的環(huán)境中使用?？諝獾馁|(zhì)量與清潔度對于健康而言至關(guān)重要。我們平均約有?90%&
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生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒

  • 最新一代人工智能或?qū)㈤_啟新一輪科技革命，全面提升各種人機交互體驗。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來深刻變化?；谌斯ぶ悄艿奈谋竞蛨D像生成工具可以創(chuàng)建出令人難以置信的內(nèi)容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺和文字媒介，伸向語音轉(zhuǎn)文字（STT）和自然語言處理（NLP）等音頻應(yīng)用，展現(xiàn)出巨大潛力。然而，音頻應(yīng)用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語言模型的生成式人工智能？還是說硬件依然功不可沒？就拿高信噪比（SNR）微機電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)來說，它為實現(xiàn)這種必將改變?nèi)藗內(nèi)粘Ｉ畹男沦|(zhì)人機交互
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純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)

  • 6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項目啟動

  • 據(jù)賽微電子消息，近日，2023年度國家重點研發(fā)計劃“智能傳感器”重點專項“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項目啟動暨實施方案論證會在北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)召開。該項目由賽微電子控股子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司牽頭，聯(lián)合武漢大學(xué)、蘇州大學(xué)、中國科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、武漢敏聲新技術(shù)有限公司、北京智芯微電子科技有限公司、成都纖聲科技有限公司、上海矽?？萍脊煞萦邢薰镜葐挝还餐瑢嵤?。資料顯示，賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司專業(yè)從事半導(dǎo)體晶
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意法半導(dǎo)體通過全新的一體化MEMS Studio桌面軟件解決方案提升提升傳感器應(yīng)用開發(fā)者的創(chuàng)造力

  • 意法半導(dǎo)體的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評估開發(fā)工具，與STM32微控制器生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)系密切，支持Windows、MacOS和?Linux操作系統(tǒng)。從評估到配置和編程，通過整合統(tǒng)一傳感器開發(fā)流程，MEMS Studio?可以加快傳感器應(yīng)用軟件開發(fā)，簡化在開發(fā)項目中增加豐富的情境感知功能。增強的功能有助于應(yīng)用輕松獲取傳感器數(shù)據(jù)，并清晰地顯示可視化的傳感器數(shù)據(jù)，方便開發(fā)者探索傳感器工作模式，優(yōu)化傳感器性能和測量準(zhǔn)確度。軟件包中還有預(yù)構(gòu)建庫測試工具，以及方便的鼠
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為何在RF設(shè)計中理解波反射非常重要？

  • 在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設(shè)計的電路之間的關(guān)鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設(shè)計可采用多種波長的尺寸，導(dǎo)致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設(shè)計和分析提供了一些基礎(chǔ)的核心原理特性?；靖拍詈托g(shù)語假設(shè)以任意負(fù)載端接傳輸線路（例如同軸電纜或微帶線），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負(fù)載端接匹配信號源的傳輸線路。這些波量是入射到該負(fù)載并從該負(fù)載反射的電壓波的復(fù)振幅。我們現(xiàn)在可以使用這些量來定義電壓反射系數(shù)Γ，它描述了反射波的復(fù)振幅與入射波復(fù)振幅的比值：反射系數(shù)也可以
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