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psrr ldo 文章 最新資訊

基于LDO的開關(guān)電源設計

  • 電源是各種電子設備必不可缺少的組成部分，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設備的技術(shù)指標及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關(guān)電源兩大類，由于開關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開關(guān)狀態(tài)，本
  • 關(guān)鍵字： 設計  開關(guān)電源  LDO  基于  

LDO成熟期 恩智浦打造切入點

  • ??????? LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）發(fā)展至今已經(jīng)成為一個成熟的器件。根據(jù)經(jīng)濟發(fā)展規(guī)律，成熟產(chǎn)業(yè)必定要走一條向下的路線，走向夕陽，在這個創(chuàng)新無處不在的時代，著眼朝陽產(chǎn)業(yè)才是獲得豐厚利潤的源泉，而在這個時間點，恩智浦選擇切入LDO領域，理由何在？ ?
  • 關(guān)鍵字： NXP  LDO  智能手機  

恩智浦推出采用小型晶圓級CSP封裝的最佳性能LDO

  •         恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器（LDO）開始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性，在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝 （WLCSP），所占用的電路板空間極小，是設計尺寸有限且對電池壽命要求極高的移動設備的理想之選。手機電池的放電幾乎與時
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鎖相環(huán)（PLL）的電源管理設計

  • 本文討論圖1所示的基本PLL方案，并考察每個構(gòu)建模塊的電源管理要求。圖1.顯示各種電源管理要...
  • 關(guān)鍵字： 電源管理  VCO  LDO  濾波    

恩智浦推出采用小型晶圓級CSP封裝的LDO

  • 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器(LDO)開始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性，在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝 (WLCSP)，所占用的電路板空間極小，是設計尺寸有限且對電池壽命要求極高移動設備的理想之選。
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RF電路中穩(wěn)壓器的PSRR和噪聲

  • LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器，它具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低壓差線...
  • 關(guān)鍵字： LDO  PSRR  RF電路  

如何用綠色LED取代LDO穩(wěn)壓器

  • 在系統(tǒng)中，微控制器必須與在不同的電源電壓運作外圍設備進行通信。這種設計思路，介紹了如何為低功率負載，一個...
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低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設計

  • 1 引言　　隨著集成電路規(guī)模的發(fā)展， 電子設備的體積、重量和功耗越來越小， 這對電源電路的集成化、小型化及電源管理性能提出了越來越高的要求。而隨著片上系統(tǒng)（ SOC） 的不斷發(fā)展， 單片集成的LDO 線性穩(wěn)壓器的應
  • 關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓  電路設計  線性  LDO  寬頻  功耗  

一種低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設計

  • 　摘要：設計了一種用HHNEC 0.35mu;mBCD 工藝實現(xiàn)的LDO 線性穩(wěn)壓器， 該LDO 是一款低功耗，帶寬大的低壓差線性穩(wěn)壓器。對其結(jié)構(gòu)和工作原理進行分析， 討論了關(guān)鍵電路的設計， 模擬結(jié)果驗證了設計的正確性?！　? 引
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一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設計

  • 摘要：設計了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡在LDO輸出端引入零點，補償誤差放大器輸出極點的方法，避免了為補償LDO輸出極點，而需要大電容或復雜補償
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安森美半導體推出5款新集成器件

  • 　　應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出5款新的低壓降(LDO)及超低壓降線性穩(wěn)壓器，用于寬范圍汽車應用，如后視攝像頭模塊、儀表組合、車身及底盤應用。這些新器件以節(jié)省空間的集成方案提供150毫安(mA)輸出電流，符合汽車制造商對點火系統(tǒng)關(guān)閉時極低靜態(tài)電流的最新要求。 　　· NCV8667 – 極低靜態(tài)電流(Iq)穩(wěn)壓器，帶啟用(Enable)、復位及預警(Early Warning)功能 　　·
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選擇旁路電容很重要

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關(guān)鍵字： 旁路電容  LDO  多層陶瓷電容  

影響手機音頻質(zhì)量的PSRR和電源噪聲

  • 中心議題：分析影響手機音頻質(zhì)量的PSRR分析影響手機音頻質(zhì)量的電源噪聲解決方案：在輸入電壓變化時以較...
  • 關(guān)鍵字： PSRR  電源噪聲  

LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應用

  • LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應用,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式  存儲器  應用  StrataFlash  電路  線性  調(diào)節(jié)器  LDO  
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