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pc-dram 文章 最新資訊

SK海力士將向英偉達供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM

  • SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片，從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現(xiàn)加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領(lǐng)導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內(nèi)存
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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利基型DRAM持續(xù)擴產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙

  • 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產(chǎn)，為長遠發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn)，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預期
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三星推出512GB 內(nèi)存擴展器CXL DRAM

  • 2022年5月10日 ，作為先進內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內(nèi)存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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英特爾推動PC行業(yè)可持續(xù)發(fā)展，攜手合作伙伴減少碳排放

  • 英特爾最近宣布了推動實現(xiàn)溫室氣體凈零排放的愿景，并設(shè)定了促進科技行業(yè)減少碳足跡的新目標。為支持這一愿景，臺式機、工作站和游戲(DWG)部門將持續(xù)改進產(chǎn)品和平臺的性能與效率，幫助合作伙伴和客戶降低系統(tǒng)總體碳足跡。近日，英特爾臺式機和工作站可持續(xù)發(fā)展技術(shù)專家Kathleen Fiehrer撰文，闡述英特爾的可持續(xù)發(fā)展承諾及相應(yīng)舉措。DWG當前正在努力降低臺式機、塔式工作站等固定式產(chǎn)品的碳足跡，這項工作頗為不易。碳足跡模型顯示，筆記本電腦系統(tǒng)的排放主要來自制造階段，服務(wù)器排放則主要來自運營階段。然而，固定式產(chǎn)品
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未來PC和數(shù)據(jù)中心處理器將基于移動設(shè)計原則

  • 多年來，移動處理器的生產(chǎn)商致力于優(yōu)化設(shè)計，以在有限的功耗預算、存儲空間和帶寬范圍內(nèi)獲得最佳性能。過去，顯然這些考量因素在數(shù)據(jù)中心或個人電腦（PC）等市場并未得到重視。如今，傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心和PC市場的變革正在悄然發(fā)生——改變處理器設(shè)計規(guī)則，讓開發(fā)人員重新考慮其芯片架構(gòu)以獲得更高的性能功耗比。移動處理器設(shè)計原則運用于PC和數(shù)據(jù)中心今天，越來越多的云游戲、數(shù)據(jù)挖掘、人工智能/數(shù)據(jù)分析和高性能計算均在云端實現(xiàn)。雖然這些應(yīng)用的要求各不相同，但在不斷提高計算量的要求方面如出一轍。數(shù)據(jù)中心無法通過不斷擴大物理占地面積來滿
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第二季度DRAM跌幅估縮小

  • 根據(jù)市調(diào)預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務(wù)器DR
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用

  • 今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
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從實用角度聊聊 Wintel為何還是勝過蘋果一籌

  • 大家可以試著考慮一個問題，如果從實用性角度來看，英特爾11代酷睿+Windows 11是否更勝蘋果M1+MacOS一籌呢？對于我個人以及身邊不少朋友來說確實如此。無論是在兼容性、易用性，還是在拓展性、泛用性方面，基于英特爾11代酷睿+Windows 11的電腦都更容易上手，使用起來也無需擔心兼容性問題。作為一名11代酷睿+Windows和蘋果M1+MacOS雙修的打工人，我個人對此深有感觸。而如果你正在為此事而煩惱、正在為選擇哪個陣營而糾結(jié)，那么不妨來看看這篇文章。筆者現(xiàn)在自用的筆記本電腦有兩臺，
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英特爾發(fā)布新PC芯片 預期研發(fā)的超算速度將翻倍

  • 　　10月28日消息，據(jù)外媒報道，美國當?shù)貢r間周三，芯片巨頭英特爾發(fā)布了一款速度更快的新個人電腦（PC）處理器芯片系列，并稱其正在幫助美國政府開發(fā)的超級計算機速度將達到先前預期的兩倍?！　≡谳斀oAMD和蘋果等競爭對手后，英特爾正在努力奪回制造速度最快計算芯片的領(lǐng)先地位。蘋果和AMD都使用外包方式來制造芯片，而英特爾始終在內(nèi)部制造模式中苦苦掙扎?！　≡谥荚谡f服軟件開發(fā)商為其芯片編寫代碼的活動上，英特爾展示了其用于PC的第12代英特爾酷睿芯片，代號為“奧爾德湖”(Alder Lake)。該公司表示，該產(chǎn)品線最
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

  • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點導入

  • 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預
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TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉(zhuǎn)跌0~5%

  • 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
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三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

  • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案。　　但事實證明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程

  • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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