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Nexperia推出全新汽車級(jí)CFP2-HP二極管,進(jìn)一步擴(kuò)展銅夾片粘合FlatPower封裝二極管產(chǎn)品范圍

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布推出適用于電力應(yīng)用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標(biāo)準(zhǔn)版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項(xiàng)），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對(duì)要求超快速恢復(fù)的應(yīng)用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。在現(xiàn)代汽車架構(gòu)中，
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Nexperia推出全新汽車級(jí)CFP2-HP二極管

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出適用于電力應(yīng)用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標(biāo)準(zhǔn)版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項(xiàng)），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對(duì)要求超快速恢復(fù)的應(yīng)用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。  在現(xiàn)
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Nexperia推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導(dǎo)通內(nèi)阻、邏輯控制電平MOSFET，應(yīng)用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應(yīng)用而設(shè)計(jì)并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)技術(shù)
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Nexperia公布2021年?duì)I收數(shù)據(jù)

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日公布2021年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)，數(shù)據(jù)顯示公司在所有領(lǐng)域均實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。這家半導(dǎo)體制造公司專門供應(yīng)分立器件、功率器件和邏輯IC，2021年總營(yíng)收同比增長(zhǎng)49%，達(dá)到21.4億美元。這意味著Nexperia的業(yè)績(jī)表現(xiàn)優(yōu)于整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)，公司市場(chǎng)份額得以提高1%，達(dá)到9.4%。 過去五年，Nexperia的制造能力不斷提升，目前已經(jīng)處于行業(yè)前沿，完全符合汽車行業(yè)的最高標(biāo)準(zhǔn)，且能提供全面的產(chǎn)品組合。Nexperia首席財(cái)務(wù)官Stefan Tilger表示：“我們公司自
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Nexperia繼續(xù)擴(kuò)充采用小型DFN封裝、配有側(cè)邊可濕焊盤的分立器件產(chǎn)品

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅(jiān)固耐用，節(jié)省空間，有助于滿足下一代智能電動(dòng)汽車的應(yīng)用需求。Nexperia的所有產(chǎn)品系列都符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，包括： ·       采用DFN1110D-3封裝的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三極管?！?nbsp;&nbs
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Nexperia正式啟動(dòng)全新達(dá)拉斯設(shè)計(jì)中心

  • Nexperia近日宣布，其位于德州達(dá)拉斯的全新設(shè)計(jì)中心正式啟動(dòng)。值此成為獨(dú)立實(shí)體五周年之際，這一舉措標(biāo)志Nexperia朝著2030年成為全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)的既定目標(biāo)又邁出了重要的一步。達(dá)拉斯設(shè)計(jì)中心是Nexperia在北美地區(qū)設(shè)立的第一家研發(fā)機(jī)構(gòu)，專注于開發(fā)模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換和電源管理IC。新研發(fā)中心由Nexperia電源和信號(hào)轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Irene Deng領(lǐng)導(dǎo)，她表示：“達(dá)拉斯設(shè)計(jì)中心代表了公司的一個(gè)關(guān)鍵里程碑，一方面是因?yàn)樗w現(xiàn)了Nexperia在北美推進(jìn)研究工作的決心，另一方面它還將助力N
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Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真，并在原型設(shè)計(jì)前對(duì)電熱及EMC性能進(jìn)行評(píng)估。模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源，工程師此
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Nexperia迎來獨(dú)立公司成立五周年慶典，未來將繼續(xù)大展宏圖

  • Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨(dú)立實(shí)體進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)五周年。Nexperia仍是一個(gè)較為年輕的品牌，但憑借過去幾十年在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域樹立的良好口碑和強(qiáng)勁表現(xiàn)，經(jīng)過五個(gè)春秋的不懈努力，已經(jīng)在市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟。 回望2017年成立之初，Nexperia秉持滿懷激情和專業(yè)精深的精神積極打造創(chuàng)新產(chǎn)品，既滿足了客戶需求，也實(shí)現(xiàn)了與客戶的共同成長(zhǎng)。  五年來，Nexperia展現(xiàn)了種種前瞻性理念和業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)，推出引領(lǐng)市場(chǎng)的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)業(yè)界先進(jìn)水平的產(chǎn)能開發(fā)，可在持續(xù)滿足嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
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Nexperia50μA齊納二極管可延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間，節(jié)省PCB空間

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩(wěn)壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項(xiàng)，采用超小型分立式扁平無引腳(DFN)封裝以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件，為客戶提供了更多選擇和靈活性。這些高效率二極管采用在低測(cè)試電流(50μA)下的性能工作，非常適合移動(dòng)、可穿戴、汽車和工業(yè)應(yīng)用中的低偏置電流和便攜式電池供電設(shè)備。 Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封裝器件配有可濕錫焊接側(cè)側(cè)邊可濕錫
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Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管，可提供高精度基準(zhǔn)電壓

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準(zhǔn)電壓。這兩個(gè)系列不僅可以滿足日漸增長(zhǎng)的移動(dòng)便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應(yīng)用，提供高精度、低容差基準(zhǔn)電壓
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對(duì)于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項(xiàng)戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級(jí)器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia表面貼裝器件通過汽車應(yīng)用的板級(jí)可靠性要求

  •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布，公司研發(fā)的表面貼裝器件-銅夾片F(xiàn)latPower封裝CFP15B首次通過領(lǐng)先的一級(jí)供應(yīng)商針對(duì)汽車應(yīng)用的板級(jí)可靠性 (BLR)測(cè)試。該封裝將首先應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元。 BLR是一種評(píng)估半導(dǎo)體封裝堅(jiān)固性和可靠性的方法。測(cè)試遵循極為嚴(yán)格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽車應(yīng)用中具有重要的指導(dǎo)意義。隨著汽車行業(yè)向電動(dòng)和車聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)型，車載電子系統(tǒng)越來越復(fù)雜，因此該認(rèn)證至關(guān)重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產(chǎn)品經(jīng)理Guido S?h
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Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會(huì)議。鑒于去年首屆活動(dòng)取得圓滿成功，本屆為期三天的活動(dòng)將擴(kuò)大規(guī)模，涵蓋與功率電子元件相關(guān)的眾多主題，包括面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。 會(huì)議重點(diǎn)將包括：l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并降低在設(shè)計(jì)過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險(xiǎn)。 l
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Nexperia再度蟬聯(lián)博世全球供應(yīng)商大獎(jiǎng)

  •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia非常榮幸地宣布，公司榮獲博世全球供應(yīng)商榮譽(yù)大獎(jiǎng)“采購直接材料 - 移動(dòng)解決方案”。連續(xù)兩次獲得這一殊榮足以證明Nexperia與全球領(lǐng)先的技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商博世已建立長(zhǎng)期協(xié)作關(guān)系，包括合作進(jìn)行早期階段的產(chǎn)品開發(fā)，以應(yīng)對(duì)汽車行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。 博世供應(yīng)鏈管理主管Arne Flemming博士表示：“博世全球供應(yīng)商大獎(jiǎng)旨在表彰全球各地的最佳供應(yīng)商。作為開發(fā)和創(chuàng)新領(lǐng)域的合作伙伴，他們?cè)趲椭┦辣３指?jìng)爭(zhēng)力方面發(fā)揮了重要作用?！?每隔兩年，博世會(huì)從全球各地的供應(yīng)商中挑
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適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET

  • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本?；A(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強(qiáng)了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動(dòng)應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場(chǎng)景。通過專注于對(duì)某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時(shí)需要犧牲相同設(shè)計(jì)中其他較不重要的參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
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