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Nexperia推出能源采集PMIC,以加速開發(fā)環(huán)境友好型能源自主式低功耗器件

- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出能量采集解決方案,進一步豐富其電源管理IC系列。該方案可簡化低功耗物聯(lián)網(IoT)及其嵌入式應用,并增強應用性能。NEH2000BY是高性能電源管理集成電路(PMIC),可從環(huán)境中收集能源(例如借助光伏電池采集光能),并給電池或儲能電容充電。憑借此特性,Nexperia的NEH2000BY可為開發(fā)體積更小、更環(huán)保的自供電式電子設備提供支持。此外,該能源采集解決方案還有助于減輕每年生產和廢棄的數(shù)十億電池對環(huán)境的影響。 NEH2000BY 可幫助簡化能源采集
- 關鍵字: Nexperia PMIC 低功耗器件
Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET),該系列產品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝,且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優(yōu)化,可在175°C下工作,適用于先進的電信和計算設備。 憑借數(shù)十年開發(fā)先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識,Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE(100 V,2.3 m N溝道ASFET)作為其產品組合中的首選,
- 關鍵字: Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET
了解RET的開關特性

- 可通過基極電流開啟或關閉雙極結型晶體管(BJT)。但是,由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度,因而在許多應用中,需要一個串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平,從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。閱讀本文,了解如何使用RET來應對標準BJT的溫度依賴性。為了減少元器件數(shù)量、簡化電路板設計,配電阻晶體管將一個或兩個雙極性晶體管與偏置電阻組合在一起,集成在同一個晶片上。替代方案包括在基極-發(fā)射極路徑上并聯(lián)第二個集成電阻,以創(chuàng)建用于設置基極電壓的分壓器。這可以提供更精細的微調和更好的關斷特性。由于這些內部
- 關鍵字: Nexperia RET
Nexperia宣布面向高速數(shù)據線的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產品
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產品組合再添新產品,即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶,浪涌抗擾度出眾,出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。 Nexperia高級產品經理Stefan Seider表示:“Nexperia開發(fā)了TrEOS產品組合,專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
- 關鍵字: Nexperia 高速數(shù)據線 TrEOS ESD 保護器件
Nexperia發(fā)布用于汽車和工業(yè)應用的650 V超快恢復整流管

- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布,旗下面向工業(yè)和汽車領域的銅夾片F(xiàn)latPower (CFP)封裝二極管系列產品組合再添新產品。新增產品包括4個采用CFP3和CFP5封裝的650 V、1 A器件,可應用于車載充電器(OBC)和電動汽車逆變器,以及工業(yè)應用中的功率轉換器、PV逆變器和電源。標準產品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5),符合AEC-Q101標準的產品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
- 關鍵字: Nexperia,650 V,超快恢復整流管
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍

- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合,推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合,非常適合用于12V熱插拔應用,包括數(shù)據中心服務器和通信設備。 多年來,Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應用經驗結合起來,增強器件中關鍵MOSFET的性能,滿足特定應用的要求,以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來,針對電池隔離(BMS)、直流
- 關鍵字: Nexperia MOSFET ASFET SOA
Nexperia超低電容ESD保護二極管保護汽車數(shù)據接口

- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其超低鉗位和超低電容ESD保護二極管系列產品組合。該產品組合旨在保護USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽車A/V監(jiān)視器、顯示器和攝像頭等高速數(shù)據線。此外,該產品組合還旨在解決未來高速視頻鏈路以及開放技術聯(lián)盟MGbit以太網應用。 新晉產品包括2引腳單線器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q,采用超緊湊型DFN1006BD-2封裝,同時優(yōu)化了布線靈活性。此外,還有兩款采用DFN1006-3封裝的3引腳
- 關鍵字: Nexperia 超低電容 ESD 保護二極管 汽車數(shù)據接口
Nexperia推出全新電平轉換器以支持傳統(tǒng)和未來的手機SIM卡

- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出其電平轉換器系列的新晉產品:NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可實現(xiàn)下一代低壓手機基帶處理器與用戶身份模塊(SIM)卡的無縫連接。隨著處理器的幾何尺寸向個位數(shù)納米節(jié)點發(fā)展,先進SOC的核心電壓也正逐漸下降。此發(fā)展趨勢導致對電壓轉換器的需求日益增加,以將SOC連接到其他標準處理設備和I/O端口(如傳統(tǒng)的Class B和Class C SIM卡)。 NXT4557GU和NXT4556UP是雙電源轉換器,支持主機處理器側1.08 V至1
- 關鍵字: Nexperia 電平轉換器 手機SIM卡
Nexperia的USB4 ESD二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡

- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出兩款經優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護二極管件,適用于高速數(shù)據線中的重定時器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護USB4 (Thunderbolt)接口而設計,而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術,集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢于一身。 重定時器和信號中繼器是設計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短,從而降低寄生電感,但也會意外地降低整體系統(tǒng)
- 關鍵字: Nexperia USB4 ESD 二極管件
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作

- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系,攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系,此次進一步合作的目標是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應用。隨著客運車輛日益電氣化,市場對功率半導體的要求也在不斷提高,需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉換。高壓功率氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術相結合,可以滿
- 關鍵字: Nexperia KYOCERA 氮化鎵 功率模塊
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