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nand flash 文章 最新資訊

固態(tài)硬盤備受關注

  •   DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出,固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產品,主要是固態(tài)硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內建式應用產品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多,因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。   
  • 關鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  

固態(tài)硬盤備受NAND Flash廠商親賴

  •   固態(tài)硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產品,主要是固態(tài)硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內建式應用產品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多,因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費者的論點來看,固態(tài)硬盤的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤的兩倍以上,同時也兼具了省電與抗震動的特點,因此,DRAMeXchange認為,在未來高畫質影音與大容量檔案傳輸?shù)男枨髮⒋蠓嵘拢瑢τ诠虘B(tài)硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。   
  • 關鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  

美光 NAND 產品獲 HLDS 全球首款具有板載儲存的混合光驅采用

  •   美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布,美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅 (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能,是針對個人計算機、DVD 播放器和藍光產品的綜合解決方案。   美光的 25nm NAND 處理技術提供單一設備中8GB 儲存容量,滿足新應用
  • 關鍵字: 美光  NAND  

Spansion能否卷土重來

  •   高調宣布走出破產保護陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報,公司非GAAP調整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬美元上升至2740萬美元;GAAP凈收入為3.418億美元,與2010 Q1財季相比,仍繼續(xù)保持著穩(wěn)定的財務態(tài)勢。Spansion是否能夠卷土重來?業(yè)界一直存在頗多爭議之聲。日前,該公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation就公司發(fā)展策略、核心業(yè)務、技術趨勢等話題接受了專訪。  
  • 關鍵字: Spansion  NAND  

三星、東芝制程競賽不止

  •   NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱,在產出持續(xù)大幅增加下,10月上旬NAND Flash合約價再度下探,尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達5~7%,低容量芯片價格則是幾乎持平,市場預期日前平板計算機和智能型手機 (Smart Phone)都內建高容量的NAND Flash存儲器,在年底圣誕節(jié)最后一波促銷熱潮之下,有機會提升NAND Flash市場的需求,彌補2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣相不佳的缺憾。  
  • 關鍵字: 三星  NAND  

三星啟動64GB 3位元20納米NAND閃存批產

  •   就在啟動32GB 20nm閃存生產線四個月后,三星確認目前已經(jīng)啟動64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產。   
  • 關鍵字: 三星  NAND  20納米  

NAND Flash價格瀕臨成本線 靜待大廠減產

  •   全球NAND Flash產業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產能持續(xù)開出下,9月下旬合約價續(xù)跌,其中,32Gb芯片合約價下跌5~6%,64Gb芯片大跌 9~10%,模塊廠表示,NAND Flash芯片價格已跌到相當接近各大廠成本線,若價格再跌,恐會讓NAND Flash廠產生虧損,接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補貨需求,帶動NAND Flash價格止跌。   模塊廠表示,近期NAND Flash產品需求比DRAM模塊好一些,DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價跌幅較深,通路商補貨意愿不高,但在NAND Flas
  • 關鍵字: NAND  DRAM  

日元走強 東芝稱仍有望實現(xiàn)芯片業(yè)務獲利

  •   日本最大的芯片制造商——東芝周一表示,盡管日圓走強,但該公司有望實現(xiàn)其在截至明年3月的會計年度,芯片業(yè)務營業(yè)利潤達到12億美元的預估,因新的電子設備熱銷,提高了芯片需求。   東芝芯片業(yè)務主管小林清志表示,因低質產品供應過多,最近NAND芯片現(xiàn)貨價格下降,但這對東芝的影響極小。   NAND閃存芯片需求一直強勁,因受到智能手機和蘋果的iPad等移動設備暢銷所助。   “整體需求強勁成長情況一直符合我們對2010會計年度的預期,而且我們預計中國國慶節(jié),黑色星期五
  • 關鍵字: 東芝  芯片  NAND  

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設計

  • 基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設計,1 引言

    FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
  • 關鍵字: 系統(tǒng)  設計  存儲  嵌入式  FLASH  基于  

2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%

  •   由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高,下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修,然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下,下半年手機成長幅度將領先各項電子產品。也由于智能手機的熱賣,帶動了相關 NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產品的成長。   蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱賣,預估2010年手機出貨量將較2009年成長13%,達到13億支的規(guī)模,而智能手機市場扮演重要
  • 關鍵字: 智能手機  NAND  

2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%

  •   集邦科技表示,由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高,下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修,然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下,下半年手機成長幅度將領先各項電子產品。也由于智能手機的熱 賣,帶動了相關 NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產品的成長。   蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱 賣,集邦科技預估,2010年手機出貨量將較2009年成長13%,達到13億支的
  • 關鍵字: NAND  智能手機  

蘋果效應不再 NAND閃存價格持續(xù)下滑

  •   臺灣媒體報道,來自存儲芯片制造商的消息稱,盡管蘋果的iPhone和iPad銷售火爆,但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價格在9月份上半月的下滑。   蘋果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單,但即便是這樣也很難推動NAND閃存價格的上漲,這倒是違背了此前出現(xiàn)的蘋果與NAND閃存之間的緊密聯(lián)系效應。之前蘋果產品的熱銷往往會導致NAND閃存市場的供不應求。   然而現(xiàn)實是,目前各個渠道的閃存芯片需求依舊微弱,學生返校季和即將到來的內地十一黃金周也很難讓閃存價格反彈。   更有悲觀的
  • 關鍵字: NAND  閃存芯片  

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應用

  • 基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應用, 目前,針對NOR Flash設計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應用;隨著NAND作為大容量存儲介質的普及,基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應用到嵌入式系統(tǒng)中?! ?/li>
  • 關鍵字: 系統(tǒng)  YAFFS  應用  嵌入式  文件  NAND  閃存  基于  

Gartner上調全球半導體營收預期至3000億

  •   Gartner現(xiàn)在預計今年全球半導體營收將達到3000億美元,比去年增長31.5%。它之前預計今年半導體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內的消費者電子產品在半導體銷售中占大多數(shù)份額。手機出貨量持續(xù)增長將推動半導體營收的增長,而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。   Gartner表示,盡管個人電腦銷售速度減慢,但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%,幾乎達到420億美元,但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預
  • 關鍵字: 半導體  DRAM  NAND  
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nand flash介紹

 Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]

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