nand flash 文章最新資訊

三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

　　閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標準規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應(yīng)用。　　現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
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爾必達赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

　　據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進一步合作。　　據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計劃書，經(jīng)濟部正進行審查中。　　官員透露，爾必達來臺設(shè)立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進入實質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器
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亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場強力支撐

　　全球半導(dǎo)體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導(dǎo)體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關(guān)注。　　美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，金融危機爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達2
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SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？

　　編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會關(guān)心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設(shè)備業(yè)看似今年的增長幅度達90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來，因為2010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。　　SEMICON West美國半導(dǎo)體設(shè)備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點紅火。　　按市場調(diào)研公司 VLSI預(yù)計，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長96%
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TMS320C6201 處理器與FLASH存儲器接口設(shè)計

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力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

　　近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。　　事實上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
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TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口設(shè)計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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NAND閃存芯片價格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。　　今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。　　廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
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因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。　　廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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controller_4G08的方案設(shè)計實現(xiàn)了FPGA對Flash的控制

本文設(shè)計了一個Flash控制器controller_4G08，它建立了自己的指令集，可以方便地實現(xiàn)FPGA對Flash的控制和讀寫操作。FPGA主狀態(tài)機可以在系統(tǒng)時鐘頻率下對controller_4G08發(fā)送指令，然后等待controller_4G08返回的中斷
關(guān)鍵字： Flash 控制 FPGA 實現(xiàn) 方案設(shè)計 controller_4G08

華邦：NOR Flash市場缺口達20%

　　華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場供不應(yīng)求的情況仍然嚴重，估計市場缺口約20%，第3季的NOR Flash價格仍會持續(xù)調(diào)漲，甚至對于第4季營運都相當樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波動的影響相對較小。　　華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場缺口約20%，華邦的優(yōu)勢在于質(zhì)量、成本和交期穩(wěn)定。目前對于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平，但預(yù)計這樣的產(chǎn)能水平仍無法滿足客戶需求
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基于FPGA的K9F4G08 Flash控制器設(shè)計

摘要：設(shè)計了一種能使FPGA的主狀態(tài)機直接管理Flash的控制器，該控制器具有自己的指令集和中斷管理方式。...
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基于M25P32 SPI Flash的TFFS設(shè)計與實現(xiàn)

本文對VxWorks下TFFS文件系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)和FTL層的啟動過程、塊映射算法、垃圾回收算法以及用FTL創(chuàng)建DOSFS進行了分析，給出了在M25P32 SPI Flash上創(chuàng)建TFFS文件系統(tǒng)和將TFFS掛在DOSFS的實現(xiàn)方法。通過對TFFS核心層FIL的分析給出的TFFS實現(xiàn)方法，可以從更基礎(chǔ)的層面來認識VxWorks中的TFFS文件系統(tǒng)，從而給TFFS文件系統(tǒng)的問題定位和實現(xiàn)帶來新的方法。
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三星電子擬向其美國芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

　　6月10日消息，據(jù)路透社報道，全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國三星電子周四表示，計劃投資36億美元，擴大其在美國的芯片生產(chǎn)能力。　　三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國得克薩斯州的奧斯汀，此次產(chǎn)能擴增主要是針對生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。　　奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機和數(shù)碼相機的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱，工廠擴產(chǎn)計劃還包括增聘500名員工。
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10個理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)

　　至此，對于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的，而且是有相當大的增長。　　但是作為一個編輯者仍有些擔憂，以下是對于2010年有10個理由來看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。　　1. IC熱，然后冷　　Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導(dǎo)體銷售額達2900億美元，與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測，2010年增長19.9%相比有明顯提高。　　芯片銷售額的增長明顯超過系統(tǒng)產(chǎn)品銷售額的增
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]