nand flash 文章最新資訊

NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線(xiàn)希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠(chǎng)Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
關(guān)鍵字： NAND 晶圓

NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線(xiàn)希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠(chǎng)Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
關(guān)鍵字：東芝 NAND

2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場(chǎng)存儲(chǔ)報(bào)告，由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)糟糕和泰國(guó)洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%。　　2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營(yíng)業(yè)收入略有增長(zhǎng)，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。　　第四季度NOR營(yíng)業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國(guó)發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國(guó)的硬盤(pán)工廠(chǎng)，造成硬盤(pán)短缺，導(dǎo)致PC銷(xiāo)量下降。NOR營(yíng)業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
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蘋(píng)果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營(yíng)收比重略減

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專(zhuān)桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶(hù)蘋(píng)果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營(yíng)收較前季約減少5%，DRAM營(yíng)收則微增，使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營(yíng)收比重降至38%，佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)收比重亦續(xù)降至34.6%。　　反觀(guān)海力士，其N(xiāo)ANDFlash佔(zhàn)公司營(yíng)收比重則維持在30%，佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)
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Flash單片機(jī)自編程技術(shù)介紹

Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲(chǔ)器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除/編程，但是，要求運(yùn)行程序代碼的存儲(chǔ)區(qū)與待編程的存儲(chǔ)區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個(gè)片上Flash存儲(chǔ)器模塊
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利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級(jí)也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對(duì)系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開(kāi)發(fā)者必須能夠針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)和維護(hù)，以延長(zhǎng)系統(tǒng)的使用周期，
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 遠(yuǎn)程更新嵌入式實(shí)現(xiàn) NAND Flash 利用

固態(tài)硬盤(pán)每GB容量?jī)r(jià)格將跌破1美元

　　1GB 1美元——這很久以來(lái)就被視為固態(tài)硬盤(pán)真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門(mén)檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買(mǎi)到固態(tài)硬盤(pán)。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會(huì)進(jìn)一步降低，每 GB將會(huì)不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在那之后超極本、超輕薄本都會(huì)從混合硬盤(pán)過(guò)渡到純粹的固態(tài)硬盤(pán)，而后者的主流容量也將升至 128GB。　　隨著Intel Ivy Bridge處
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基于MCU內(nèi)部Flash的在線(xiàn)仿真器設(shè)計(jì)方案

基于MCU內(nèi)部Flash的在線(xiàn)仿真器設(shè)計(jì)方案,摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。由于市場(chǎng)對(duì)MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí)，MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展，因此往往需要對(duì)最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
關(guān)鍵字：仿真器設(shè)計(jì) 方案在線(xiàn) Flash MCU 內(nèi)部基于

NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的閃存芯片。一個(gè)NAND類(lèi)型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
關(guān)鍵字：閃存設(shè)計(jì) 映射存儲(chǔ)器 NAND 適應(yīng)

一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線(xiàn)仿真器設(shè)計(jì)方法

摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。 ...
關(guān)鍵字：微控制器在線(xiàn)仿真開(kāi)發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM

Flash存儲(chǔ)器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

　Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲(chǔ)器，主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù)，也就是開(kāi)機(jī)后執(zhí)行閃存的程序，并在程序執(zhí)行的過(guò)程中實(shí)時(shí)地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點(diǎn)和操作。Am29F040是采
關(guān)鍵字： Flash F040 040 29F

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 管理 TMS320F28x 實(shí)現(xiàn) Flash Nand 磨損均衡思想

并行NOR Flash在SOPC開(kāi)發(fā)中的應(yīng)用

并行NOR Flash在SOPC開(kāi)發(fā)中的應(yīng)用,摘要討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開(kāi)發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲(chǔ)FPGA配置比特流、可引導(dǎo)的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
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基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì)

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì),現(xiàn)今嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面，從ATM 機(jī)到手持通訊設(shè)備。社會(huì)對(duì)嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來(lái)越高的要求：大容量，高速度，斷電保護(hù)，體積限制等等。當(dāng)前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
關(guān)鍵字：記錄儀設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù) 高速 Flash 大容量基于

大容量FLASH在單片機(jī)臺(tái)標(biāo)系統(tǒng)中的應(yīng)用

1　引　言FLASH是一種兼有紫外線(xiàn)擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（E2PROM）兩者優(yōu)點(diǎn)的新型非易失存儲(chǔ)器。由于它可在線(xiàn)進(jìn)行電可擦除和編程，芯片每區(qū)可獨(dú)立擦寫(xiě)至少10,000次以上，因而對(duì)于需周期性地修改被儲(chǔ)存的代
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]