nand flash 文章最新資訊

基于NAND FLASH的大容量視頻存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

摘要：針對MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù)，給出了采用NAND FLASH為存儲介質(zhì)，以FPGA為存儲陣列的控制器，并用DSF作為數(shù)據(jù)處理的核心單元，來完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法，同時(shí)對壞塊的檢測處理等關(guān)鍵問題提出了
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Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來五年產(chǎn)品規(guī)劃圖

　　2012年5月28日，中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個(gè)單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專門用于汽車、消費(fèi)及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個(gè)系列，存儲容量在1 Gb到8 Gb之間，該產(chǎn)品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術(shù)支持并且符合嚴(yán)格的可靠性要求，例如1位
關(guān)鍵字： Spansion NAND 閃存

基于JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DSP Flash JTAG 存儲器在線編程

解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

IMFT使用的先進(jìn)工藝可以顯著地改變消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術(shù)以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實(shí)現(xiàn)。這些技術(shù)很可能出現(xiàn)在
關(guān)鍵字：表象技術(shù) 細(xì)節(jié) 閃存 NAND 16Gb MLC 解密

手機(jī)設(shè)計(jì)中T-Flash卡設(shè)備的探測與思考

T-Flash（microSD）卡憑借高性能，小體積，大容量，適中的價(jià)格迅速在數(shù)碼市場中普及開來，目前已成為手機(jī)中最流行的擴(kuò)展卡類型。手機(jī)設(shè)計(jì)中常用的TF卡座有Push和 Hinge兩種類型。Hinge型TF卡座需要掀開蓋后才能取放，
關(guān)鍵字：探測思考設(shè)備 T-Flash 設(shè)計(jì) 手機(jī)

一種矢量信號發(fā)生器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點(diǎn)，以FPGA為邏輯時(shí)序控制器，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例，詳細(xì)介紹了矢量信號發(fā)生器的設(shè)計(jì)方案與實(shí)現(xiàn)過程，使用Verilog HDL描述并實(shí)現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時(shí)序控制和FPGA的邏輯控制。
關(guān)鍵字： DDR2 SDRAM FLASH 201205

基于TMSF240芯片的內(nèi)部FLASH的一種自測試方法

摘要：飛控計(jì)算機(jī)作為飛行控制系統(tǒng)的核心控制處理單元，其可靠性要求是所有航空電子設(shè)備中最高的，用于飛控計(jì)算機(jī)的每一個(gè)元器件都必須經(jīng)過嚴(yán)格的自測試。隨著DSP越來越廣泛應(yīng)用于飛控系統(tǒng)，對于芯片內(nèi)部FLASH的自測
關(guān)鍵字： FLASH TMSF 240 芯片

基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
傳統(tǒng)的存儲設(shè)備雖然具有價(jià)格低廉的優(yōu)勢，但是在高溫、高速、高沖擊的測試環(huán)境中，往往存在設(shè)備存放空間有限、測試參數(shù)較多、采集速率高、環(huán)境復(fù)雜等因素。為了得到準(zhǔn)確的測試數(shù)據(jù)，對存儲設(shè)備的性能也提出
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 存儲數(shù)據(jù) NAND Flash 基于

今年NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長8%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場研究報(bào)告，雖然2011年情況不如人意，但今年NAND閃存市場可望有不錯的表現(xiàn)，裝備固態(tài)硬盤的超級本(Ultrabook)等產(chǎn)品將助其一臂之力。　　今年全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長8%，從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營業(yè)收入預(yù)期，全球出貨量相當(dāng)于28823個(gè)1GB器件，而2011年是17401個(gè)。隨著智能手機(jī)、平板電腦和超級本固態(tài)硬盤(SSD)這三大市場使用的NAND閃存逐年增長，未來幾年NAND營業(yè)收入將持續(xù)攀升，到2016年
關(guān)鍵字： NAND 固態(tài)硬盤

主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

閃存幾乎無處不在，特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不...
關(guān)鍵字：閃存 NAND NOR 非易失性存儲器

FLASH在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲器，具有ROM存儲器的特點(diǎn)，存儲在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持1 ...
關(guān)鍵字： K9F1G08U0M MSP430F149 FLASH

SOPC系統(tǒng)中如何利用Flash來保存用戶程序

SOPC系統(tǒng)中如何利用Flash來保存用戶程序,1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當(dāng)系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進(jìn)行配置。
關(guān)鍵字：保存用戶程序 Flash 利用系統(tǒng) 如何 SOPC

NAND閃存將呈現(xiàn)爆炸式增長

　　隨著智能手機(jī)、平板電腦、超極本等移動互聯(lián)設(shè)備市場的井噴，存儲器Nand Flash也呈現(xiàn)“水漲船高”之勢，Gartner預(yù)估今年Nand閃存市場將增長18%。在近日舉辦的“BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”上，福州瑞芯微電子有限公司總裁陳鋒直言“后PC時(shí)代已經(jīng)到來”，今年平板電腦的出貨量預(yù)計(jì)在1.5億臺左右，智能手機(jī)將突破6億部，加起來為7.5億部，將遠(yuǎn)超今年P(guān)C出貨量，帶動對顯示屏、主控芯片和存儲器關(guān)鍵部件的需求，
關(guān)鍵字： NAND 閃存

VxWorks文件系統(tǒng)和Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

VxWorks文件系統(tǒng)和Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),0 引言

在VxWorks的應(yīng)用系統(tǒng)中，基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結(jié)構(gòu)。

一般情況下，磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng)，磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū)，扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) TFFS Flash 文件系統(tǒng) VxWorks

基于DSP的外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DSP Flash 存儲器在線編程軟硬件設(shè)計(jì)

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]