nand flash 文章最新資訊

全SSD儲存時代正式來臨，充分發(fā)揮NAND架構優(yōu)勢

　　幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動的特性，前進PC產業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當時SSD與HDD每GB的價格，換算下來仍有一段不小的價差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構問世，SSD在價格方面已經逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進資料中心、數(shù)位看板、POS機等商用市場。　　SanDisk：SSD全面進占資料中心　　當云端應用已經成為重要產業(yè)趨勢，相關的基礎設備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
關鍵字： SSD NAND

科技行業(yè)為Flash準備“葬禮”

過去多年時間里，來自Adobe的熱門軟件Flash讓網絡變得更豐富，然而，F(xiàn)lash的安全性一直飽受詬病，而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明，F(xiàn)lash應當走向消亡。
關鍵字： Adobe Flash

走進三星半導體芯片生產線：打造綠色經營系統(tǒng)

　　陜西西安的三星(中國)半導體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內魚兒游來游去。這里生產世界最先進技術的產品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。　　對三星半導體來說，引導社會未來發(fā)展的不僅僅是生產全球最先進的產品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經營系統(tǒng)(G-EHS)。　　形成半導體全產業(yè)鏈　　三星半導體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達的電子產業(yè)基地。　　西安是三星電子海外芯片生產線投資規(guī)模最大的一個
關鍵字：三星 NAND

傳三星出手搶iPhone6S NAND Flash訂單

三星發(fā)展半導體事業(yè)，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
關鍵字：三星 NAND

三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。　　據(jù)韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產3D V-NAND業(yè)者。　　據(jù)市調業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
關鍵字：三星 V-NAND

平面架構1x納米NAND揭密！

　　過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產品。　　針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
關鍵字： NAND SK海力士

東芝、宜鼎搶進NAND Flash儲存陣列商機

　　宜鼎和東芝成立臺灣首家進軍快閃存儲器陣列的供應商，分食云端儲存商機。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國際臺美日聯(lián)手炒熱云端儲存商機，三大廠力拱的快閃存儲器儲存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲存新疆界：AccelStor NeoSapphire快閃存儲器儲存陣列與企業(yè)應用解決方案”研討會，邀請中華電信董事長蔡力行親自出馬，為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
關鍵字：東芝 NAND

蘋果要用？三星西安半導體工廠傳擴產 50%

　　南韓媒體中央日報日文版 19 日報導，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長，故三星電子(Samsung)計劃把生產 3D NAND 的中國西安半導體工廠產量較現(xiàn)行擴增 50%。報導指出，據(jù)熟知三星事務的關系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產量為 4-5 萬片，而三星計劃于今年內將其產量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。　　據(jù) 報導，三星于去年 5 月開始量產 3D NAND，為目前唯一導入量產的廠商，且三星計劃
關鍵字：三星 NAND

臺美日首度合體搶SSD 東芝、宜鼎、美超微成立合資公司

　　宜鼎國際布局云端SSD市場，找來美超微和東芝一起搶商機。李建梁攝云端NAND Flash儲存陣列市場需求即將大爆發(fā)，美商都已卡好位，臺灣也拿到第一張參與競賽的門票。由日商東芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro)，以及臺系存儲器模組廠宜鼎國際三方合資的新公司正式成立，臺方掌握主導權，由于首波客戶瞄準金融和電信業(yè)者，因此邀請101董事長宋文琪夫婿徐善可擔任董事長。　　一般講到云端儲存商機，第一個聯(lián)想到固態(tài)硬碟(SSD)，這是NAND Flash大廠如三星電子(Samsung Elec
關鍵字： SSD NAND

分析師：IC與PC第二季全球市場需求皆衰弱

　　根據(jù)德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報告， 2015年第二季全球市場對半導體元件的需求持續(xù)疲弱，主因是部分亞洲PC組裝業(yè)者表示，部分零組件的采購量與 2014年同季相較，減少了15~20%;不過在近五年拜訪了近30家臺灣、韓國與日本業(yè)者的該銀行分析師指出：“iPhone供應鏈與汽車市場仍然是表現(xiàn)亮眼。” 　　德意志銀行的報告也顯示，平板電腦、電視以及許多Android手機的晶片需求亦呈現(xiàn)衰弱，該銀行對整體晶片產業(yè)領域發(fā)展的評等為中性。“在中國智慧型手
關鍵字： PC NAND

Flash廠力推　3D NAND明年全面滲透消費性SSD

　　在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下，消費性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產品預計將自今年下半年開始加速采用更高性價比的3D NAND方案，并可望在2016年完全進入3D世代;而企業(yè)與資料中心應用由于對SSD可靠度要求等級較高，預估將自2016下半年后才會轉換至3D NAND規(guī)格。　　
關鍵字： NAND SSD

慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現(xiàn)支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存

　　在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存，有助實現(xiàn)優(yōu)異的性能和無可比擬的可靠性，成就新一代高性價比的TLC SSD產品。　　SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同時也是市場上性能最佳、成本最優(yōu)
關鍵字： NAND SM2256

Flash廠力推3D/TLC NAND　高密度/低成本SSD加速問世

　　固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產品。　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
關鍵字： NAND SSD

Flash廠力推3D/TLC NAND　高密度/低成本SSD加速問世

　　固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產品。　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
關鍵字： NAND SSD

基于ARM7軟中斷程序的設計

　　筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節(jié)的片內FLASH，98k字節(jié)的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時，需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。　　　　圖1存儲部分原理框圖　　在設計中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運行程序，剩余的空間用于產品運
關鍵字： ARM7 FLASH

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]