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nand 閃存 文章 最新資訊

瑞薩與臺積電聯(lián)手開發(fā)40nm閃存混載技術(shù)

  •   繼長期虧損的SoC之后,瑞薩又加快了利潤最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布,將與臺積電(TSMC)合作開發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術(shù),并委托臺積電生產(chǎn)。車載MCU也將成為外包對象。瑞薩表示,到2016年度將把半導(dǎo)體整體的外包生產(chǎn)比例由2011年度的15%提高到30%。   日本國內(nèi)工廠進(jìn)一步空洞化?   雖然日本企業(yè)的SoC業(yè)務(wù)相繼出現(xiàn)因承受不了巨額設(shè)備投資而轉(zhuǎn)為外包的情況,但要求高品質(zhì)的車載MCU等以前一直被認(rèn)為難以實(shí)施外包生產(chǎn)?!扒闆r因東日本大地震而發(fā)生了
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如何讓U-boot實(shí)現(xiàn)Nand/Nor 雙啟動(dòng)

  • 如何讓U-boot實(shí)現(xiàn)Nand/Nor 雙啟動(dòng),在做u-boot移植的時(shí)候,多數(shù)人使用的是Nand flash啟動(dòng)或Nar Flash啟動(dòng)。這樣u-boot就只能在Nand flash或Nor flash。那么我們?nèi)绾巫屛覀兊膗-boot在Nand flash或Nor flash都能使用。首先,我們說說u-boot,u-boot是系統(tǒng)
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手機(jī)嵌入式SSD成NAND Flash應(yīng)用的新焦點(diǎn)

  • 當(dāng)全球看好固態(tài)硬盤(SSD)是NAND Flash下一個(gè)殺手級應(yīng)用的同時(shí),手機(jī)內(nèi)建NAND Flash內(nèi)存的應(yīng)用(嵌入式SSD)卻搶先一步成為NAND Flash應(yīng)用的新焦點(diǎn)。目前最普遍的嵌入式SSD的接口規(guī)格為eMMC,是手機(jī)內(nèi)建儲存方案的新標(biāo)
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在DSP系統(tǒng)中Nand+Flash存儲管理的實(shí)現(xiàn)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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東芝世界首發(fā)19nm制程SSD 增強(qiáng)數(shù)據(jù)保護(hù)功能

  •   東芝于今日正式發(fā)布了全球首個(gè)使用19nm制程MLC NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品。東芝新SSD的主要改進(jìn)之處在于主控,配合19nm閃存可實(shí)現(xiàn)對SATA 3.1標(biāo)準(zhǔn)的支持,讀取/寫入速度最大可達(dá)524MB/s和461MB/s(64GB型號440MB/s)。同時(shí)還集成有獨(dú)家的錯(cuò)誤校驗(yàn)技術(shù)QSBC,并 支持微軟下一代垃圾清理技術(shù)Deterministic Zeroing TRIM。   最關(guān)鍵的改善在于數(shù)據(jù)保護(hù)部分,除突發(fā)性掉電數(shù)據(jù)不丟失之外,一旦閃存出現(xiàn)故障或達(dá)到使用壽命,東芝新SSD可在接電后啟用只讀模
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LSI PCIe閃存適配器助力Cisco和EMC實(shí)現(xiàn)應(yīng)用加速

  •   LSI公司(紐約證交所股票代碼:LSI)日前宣布正在與Cisco和EMC開展合作,共同將PCIe閃存高速緩存技術(shù)卓越的應(yīng)用加速優(yōu)勢應(yīng)用于部署廣泛的創(chuàng)新型Cisco UCS B系列刀片服務(wù)器。   該解決方案將EMC VFCache智能緩存軟件與LSI的第二代PCIe閃存適配器系列LSI Nytro WarpDrive卡相結(jié)合,能進(jìn)一步加速應(yīng)用性能,改善EMC存儲環(huán)境下Cisco服務(wù)器的響應(yīng)時(shí)間。   目前,服務(wù)器處理器性能的提升步伐已經(jīng)超越了存儲性能的提升速度,因此,如何在不影響現(xiàn)有存儲架構(gòu)的情況
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Spansion SLC NAND應(yīng)對嵌入式閃存應(yīng)用的新要求

  •   最近,嵌入式閃存解決方案的主要廠商之一Spansion宣布推出其首個(gè)單層單元(SLC)系列NAND閃存產(chǎn)品。至此,Spansion公司的嵌入式閃存產(chǎn)品可大致分為以下三個(gè)系列:首要突出閃存性能的GL-S系列并行NOR閃存,注重降低系統(tǒng)成本的FL-S系列串行NOR閃存,以及此次推出的大容量SLC NAND閃存。     嵌入式產(chǎn)品無處不在,因而對嵌入式存儲的需求也十分廣泛。不管是車載信息娛樂系統(tǒng),還是電視機(jī)頂盒,抑或是通信基礎(chǔ)設(shè)備,都會(huì)用到嵌入式閃存。   隨著科技的不斷發(fā)展,消費(fèi)者對用在
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爾必達(dá)事件對臺灣相關(guān)產(chǎn)業(yè)影響之觀察

  • 日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)今年2月召開董事會(huì),向東京地方法院提出更生程序并獲受理,子公司秋田爾必達(dá)(封測廠)亦同時(shí)申請公司更生程序。爾必達(dá)此舉引發(fā)產(chǎn)業(yè)不小震撼,也連帶的對相關(guān)上下游產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生相當(dāng)?shù)臎_擊
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基于NAND FLASH的大容量視頻存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

  • 摘要:針對MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù),給出了采用NAND FLASH為存儲介質(zhì),以FPGA為存儲陣列的控制器,并用DSF作為數(shù)據(jù)處理的核心單元,來完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法,同時(shí)對壞塊的檢測處理等關(guān)鍵問題提出了
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Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來五年產(chǎn)品規(guī)劃圖

  •   2012年5月28日,中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE)今日宣布其首個(gè)單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù),專門用于汽車、消費(fèi)及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個(gè)系列,存儲容量在1 Gb到8 Gb之間,該產(chǎn)品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術(shù)支持并且符合嚴(yán)格的可靠性要求,例如1位
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解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

  • IMFT使用的先進(jìn)工藝可以顯著地改變消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術(shù)以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實(shí)現(xiàn)。這些技術(shù)很可能出現(xiàn)在
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閃存成智能手機(jī)最貴零部件:價(jià)格超顯示屏

  •   野村證券最近發(fā)布《2012智能手機(jī)指南》,對智能手機(jī)的各種零部件及其供應(yīng)商的狀況進(jìn)行了分析,并發(fā)現(xiàn),智能手機(jī)中成本最高的零部件并非屏幕,而是NAND閃存。   北京時(shí)間5月23日下午消息,野村證券最近發(fā)布《2012智能手機(jī)指南》,對智能手機(jī)的各種零部件及其供應(yīng)商的狀況進(jìn)行了分析,并發(fā)現(xiàn),智能手機(jī)中成本最高的零部件并非屏幕,而是NAND閃存。   該報(bào)告顯示,要生產(chǎn)一部現(xiàn)代化的智能手機(jī),需要25個(gè)以上的零部件。盡管屏幕曾經(jīng)一度被視為手機(jī)中最昂貴的部件,但根據(jù)野村證券的報(bào)告,最貴的應(yīng)該是NAND閃存,
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一種支持多種閃存的自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

  • 引言Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性,在系統(tǒng)電源關(guān)閉的情況下依然可保留數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展,F(xiàn)lash因其在性能和成本方面的優(yōu)勢逐漸成為系統(tǒng)存儲的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。目前市面上,NOR Flash和NAND
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英研發(fā)新型存儲器 速度比閃存快百倍

  •   英國研究人員最近報(bào)告說,他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備,與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比,耗電量更低,而存取速度要快上一百倍。   電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料,這種材料的特殊性在于,在外加電壓時(shí)其電阻會(huì)發(fā)生變化,隨后即使取消外加電壓,它也能“記住”這個(gè)電阻值。在此基礎(chǔ)上開發(fā)出的存儲設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能,是業(yè)界近來的研發(fā)熱點(diǎn)。但以前開發(fā)出的這種存儲設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運(yùn)行。   英國倫敦大學(xué)學(xué)院等機(jī)構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜
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新技術(shù)讓24nm閃存壽命延長13倍

  •   NAND閃存工藝技術(shù)不斷進(jìn)步,但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的,但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤廠商STEC近日宣布了一項(xiàng)新技術(shù)“CellCare”,能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達(dá)13倍。   CellCare是一項(xiàng)硬件和固件綜合技術(shù),核心內(nèi)容包括:每個(gè)內(nèi)核的閃存參數(shù)追蹤,可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理,可減少磨損、控制性能、改進(jìn)性能、降低讀寫延遲;高級錯(cuò)誤糾正與數(shù)字信號處理,可改進(jìn)數(shù)據(jù)可靠性、最大程度減少重新讀取。
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nand 閃存介紹

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