- 在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導(dǎo)致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當(dāng)樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長可能需要再評估。
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SanDisk NAND
- 來自以色列的閃存廠商Anobit近日宣布推出新款高性能超低功耗嵌入式閃存控制器“MSP2025”，主要面向平板機(jī)、智能手機(jī)等便攜設(shè)備，數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)空前的666MB/s，成為迄今為止性能最高的嵌入式閃存控制器。
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智能手機(jī) 閃存
- 全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動蕩以及日元強(qiáng)勢等原因，該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達(dá)不到預(yù)期。
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東芝 芯片 NAND
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應(yīng)商SanDisk公司（NASDAQ：SNDK）今日宣布，在其郵票大小的嵌入式固態(tài)硬盤系列SanDisk iSSD產(chǎn)品線中采用全新的SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)。 一直致力于維護(hù)串行ATA （SATA） 技術(shù)的質(zhì)量和完整性以及推廣工作的國際標(biāo)準(zhǔn)組織SATA-IO也于今日發(fā)布了此項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)。
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SanDisk 閃存
- 據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌，NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價(jià)格回升。
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NAND DRAM芯片
- 隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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三星 存儲器 NAND
- 隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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爾必達(dá) NAND
- 內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。
今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長 41.4%，達(dá) 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
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LSI NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報(bào)告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長40%以上。
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索尼 NAND
- 很多評論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開始預(yù)測，在未來短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤。他們的基本論點(diǎn)是，因?yàn)楣虘B(tài)盤(SSD)是基于集成電路的，所以他們的價(jià)格遵循摩爾定律，然而作為一種不可靠的機(jī)械裝置的硬盤卻并非如此。
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閃存 磁盤
- 很多評論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開始預(yù)測，在未來短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤，磁盤成為新型的磁帶，而磁帶變成老舊的磁帶，甚至是死亡。雖然沒有什么比不再用聽到磁頭劃過盤片的聲音更好的事了，但是我認(rèn)為這些評論者可能有點(diǎn)樂觀了，就像是時(shí)尚人士預(yù)測深褐色會成為一種新的黑顏色一樣。
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閃存 磁盤
- 三星電子一家新的存儲半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。
2010年5月時(shí)，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
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三星 NAND
- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對智能手機(jī)和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝 NAND
- 東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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東芝 NAND
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