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nand 閃存 文章 最新資訊

全球半導(dǎo)體市況良好　韓廠火熱、日廠躊躇

  • 　　全球半導(dǎo)體市場第3季，以870億美元創(chuàng)下史上最高營收紀錄，景氣持續(xù)樂觀。其中亞太地區(qū)比前年增加12.0%成長最多，南韓業(yè)者營收屢創(chuàng)新高，然而日本地區(qū)卻出現(xiàn)成長衰退跡象。 　　據(jù)Digital Times報導(dǎo)，日前美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)宣布，第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球營收，與前年同期相比成長8.0%，以870億美元創(chuàng)下史上單季最高紀錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)在7月預(yù)測的年度成長值6.5%。 　　SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導(dǎo)
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Spansion 推出面向消費電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級e.MMC 存儲產(chǎn)品

  • 　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司今日宣布推出面向消費、通信和工業(yè)設(shè)備市場的工業(yè)級e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿足上述市場對可靠、更高密度存儲日益增長的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領(lǐng)先業(yè)界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應(yīng)用的SLC NAND閃存產(chǎn)品組合。 　　Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
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OEM需求拉貨動能增溫，第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%

  • 　　第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世，整體N
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LED產(chǎn)業(yè)推動中國半導(dǎo)體時代的來臨

  • 　　過去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進的半導(dǎo)體技術(shù)不會到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導(dǎo)體技術(shù)到中國投資都有設(shè)定限制，因此過去國際半導(dǎo)體廠在中國投資半導(dǎo)體相關(guān)事業(yè)，以芯片封裝測試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過，這個局面在中國市場打開，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來買技術(shù)、買設(shè)備與外資合作建立中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新局后，有了重大改變。 　　英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機芯片廠展訊聯(lián)合宣布，以 15 億美元入股紫光集團，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內(nèi)存事
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中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

  • 　　中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長的需求，使中芯國際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 　　NAND 閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域。客戶也可利用此技術(shù)帶動串行外設(shè)接
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iPhone 6推升智能手機NAND搭載容量

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長率高達22%，成功扭轉(zhuǎn)過去一年來iPhone趨緩的銷售動能，重新站穩(wěn)高階智慧型手機領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻允氐?寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。 　　DRAMeXchange
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閃存供應(yīng)商SanDisk第三季度凈利潤同比降5%

  • 　　10月17日，美國閃存供應(yīng)商SanDisk今天發(fā)布了2014財年第三季度財報。財報顯示，由于重組和收購導(dǎo)致成本增長9%，SanDisk第三季度凈利潤同比下滑5%。由于業(yè)績未達分析師預(yù)期，SanDisk股價在盤后交易中下跌3%。 　　在截至9月28日的今年第三季度，SanDisk凈利潤為2.627億美元，合每股收益1.09美元，上年同期凈利潤為2.769億美元，合每股收益 1.18美?元;不計入一次性支出，SanDisk第三季度每股收益1.45美元。同時，第三季度SanDisk營收為17.5億
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。 　　MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。 　　TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲技術(shù)的原型。
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市場報告：蘋果將在2015年購買全球25%閃存

  • 　　根據(jù)臺灣市場研究公司Trendforce的最新報告，蘋果將在2015年購買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。 　　在iPhone和iPad中，蘋果通常會配備1GB運行內(nèi)存，而Mac配備的內(nèi)存可以高達16GB。在PC的世界中，使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運行速度更快，不過增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤替代。在移
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新蘋效應(yīng) NAND下月涌急單

  • 　　儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長潘健成表示，智慧手機市場本季需求不振，主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。 　　他說，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 　　潘健成表示，先前消費者期待iPhone 6上市，導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫存的情況，上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
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中芯國際進軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了

  • 　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準備進軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 　　中芯國際進軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了 　　NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
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東芝四日市新廠動土2015年起量產(chǎn)3D NAND

  • 　　核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。 　　東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。 　　由于智能型手
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中芯國際進軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了

  • 　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準備進軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 　　NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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東芝在閃存峰會上展示最新NAND和存儲產(chǎn)品

  • 　　東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。閃存峰會是全球最大的閃存討論會，于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。 　　閃存峰會的展覽環(huán)節(jié)在會議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號展位布展。 　　主要展品 ??? 1、企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)： 　　??? 企業(yè)級讀密集型
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nand 閃存介紹

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