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nand 閃存
nand 閃存 文章 最新資訊
2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續(xù)向上,產(chǎn)值成長(zhǎng)超過(guò)10%
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示, NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑,各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長(zhǎng),2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%,達(dá)276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三和第四季,相比之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng),受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著,因此DRAMeXchange預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局,也就是上半年
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三星半導(dǎo)體份額增長(zhǎng) 與Intel差距史上最小
- 韓聯(lián)社首爾11月30日電 市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)HIS本月30日發(fā)布的一份調(diào)查報(bào)告顯示,預(yù)計(jì)今年三星電子半導(dǎo)體銷(xiāo)售額同比劇增15.6%,將達(dá)382.73億美元,其全球市場(chǎng)份額同比上升0.6個(gè)百分點(diǎn),將達(dá)10.9%,穩(wěn)居全球第二。 同期,美國(guó)半導(dǎo)體巨頭因特爾的半導(dǎo)體銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)6.3%,將達(dá)499.64億美元,雖然占據(jù)世界第一的位置,但其全球市場(chǎng)份額逐年下降,預(yù)計(jì)今年的市場(chǎng)份額同比下滑0.4個(gè)百分點(diǎn),為14.2%。由此,三星電子和因特爾的市場(chǎng)份額相差僅為3.3個(gè)百分點(diǎn),縮小至歷史最低值。 三星電子和
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SSD 2年內(nèi)價(jià)格砍半 每GB首度跌破0.5美元
- 次世代資料儲(chǔ)存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)價(jià)格,2年內(nèi)下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構(gòu)NAND Flash量產(chǎn)行列,皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價(jià)格下滑,SSD應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大,有加速普及的傾向。 據(jù)韓聯(lián)社引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料報(bào)導(dǎo),256GB的SSD 2014年第3季平均售價(jià)(ASP)為124美元,比2013年同期171美元下跌27.5%,與2012年同期價(jià)格226美元相比,跌幅更達(dá)45.1%,意即最近2年內(nèi)SSD價(jià)格幾乎砍
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蘋(píng)果變心、東芝掉大單?愛(ài)瘋6 NAND傳改由三星提供
- 三星電子(Samsung Electronics)是蘋(píng)果 (Apple)在智慧手機(jī)市場(chǎng)上的死對(duì)頭,雙方更于之前在全球展開(kāi)轟轟烈烈的專利侵權(quán)大戰(zhàn)、蘋(píng)果并祭出所謂的「去三星化」措施。惟隨著蘋(píng)果/三星同意中止在美國(guó)以外地區(qū)(包括澳洲、日本、南韓、德國(guó)、荷蘭、英國(guó)、法國(guó)、義大利)的官司互訟,也象征雙方將握手言和,蘋(píng)果將重回三星懷抱、擴(kuò)大采用三星制零件? 日本蘋(píng)果情報(bào)網(wǎng)站iPhone Mania 27日?qǐng)?bào)導(dǎo),南韓媒體BusinessKorea 26日指出,目前蘋(píng)果iPhone 6除了已使用三星集團(tuán)公司Sa
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我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)上市公司大盤(pán)點(diǎn)(上)

- 隨著《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》和千億國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的成立,集成電路產(chǎn)業(yè)熱度逼人,而我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展快速,涌現(xiàn)出一批具備一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的骨干企業(yè),下面小編就為大家一一介紹,看看我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)都有哪些上市企業(yè)。 太極實(shí)業(yè) 無(wú)錫市太極實(shí)業(yè)股份有限公司前身為無(wú)錫市合成纖維總廠,創(chuàng)立于1987年。通過(guò)幾年的發(fā)展,具有相當(dāng)技術(shù)和經(jīng)濟(jì)實(shí)力。在國(guó)內(nèi)有一定知名度和發(fā)展前途的技術(shù)先進(jìn)型企業(yè)。公司先后開(kāi)發(fā)出花色差別化長(zhǎng)絲、丙纖煙用過(guò)濾絲束、滌淪簾子線等三大主體產(chǎn)品。1991年被評(píng)為中
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閃迪聯(lián)合創(chuàng)始人榮獲美國(guó)科技成就和創(chuàng)新最高榮譽(yù)

- 全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今天公布閃迪聯(lián)合創(chuàng)始人、退休的董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官 Eli Harari 博士因其對(duì)閃存技術(shù)研發(fā)和普及的重大貢獻(xiàn)而被美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)授予國(guó)家技術(shù)與創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)隆? 美國(guó)國(guó)家技術(shù)與創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)麓砹送七M(jìn)科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步的美國(guó)國(guó)家最高榮譽(yù),獲獎(jiǎng)?wù)邔?duì)加深人類(lèi)對(duì)世界的認(rèn)識(shí)和改善人類(lèi)的生活作出了不可磨滅的貢獻(xiàn)。在美國(guó)國(guó)家政要和其他獲獎(jiǎng)?wù)叩囊?jiàn)證下,美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬于11月20日在白宮舉辦的典禮上授予EliHarari博士該項(xiàng)獎(jiǎng)?wù)隆? 25年前,Harari博士與合伙人共同創(chuàng)立了
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臺(tái)內(nèi)存大廠揮軍日本 直闖工控和車(chē)用市場(chǎng)
- 征戰(zhàn)海外展覽的臺(tái)灣內(nèi)存大廠,終于在日本找到了機(jī)會(huì)。
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閃存存儲(chǔ)技術(shù)迅速走向成熟

- 閃存技術(shù)在中國(guó)這幾年已經(jīng)獲得突飛猛進(jìn)的發(fā)展,正在迅速走向成熟,之前阻礙閃存普及的價(jià)格門(mén)檻,正在逐步降低,未來(lái)閃存的可靠性會(huì)和價(jià)格一齊下降,但我們能夠通過(guò)系統(tǒng)軟件來(lái)更好地實(shí)現(xiàn)閃存的利用價(jià)值。 Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾 2013年的中國(guó)閃存市場(chǎng) Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾首先用數(shù)字說(shuō)明2013年對(duì)于閃存來(lái)說(shuō)絕對(duì)是一個(gè)不平凡的一年,首先閃存顆粒,Gartner的研究表明,每GB的價(jià)格成本下降41%,這是一個(gè)非常大的下降的
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數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代 閃存能否成棟梁
- 隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)終端和物聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展,全球數(shù)據(jù)量每?jī)赡攴兜乃俣仍鲩L(zhǎng),人們選用的存儲(chǔ)介質(zhì)也發(fā)生了較大的變化,到2020年全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)到44ZB。如此高速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù),采取什么樣的存儲(chǔ)更為愉快?閃存能否成為未來(lái)存儲(chǔ)的棟梁? 俗話說(shuō):以史為鑒,可以知興替?;仡欉^(guò)往,存儲(chǔ)行業(yè)從很久以前的磁帶存儲(chǔ)方式過(guò)渡到磁盤(pán)存儲(chǔ)方式,磁帶存儲(chǔ)沒(méi)有消亡,但磁盤(pán)占了主流。當(dāng)前從磁盤(pán)存儲(chǔ)方式逐漸過(guò)渡到閃存方式,未來(lái)磁盤(pán)存儲(chǔ)不會(huì)消亡,但閃存勢(shì)必會(huì)占據(jù)
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PMC FlashTec NVRAM:抓住閃存細(xì)分市場(chǎng)需求

- 當(dāng)前,基于閃存的創(chuàng)新已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域最大的熱點(diǎn),市場(chǎng)上已經(jīng)涌現(xiàn)出五花八門(mén)的閃存產(chǎn)品。大家公認(rèn)閃存對(duì)于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的加速效果十分明顯,無(wú)論是服務(wù)器內(nèi)部的固態(tài)硬盤(pán)、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域得到驗(yàn)證,尤其是隨著閃存成本價(jià)格穩(wěn)步下降,閃存在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢(shì)必然加快。同時(shí),隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、社交網(wǎng)絡(luò)、移動(dòng)化四大趨勢(shì)的來(lái)臨,超大型數(shù)據(jù)中心用戶對(duì)于加速的需求更進(jìn)一步,傳統(tǒng)的閃存產(chǎn)品已經(jīng)不能較好滿足超大型數(shù)據(jù)中心用戶某些關(guān)鍵性應(yīng)用需求,超高性能的閃存產(chǎn)品成為這些超大型數(shù)據(jù)中
- 關(guān)鍵字: Sandisk 閃存
干掉閃存 下代MRAM首次展示:快7倍

- 近日,日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時(shí)間了,但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩,也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)?! RAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM,當(dāng)同時(shí)又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)?! DK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片和一個(gè)NOR&n
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六大NAND Flash廠商:東芝最“吸金”

- 2014第三季度 NAND Flash廠商營(yíng)收排名出爐,其中東芝最為亮眼,原因是因?yàn)樗顫q勢(shì)最猛。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 東芝 三星
美光咬蘋(píng)果大單 力成同樂(lè)
- 蘋(píng)果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機(jī)后,今年底或明年初,將緊接推出Apple Watch智能手表,目前正展開(kāi)一波拉貨,力成最大客戶美光傳出大啖蘋(píng)果Apple Watch存儲(chǔ)器絕大部分訂單,力成受惠度看漲,也激勵(lì)今天股價(jià)逆勢(shì)上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤(pán)間的狹幅震蕩。 據(jù)了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,內(nèi)建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包辦絕大部分的訂單,而在下游后段封測(cè)代工制程方面,目前多半由力成與華東共同負(fù)責(zé),由于測(cè)試時(shí)
- 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果 iPhone 6 NAND Flash
Spansion:eMMC填補(bǔ)市場(chǎng)需求和閃存發(fā)展缺口

- 昨天,Spansion舉行媒體發(fā)布會(huì),推出面向消費(fèi)電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級(jí)eMMC閃存產(chǎn)品,并向記者介紹了eMMC閃存的市場(chǎng)定位和需求情況。 與其他Spansion產(chǎn)品一樣,這次發(fā)布的eMMC閃存主要是針對(duì)嵌入式客戶設(shè)計(jì)的,這類(lèi)客戶通常對(duì)于工作溫度范圍、數(shù)據(jù)保護(hù)和支持工具有嚴(yán)格的測(cè)試和要求,這樣讓OEM能夠更容易地?fù)?jù)此設(shè)計(jì)自己的產(chǎn)品。 據(jù)Spansion公司NAND閃存產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)Touhid Raza介紹,eMMC是一種在行業(yè)使用比較普遍的存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn),而Spansio
- 關(guān)鍵字: Spansion eMMC NAND
基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

- 引言 FLASH(閃速存儲(chǔ)器)作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別,使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性,對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì),以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 FLASH的特點(diǎn) FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM(Non-VolatileMemory),根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
- 關(guān)鍵字: FLASH NAND
nand 閃存介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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