mosfet 文章最新資訊

為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

中心議題：同步整流基礎(chǔ)知識優(yōu)化同步整流MOSFET解決方案：確定優(yōu)化MOSFET的負載電流借助四象限SR器件優(yōu)化表選擇MOSFET
1. 引言

電源轉(zhuǎn)換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標準越來越嚴格，
關(guān)鍵字： MOSFET 最優(yōu)化選擇整流同步

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(二)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能 (上接第
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動器 MOSFET 集成

快速二極管MOSFET在三相逆變器拓撲中的應用

高效率和節(jié)能是家電應用中首要的問題。三相無刷直流電機因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應用在家電設(shè)...
關(guān)鍵字：意法半導體 MOSFET 逆變器

MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計及應用

下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動電路設(shè)計

Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨家供應商。
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AOS推出適用便攜式應用的功率MOSFET

　　日前，集設(shè)計，開發(fā)和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。　　新的產(chǎn)品上應用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命，還可以使設(shè)計變的更簡單緊湊，適用于便攜式產(chǎn)品，例如：平板電腦、智能手機,電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機及便攜式音樂播放器。　　AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市
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采用開關(guān)器件提高PFC效率

在CCMPFC中，通過改善MOSFET技術(shù)可以減少開關(guān)損耗，甚至可通過SiC技術(shù)改善升壓二極管來減少MOSFET的開關(guān)損...
關(guān)鍵字：開關(guān) PFC MOSFET

在SMPS應用中選擇IGBT和MOSFET的比較

開關(guān)電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關(guān)管和整流...
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 IGBT MOSFET

飛兆半導體在線設(shè)計和模擬工具

當前，設(shè)計人員正面臨為各種應用產(chǎn)品的電源設(shè)計反激電路的挑戰(zhàn)，現(xiàn)在找到能夠簡化工作的方法。全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，這款工具可讓設(shè)計人員無需應用指南，也可以像電源專家一樣進行“自動化設(shè)計”、優(yōu)化或“先進設(shè)計”。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET PSW

MAX5054-MAX5057雙、高速MOSFET驅(qū)動器

概述　　MAX5054-MAX5057雙、高速MOSFET驅(qū)動器可供出和吸收高達4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
關(guān)鍵字： MAX5054 MAX5057 MOSFET 驅(qū)動器

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開關(guān)的性能。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

理解功率 MOSFET 的電流

通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設(shè)計過程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
關(guān)鍵字：電流 MOSFET 功率理解

國際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動IC

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應用。　　AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器具備三個獨立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應電阻來進行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
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集成高壓MOSFET可實現(xiàn)PFC的HiperPFS控制器芯片

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款 ...
關(guān)鍵字：集成高壓 MOSFET PFC 控制器芯片

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]