mosfet 文章最新資訊

IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、直流電動機、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
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IR日推出新車用MOSFET系列

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。
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IR推出堅固的新系列40V至75V車用MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
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Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗

　　Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小?！　?/li>
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說出你的故事：中國IC設(shè)計及應(yīng)用創(chuàng)新案例

　　現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認為，企業(yè)家的職能就是實現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。　　不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會”的組織機構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會也在積極行動。他們在深入調(diào)研了
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飛兆半導(dǎo)體功率級非對稱雙MOSFET器件

電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負載點、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
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IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案?！?/li>
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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。　
關(guān)鍵字： MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組
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混合動力電動車應(yīng)用中大功率器件的五大要素

盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
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2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。　　去年功率MOSFET在中國市場強勁增長，可能主要歸功于中國政府的推動。為了鼓勵投資和刺激經(jīng)濟，中國政府推出了一系
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飛兆半導(dǎo)體推出60V PowerTrench MOSFET器件

　　DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級同步整流應(yīng)用的設(shè)計人員，需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計的效率。　　
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Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，如導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示，是許多關(guān)鍵應(yīng)用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富?！?/li>
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]