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這幾個(gè)在LED驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)常犯的錯(cuò)誤一定要避免！雙層電容LED電路解析

這幾個(gè)在LED驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)常犯的錯(cuò)誤一定要避免！雙層電容LED電路解析-耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認(rèn)為L(zhǎng)ED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時(shí)候電路電壓會(huì)到340V，在有的時(shí)候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了LED燈具的壽命，實(shí)際上選用600VMOSFET可能節(jié)省了一些成本但是付出的卻是整個(gè)電路板的代價(jià)，所以，不要選用600V耐壓的MOSFET，最好選用耐壓超過(guò)700V的MOSFET。
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LED溫度保護(hù)電路和最基本的照明LED設(shè)計(jì)方案解析

LED溫度保護(hù)電路和最基本的照明LED設(shè)計(jì)方案解析-隨著LED照明應(yīng)用的發(fā)展，國(guó)內(nèi)外廠家推出了很多用于驅(qū)動(dòng)LED的器件。其中美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司推出的LM3404及系列產(chǎn)品就是一款非常適用于中小功率LED光源的恒流驅(qū)動(dòng)芯片。
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低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)方案

低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)方案-本文研究了襯底驅(qū)動(dòng)MOS管技術(shù)和運(yùn)用這一技術(shù)進(jìn)行低電壓低功耗模擬電路設(shè)計(jì)的方法，并且運(yùn)用這種技術(shù)設(shè)計(jì)低電壓低功耗襯底驅(qū)動(dòng)跨導(dǎo)運(yùn)算放大器和電流差分跨導(dǎo)放大器。
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MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？-MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（想想U(xiǎn)=Q/C）將管子損壞），又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
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防止電源反接的原理

防止電源反接的原理-　一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時(shí)間大減。
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鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設(shè)計(jì) — 模擬電路的低功耗設(shè)計(jì)方法

近年來(lái)，鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節(jié)電池電壓高等優(yōu)點(diǎn)，獲得了廣泛應(yīng)用，相應(yīng)的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中，為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長(zhǎng)電池的使用壽命，電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
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模擬又掛科了？看懂模擬運(yùn)放想掛都難

經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，模擬運(yùn)算放大器技術(shù)已經(jīng)很成熟，性能曰臻完善，品種極多。這使得初學(xué)者選用時(shí)不知如何是好。為了便于初學(xué)者選用，本文對(duì)集成模擬運(yùn)算放大器采用工藝分類法和功能/性能分類分類法等兩種分類方法，便于讀者理解，可能與通常的分類方法有所不同。
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通用測(cè)試儀器大全之電子負(fù)載儀（特性，工作原理，使用方法，應(yīng)用范圍）

通用測(cè)試儀器大全之電子負(fù)載儀（特性，工作原理，使用方法，應(yīng)用范圍）-以增強(qiáng)AVRRISC結(jié)構(gòu)的ATmega16控制器為核心，設(shè)計(jì)并制作了直流電子負(fù)載儀。系統(tǒng)通過(guò)斜波發(fā)生器產(chǎn)生的鋸齒波和電流采樣信號(hào)與控制信號(hào)的誤差信號(hào)作比較產(chǎn)生約20kHz的PWM波控制MOSFET管工作，然后經(jīng)過(guò)誤差放大器的PI調(diào)節(jié)構(gòu)成閉環(huán)負(fù)反饋控制環(huán)路，實(shí)現(xiàn)恒流。恒阻和恒壓模式通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)流過(guò)MOS管電路的電流實(shí)現(xiàn)。
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全面解析MOS管特性、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用電路

　　在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?！　∠旅媸俏覍?duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！　OSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管
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關(guān)于MOS管失效，說(shuō)白了就這六大原因

　　MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。　　目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、
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詳解由MOS管、變壓器搭建的逆變器電路及其制作過(guò)程

　　逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負(fù)載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機(jī)、風(fēng)扇、照明、錄像機(jī)等設(shè)備中。　　逆變變壓器原理　　它的工作原理流程是控制電路控制整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行，逆變電路完成由直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功能，濾波電路用于濾除不需要的信號(hào)，逆變器的工作過(guò)程就是這
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詳解由MOS管、變壓器搭建的逆變器電路及其制作過(guò)程

　　逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負(fù)載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機(jī)、風(fēng)扇、照明、錄像機(jī)等設(shè)備中。　　逆變變壓器原理　　它的工作原理流程是控制電路控制整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行，逆變電路完成由直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功能，濾波電路用于濾除不需要的信號(hào)，逆變器的工作過(guò)程就是這
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MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)

　　在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。　　下面是我對(duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，
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MOS管被靜電擊穿的原因分析

　　MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。　　靜電擊穿有兩種方式; 　　一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路; 　　二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。　　現(xiàn)在的mos管沒(méi)有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護(hù)。vmos柵極電容大，感應(yīng)不出高壓。若是碰上3
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教你如何合理選擇MOS管，四大要領(lǐng)要記住

　　怎么選擇MOS管是新手工程師們經(jīng)常遇到的問(wèn)題，了解了MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時(shí)候就可以通過(guò)這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個(gè)電路工作能順利進(jìn)行下去。不會(huì)因?yàn)镸OS管的不合適而影響后面的各項(xiàng)工作和事宜。下面總結(jié)出如何正確選取MOS管的四大法則。　　法則之一：用N溝道orP溝道　　選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]