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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對(duì)電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié)，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
關(guān)鍵字： IGBT 晶體管 MOS管

PFC電路MOS管應(yīng)用電路振蕩問題分析

本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應(yīng)用過程中產(chǎn)生振蕩的機(jī)理，通過具體的案例詳細(xì)分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用給出具體的解決措施和方案，通過實(shí)驗(yàn)及大批量的生產(chǎn)驗(yàn)證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對(duì)PFC電路MOS管應(yīng)用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
關(guān)鍵字： 202008 PFC電路 MOS管振蕩 MOSFET 202008

使用MOS管的注意事項(xiàng)

MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^7~10^12Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
關(guān)鍵字： MOS管互補(bǔ)MOS

萬用表測(cè)試MOS管使用及更換總是很難？看看這個(gè)吧?。ǘ?/a>

　　現(xiàn)在由于生產(chǎn)工藝的進(jìn)步，出廠的篩選、檢測(cè)都很嚴(yán)格，我們一般判斷只要判斷MOS管不漏電、不擊穿短路、內(nèi)部不斷路、能放大就可以了，方法極為簡單：　　采用萬用表的R×10K擋;R×10K擋內(nèi)部的電池一般是9V加1.5V達(dá)到10.5V這個(gè)電壓一般判斷PN結(jié)點(diǎn)反相漏電是夠了，萬用表的紅表筆是負(fù)電位(接內(nèi)部電池的負(fù)極)，萬用表的黑表筆是正電位(接內(nèi)部電池的正極)，如上圖所示?！　?)測(cè)試步驟：　　把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時(shí)表針指示應(yīng)該為無窮大，如下圖所示。如果有歐姆指數(shù)，說明

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六個(gè)可能讓MOS管失效的原因分析

　　目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了。　　第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了。　　　　下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：　　雪崩失效(電壓失效)，也就
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用結(jié)點(diǎn)溫度評(píng)估器件可靠性的案例分析

　　工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢?　　工程師在設(shè)計(jì)的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念：　　其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到
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開關(guān)電源變壓器溫升過高問題改善方法

在開關(guān)電源變壓器的工作過程中，工程師不僅需要綜合考慮其設(shè)計(jì)構(gòu)造的合理性問題，還需要嚴(yán)格把控其溫升范圍，以免出現(xiàn)溫升過高導(dǎo)致工作效率下降的問題
關(guān)鍵字：開關(guān)電源變壓器 MOS管

MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳解

使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也
關(guān)鍵字： MOS管驅(qū)動(dòng) 開關(guān)電源

必藏！小功率 MOS管選型手冊(cè)

絕對(duì)要收藏的小功率 MOS管選型手冊(cè)。KD2300 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內(nèi)阻28mOmega;、電流6A、可兼容、代用、代換、替換市面上各類型的23
關(guān)鍵字： MOS管選型

MOS管入門——只談應(yīng)用，不談原理

　　1、三個(gè)極怎么判定　　G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn)　　S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是　　D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊　　
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用MOS管防止電源反接的原理？

一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來電池電壓就3.7V，你就用
關(guān)鍵字： MOS管 NMOS 電源反接

如何確保MOS管工作在安全區(qū)？

電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。我們知道開關(guān)電源中MOSFE
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測(cè)

　　MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC?MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?　　1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測(cè)圖　　一般來說，開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計(jì)?！　?? 　　圖?1開關(guān)管工作的功
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電流檢測(cè)電路設(shè)計(jì)圖詳解 —電路圖天天讀（150）

關(guān)鍵字：檢測(cè)電路 MOS管 MCU

經(jīng)典電源保護(hù)電子電路設(shè)計(jì)精華盤點(diǎn) —電路圖天天讀（199）

關(guān)鍵字：保護(hù)電路 MOS管電源管理

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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]