mlc nand 文章最新資訊

探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測(cè)編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會(huì)告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。　　不過還是有個(gè)變通方法
關(guān)鍵字：三星閃存 TLC NAND

大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1 引言　　隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、mp3音樂播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用 ...
關(guān)鍵字： NAND FLASH ARM 嵌入式系統(tǒng)

賽普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲(chǔ)器。
關(guān)鍵字：賽普拉斯 NAND SRAM

在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng)

在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng),JFFS2是Flash上應(yīng)用最廣的一個(gè)日志結(jié)構(gòu)文件系統(tǒng)。它提供的垃圾回收機(jī)制，不需要馬上對(duì)擦寫越界的塊進(jìn)行擦寫，而只需要將其設(shè)置一個(gè)標(biāo)志，標(biāo)明為臟塊，當(dāng)可用的塊數(shù)不足時(shí)，垃圾回收機(jī)制才開始回收這些節(jié)點(diǎn)。同時(shí)，由
關(guān)鍵字：文件文件系統(tǒng) JFFS2 實(shí)現(xiàn) flash nand

三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

　為了適應(yīng)下代移動(dòng)設(shè)備超輕超薄的特性，SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。

　　三星表示，新一代芯片將會(huì)包括16GB，32GB以及64GB等三個(gè)版本。不知道我們能否在下一代三星智能手機(jī)(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?
關(guān)鍵字：三星 NAND 內(nèi)存芯片

三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

下代移動(dòng)設(shè)備超輕超薄的特性，Samsung eMMC Pro Class 1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。
關(guān)鍵字：三星 NAND

為嵌入式應(yīng)用選擇、實(shí)現(xiàn)NAND閃存海量存儲(chǔ)

標(biāo)簽：NAND POS在嵌入式應(yīng)用中，海量存儲(chǔ)密度正在以前所未有的速度增長。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備、無線網(wǎng)卡、閃盤這樣的消費(fèi)產(chǎn)品由于需要處理越來越多的多媒體內(nèi)容而要求更高的海量
關(guān)鍵字：閃存海量存儲(chǔ) NAND 實(shí)現(xiàn) 應(yīng)用選擇嵌入式

Linux NAND FLASH驅(qū)動(dòng)代碼分析

Linux NAND FLASH驅(qū)動(dòng)代碼分析,FLASH驅(qū)動(dòng)在嵌入式系統(tǒng)中有著舉足輕重的位置，而目前市場(chǎng)上NAND flash的價(jià)格又要便宜與NOR FLASH,隨著越來越多的平臺(tái)支持從NAND FLASH中啟動(dòng)，掌握NAND flash的驅(qū)動(dòng)編寫有著重要的現(xiàn)實(shí)意義，由于內(nèi)核已經(jīng)完成了大部分
關(guān)鍵字：代碼分析驅(qū)動(dòng) FLASH NAND Linux

東芝將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能

　　訊 7月24日消息，據(jù)路透社報(bào)道，東芝公司周二稱，將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能。這凸顯了芯片市場(chǎng)供應(yīng)狀況的挑戰(zhàn)性，該公司的股價(jià)也因而出現(xiàn)下挫。　　東芝表示，由于U盤和存儲(chǔ)卡的芯片供過于求，它將削減其在日本西部的四日市工廠的產(chǎn)能。　　資產(chǎn)管理公司Religare Global Asset Management高級(jí)科技分析師大衛(wèi)·莫托佐·魯本斯藤(David Motozo Rubenstein)說道，“他們的產(chǎn)能下調(diào)幅度讓我有點(diǎn)意外。大家都知道該類芯片的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

如何讓U-boot實(shí)現(xiàn)Nand/Nor 雙啟動(dòng)

如何讓U-boot實(shí)現(xiàn)Nand/Nor 雙啟動(dòng),在做u-boot移植的時(shí)候，多數(shù)人使用的是Nand flash啟動(dòng)或Nar Flash啟動(dòng)。這樣u-boot就只能在Nand flash或Nor flash。那么我們?nèi)绾巫屛覀兊膗-boot在Nand flash或Nor flash都能使用。首先，我們說說u-boot,u-boot是系統(tǒng)
關(guān)鍵字：啟動(dòng) Nand/Nor 實(shí)現(xiàn) U-boot 如何

手機(jī)嵌入式SSD成NAND Flash應(yīng)用的新焦點(diǎn)

當(dāng)全球看好固態(tài)硬盤(SSD)是NAND Flash下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用的同時(shí)，手機(jī)內(nèi)建NAND Flash內(nèi)存的應(yīng)用(嵌入式SSD)卻搶先一步成為NAND Flash應(yīng)用的新焦點(diǎn)。目前最普遍的嵌入式SSD的接口規(guī)格為eMMC，是手機(jī)內(nèi)建儲(chǔ)存方案的新標(biāo)
關(guān)鍵字：應(yīng)用焦點(diǎn) Flash NAND 嵌入式 SSD 手機(jī)

在DSP系統(tǒng)中Nand+Flash存儲(chǔ)管理的實(shí)現(xiàn)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DSP Flash NAND 存儲(chǔ)管理

Spansion SLC NAND應(yīng)對(duì)嵌入式閃存應(yīng)用的新要求

　　最近，嵌入式閃存解決方案的主要廠商之一Spansion宣布推出其首個(gè)單層單元（SLC）系列NAND閃存產(chǎn)品。至此，Spansion公司的嵌入式閃存產(chǎn)品可大致分為以下三個(gè)系列：首要突出閃存性能的GL-S系列并行NOR閃存，注重降低系統(tǒng)成本的FL-S系列串行NOR閃存，以及此次推出的大容量SLC NAND閃存。　　嵌入式產(chǎn)品無處不在，因而對(duì)嵌入式存儲(chǔ)的需求也十分廣泛。不管是車載信息娛樂系統(tǒng)，還是電視機(jī)頂盒，抑或是通信基礎(chǔ)設(shè)備，都會(huì)用到嵌入式閃存。　　隨著科技的不斷發(fā)展，消費(fèi)者對(duì)用在
關(guān)鍵字： Spansion SLC NAND

爾必達(dá)事件對(duì)臺(tái)灣相關(guān)產(chǎn)業(yè)影響之觀察

日本DRAM大廠爾必達(dá)（Elpida）今年2月召開董事會(huì)，向東京地方法院提出更生程序并獲受理，子公司秋田爾必達(dá)（封測(cè)廠）亦同時(shí)申請(qǐng)公司更生程序。爾必達(dá)此舉引發(fā)產(chǎn)業(yè)不小震撼，也連帶的對(duì)相關(guān)上下游產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生相當(dāng)?shù)臎_擊
關(guān)鍵字： DRAM NAND

基于NAND FLASH的大容量視頻存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù)，給出了采用NAND FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，以FPGA為存儲(chǔ)陣列的控制器，并用DSF作為數(shù)據(jù)處理的核心單元，來完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法，同時(shí)對(duì)壞塊的檢測(cè)處理等關(guān)鍵問題提出了
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 視頻大容量 NAND FLASH 基于

共1151條 44/77 |‹ « 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 » ›|

mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　3與SLC對(duì)比　　1定義　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級(jí)，每一個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點(diǎn)與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　1、傳輸速率 [ 查看詳細(xì) ]