mlc nand 文章最新資訊

東芝和SanDisk日本建第3個NAND半導(dǎo)體工廠

　　日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產(chǎn)

　　東芝株式會社與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

摘要基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實現(xiàn)ECC校驗功能。測試結(jié)果表明，該程序可實現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗數(shù)據(jù)，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
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蘋果三星風(fēng)波引發(fā)四大半導(dǎo)體廠商主演四角戀大戲

　　最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會上，三星與蘋果之間的知識產(chǎn)權(quán)爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前，三星正準(zhǔn)備于8月份開始量產(chǎn)蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進(jìn)行了升級，使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
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東芝縮小與三星在NAND閃存差距

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆，這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商。　　
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第一季度NAND閃存領(lǐng)域競爭加劇

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭奪頭號排名的競爭加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！?/li>
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Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價格走勢

　　根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
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Mobile RAM防線恐失守

　　行動裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過于求警訊，日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。　　存儲器業(yè)者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
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Hynix成功開發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

　　Hynix半導(dǎo)體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。　　
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海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

　　南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。　　海力士相關(guān)人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。　　NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動裝
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臺DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

　　存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動，2010年全球獨立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場，面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示，認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計畫性地將各方力量做結(jié)合，才能讓臺灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟、市場波動沖擊?！?/li>
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需求趨緩致NAND閃存芯片價格下降

　　由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強勁，導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價格“快速”降低。　　今年5月的NAND芯片價格的降幅已經(jīng)超過15%，現(xiàn)貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家，但需求提升不像往年的第二季度那么強勁?！　?/li>
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終端需求疲軟 NAND Flash合約價大跌

　　第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報價大跌超過10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計整個5月現(xiàn)貨報價跌幅達(dá)20%，合約價合計跌幅也超過15%，反映終端需求確實需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會比第2季好一些，但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
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NAND Flash需求急凍模組廠瀕臨警戒線

　　全球NANDFlash市場需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計方法。
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關(guān)鍵字：嵌入式接口設(shè)計高性能閃存 DDR NAND 基于

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mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點　　3與SLC對比　　1定義　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點　　1、傳輸速率 [ 查看詳細(xì) ]