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TSMC展示用于AI的kW集成穩(wěn)壓器

  • TSMC 展示了用于 AI 的集成穩(wěn)壓器 （IVR），其垂直功率密度是分立設計的五倍。最新的 AI 數(shù)據(jù)中心芯片需要 1000A 的電流，下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此類電流的一種關(guān)鍵方法是使用垂直功率傳輸，并將功率饋送到 AI 芯片的背面。TSMC 開發(fā)的 IVR 使用基于 16nm 工藝技術(shù)的電源管理 IC （PMIC），該 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”電感器與硅通孔 （TSV）。該 PMIC 將具有陶瓷層來構(gòu)建電感器，PMIC 將位于襯底上，與使用 TSMC
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200 kW脈寬機高末簾柵壓的采樣

  • 摘要 200 kW脈寬機高末簾柵壓約27 kV，而采樣電壓僅需幾V。要對高末簾柵壓進行實時采樣，既要保障發(fā)射機工作的安全，又要確保采樣電路安全，同時采樣信息必須實時、準確。并要求采樣電路具有耐高壓、抗干擾的特性。
  • 關(guān)鍵字： 采樣  高末簾  kW  

高壓、大電流控制器實現(xiàn)多種拓撲 mW 至 kW 電池充電

  • 背景
    在很多細分市場上，電池充電的實際操作涉及多種電池化學組成、電壓和電流水平。例如：隨著現(xiàn)有及全新電池化學組成之新型應用的不斷涌現(xiàn) (太陽能應用中密封鉛酸電池 [SLA] 使用量的急劇增加便是一個例子)，工業(yè)
  • 關(guān)鍵字： kW  電池  充電  Linear  mW  拓撲  電流  控制器  實現(xiàn)  多種  

2 kW有源功率因數(shù)校正電路設計

  • 摘要：有源功率因數(shù)校正可減少用電設備對電網(wǎng)的諧波污染，提高電器設備輸入端的功率因數(shù)。詳細分析有源功率因數(shù)校正APFC(active power factor corrector)原理，采用平均電流控制模式控制原理，設計一種2 kW有源功率
  • 關(guān)鍵字： 校正  電路設計  因數(shù)  功率  有源  kW  
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