- 摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設計2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大
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4GHz CMOS 35 集成
- 圖1中電路會根據(jù)一個脈沖，切換一個DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關至步進電壓信號發(fā)生器，一個差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個繼電器驅(qū)動器，以及一個繼電器線圈?！ ∷矂娱_關提供驅(qū)動電路的步進電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
- 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
- 摘要：設計了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡在LDO輸出端引入零點，補償誤差放大器輸出極點的方法，避免了為補償LDO輸出極點，而需要大電容或復雜補償
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穩(wěn)壓器 設計 線性 LDO 成型 CMOS 全集
- 摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設計了一個12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時間常數(shù)匹配
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流水線 轉(zhuǎn)換器 CMOS MS 12位 一種
- 7月10日，北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現(xiàn)已進入創(chuàng)業(yè)板輔導流程。
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思比科 CMOS
- CMOS成像技術的領先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術創(chuàng)新銅獎。
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Aptina CMOS
- 高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆，締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機芯片廣泛應用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產(chǎn)品。
Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC，Si4700 IC重構了消
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Silicon-Labs IC CMOS
- 目前，包括移動設備在內(nèi)的很多多媒體設備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
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Sensor CMOS 調(diào)試 經(jīng)驗
- 1 引言 集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結構如圖1 所示
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設計 振蕩器 CMOS
- 制定行業(yè)公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作
就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現(xiàn)也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創(chuàng)造巨大財
富的機遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
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納米 CMOS
- 本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。
先進CMOS器件高k柵技術的進展
近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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脈沖 CMOS
- SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術。
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SuVolta CMOS
- ?????? 6月9日，應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。
NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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安森美 CMOS NCP4682
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