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gan system 文章 最新資訊

硅襯底上GaN基LED的研制進展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示

  • 基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示,摘要：采用自頂向下的設(shè)計思想，綜合運用EDA 技術(shù)、CPLD技術(shù)和共享式雙口RAM，解決了大屏幕LED點陣顯示屏無閃爍顯示的技術(shù)難題。給出了系統(tǒng)設(shè)計方法及實際電路。LED點陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端，其中
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一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

  • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
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System C特點及FPGA設(shè)計

  • System C特點及FPGA設(shè)計,一、概述 　　

    SYSTEM C 是由 Synospy Inc. 提出的，目前最新的版本為V2.0。它提出的目的就是以一種系統(tǒng)設(shè)計的思想進行系統(tǒng)設(shè)計。它將軟件算法與硬件實現(xiàn)很好的結(jié)合在一起，提高了整個系統(tǒng)設(shè)計的效率和正確性。
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億

  • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進展。 　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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深入了解賽靈思System Generator中的時間參數(shù)

  • 　基于模型的設(shè)計(MBD)因其在縮小實時系統(tǒng)抽象的數(shù)學(xué)建模和物理實現(xiàn)之間差距方面的光明前景而備受關(guān)注。通過使用相同的源代碼進行算法分析、架構(gòu)探討、行為模擬和硬/軟件設(shè)計，MBD有望縮短系統(tǒng)設(shè)計周期。 　　無需通
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基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示系統(tǒng)的實

  • 　LED點陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端，其中大屏幕LED點陣顯示屏在許多場合得以應(yīng)用。大屏幕顯示所采用的技術(shù)比中小屏幕顯示難度更大，因為其屏幕大、LED點數(shù)多，要求在極短的時間內(nèi)刷新每個點，使得其掃
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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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一種用于嵌入式系統(tǒng)的液晶顯示單元設(shè)計

  • 在自動化儀器儀表、工業(yè)測控裝置等嵌入式計算機系統(tǒng)中，圖形液晶顯示模塊（點陣LCD）以顯示靈活、信息量大、可實現(xiàn)圖形界面等優(yōu)點而被廣泛的用做顯示終端。這些模塊大多提供并行數(shù)據(jù)接口，少量提供串行接口的模塊也要
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IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
  • 關(guān)鍵字： IR  功率器件  GaN  終端  

測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術(shù)問題

  • 要預(yù)測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預(yù)測手機設(shè)計的品質(zhì)，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
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GPS接收機中高頻通道的仿真

  • 　　目前，GPS系統(tǒng)已被廣泛地應(yīng)用到人們生活的各個領(lǐng)域。隨著GPS定位理論研究的不斷深入以及硬件的不斷改進，GPS定位系統(tǒng)也日益完善。本文將從軟件實驗的角度分析GPS接收機高頻通道的工作原理；在此基礎(chǔ)上，設(shè)計一個增益分配方案，分析下變頻電路的噪聲特性，同時給出高頻通道電路在System View平臺上的系統(tǒng)仿真結(jié)果。 　　1 接收機的天線和傳輸損耗 　　GPS信號由于使用了碼元速率fb1=1.023MHz的擴頻碼(C/A碼)，調(diào)制后信號將占用2.046MHz帶寬。L1波段(1575.42MHz)信
  • 關(guān)鍵字： GPS  System View  系統(tǒng)仿真  接收機  
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