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gan system 文章 最新資訊

8位AVR得到Red/System語言支持

  • 紅色/系統(tǒng)（Red/System），在Syllable項目使用的新式程序語言，有了下一個里程碑式的成果——其編譯器的一個ARM代碼 ...
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功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

  • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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應(yīng)變工程項目大幅提高了綠色LED的光輸出

  • 中國科學院近日發(fā)布的一份報告稱，中國研究人員利用應(yīng)變工程已將150mA的電流注入了530nm發(fā)光的二極管（LED），光的...
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Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析

  • 2013年9月5日，首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導(dǎo)體研究所、南...
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大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

  • 近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統(tǒng)、高頻 ...
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硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實現(xiàn)高性價比照明

  • 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
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功率器件的利器 GaN

  • 　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。 　　GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
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富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
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SiC和GaN是“下一代”還是“當代”？

  • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當代”的色彩。 　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進入市場。G
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進入市場。G
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RIGOL示波器“comparo”彰顯出Smarter System之先

  • 眾多的產(chǎn)品正向更智能方向發(fā)展，我們必須充分利用All Programmable世界所提供的各種資源，以便在競爭中占得先機。這個道理是我在一次不經(jīng)意的經(jīng)歷中所悟出的。在Dave Jones EEVblog的一個最新視頻中，將普源精電公
  • 關(guān)鍵字： comparo  Smarter  System  RIGOL    

三菱化學計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能

  • 　　因照明用LED需求大增，三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍。 　　目前，三菱化學利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。 　　而為了要達到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學計劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程，開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施，開始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍
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GaN類功率元件，高耐壓成功率半導(dǎo)體主角

富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
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