首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan mos driver

gan mos driver 文章 最新資訊

GaN“上車”進程加速，車用功率器件市場格局將改寫

  • 根據(jù)Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進程加速，功率器件器件市場競爭格局或?qū)⒈桓膶憽D1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
  • 關鍵字： GaN  車用功率器件  Transphorm  SiC  

一文了解SiC MOS的應用

  • 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調(diào)、新能
  • 關鍵字： SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

德州儀器推出先進的GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

  • ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率?！? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通常面臨的許多設
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN IPM  高壓電機  

漲知識！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構與制造工藝

  • 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構進行對比，總結(jié)結(jié)構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結(jié)構與制造工藝（一）器件結(jié)構對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，目前市面上還未出現(xiàn)G
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  結(jié)構  制造工藝  

純化合物半導體代工廠推出全新RF GaN技術

  • 6月14日，純化合物半導體代工廠穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術，該技術結(jié)合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
  • 關鍵字： 純化合物  半導體  RF GaN  

CGD為電機控制帶來GaN優(yōu)勢

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
  • 關鍵字： CGD  電機控制  GaN  

CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

  • 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運行，
  • 關鍵字： CGD  數(shù)據(jù)中心  逆變器  GaN  功率IC  

CGD與中國臺灣工業(yè)技術研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關系、并共享市場信息、實現(xiàn)對潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi   | CGD 首席商務官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個電力解決方案研究團隊，在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗
  • 關鍵字： CGD  GaN  電源開發(fā)  

Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關鍵員工都將加入Power Integrations的技術部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術已廣泛應用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
  • 關鍵字： Power Integrations  Odyssey  氮化鎵  GaN  

Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

  • 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
  • 關鍵字： 功率半導體  氮化鎵  GaN  

從內(nèi)部結(jié)構到電路應用，這篇文章把MOS管講透了。

  • MOS管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構構造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話詳細描述。其結(jié)構示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數(shù)就是導通電阻，選用mos管必須清楚這個參數(shù)是否符合需求。解釋2：n型上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過來即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會導致導通，而p型的相反。解釋3：增強型相對于耗盡型
  • 關鍵字： 模擬電路  MOS  

GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器

  • D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個PWM調(diào)制器和兩個半橋功率級子板，實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
  • 關鍵字： GaN FET  D類音頻放大器  

氮化鎵器件讓您實現(xiàn)具成本效益的電動自行車、無人機和機器人

  • 基于氮化鎵器件的逆變器參考設計(EPC9193)讓您實現(xiàn)具有更高性能的電機系統(tǒng)，其續(xù)航里程更長、精度更高、扭矩更大，而且同時降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標準和高電流版本：●? ?EPC9193 是標準參考設計，在每個開關位置使用單個FET，可提供高達30ARMS 的最大輸出電流?！? ?EPC91
  • 關鍵字： 氮化鎵器件  電動自行車  無人機  機器人  EPC  GaN  宜普  

將達100億美元，SiC功率器件市場急速擴張

  • SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
  • 關鍵字： GaN  SiC  

GaN引領未來寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962

  • Qorvo是一家在射頻解決方案領域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創(chuàng)新的射頻技術，為移動、基礎設施與國防/航空航天市場提供核心技術及解決方案，致力于實現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關、調(diào)諧器等領域都展現(xiàn)出了強大的技術實力和市場地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產(chǎn)品在市場上具有較高的認可度和廣泛的應用。這使得Qorvo在推動5G網(wǎng)絡、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用市場的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領域之中，GaN材料展露出了重要的應用潛力。由于
  • 關鍵字： Qorvo  GaN  寬帶功率放大器  
共463條 5/31 |‹ « 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 » ›|

gan mos driver介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan mos driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan mos driver的理解，并與今后在此搜索gan mos driver的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473