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gan mos driver 文章 最新資訊

GaN 器件的直接驅(qū)動配置

  • 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓撲。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

GaN 將能源效率推升至新高度

  • 德州儀器(TI)是推動GaN開發(fā)和支持系統(tǒng)設計師采用這項新技術(shù)的領軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設計，致力于幫助系統(tǒng)設計師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡化設計流程。TI新穎的解決方案不僅可以優(yōu)化性能，而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實施問題，使客戶得以設計高能效系統(tǒng)，建設更綠色環(huán)保的世界。
  • 關(guān)鍵字： MOSEFT  GaN  UPS  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建模可以進行系統(tǒng)級仿真
  • 關(guān)鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應用

  • 寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關(guān)注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
  • 關(guān)鍵字： 安世  GaN  MOSFET  

新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
  • 關(guān)鍵字： 電源  SiC  IGBT  GaN  

助力新基建，安世半導體升級GaN產(chǎn)品線

  • 近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點應用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設備。 日前，安世半導體MOS業(yè)務集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
  • 關(guān)鍵字： 安世半導體  GaN  

Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

  • 半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅(qū)動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
  • 關(guān)鍵字： Nexperia  650V   氮化鎵  GaN  

聚焦“寬禁帶”半導體——SiC與GaN的興起與未來

  • 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
  • 關(guān)鍵字： 寬禁帶  半導體  SiC  GaN  

超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

  • 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應用范圍及更低的價格需求，金升陽推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應用于中小功率AC/DC反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內(nèi)置高壓功率MOS，最大輸出功率達20W，待機功耗＜75mW，具有極低的啟動電流和工作電流，可在實現(xiàn)低的損耗的同時保證可靠啟動。芯片滿載工作時，PWM開關(guān)頻率固定；降低負載后，進入綠色模式，開關(guān)頻率降低；在空載和輕載時，
  • 關(guān)鍵字： EMI  PWM  MOS  

貿(mào)澤即日起供應Qorvo旗下Custom MMIC全線產(chǎn)品

  • 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤電子  ( Mouser Electronics )  很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品均可在貿(mào)澤官網(wǎng)上在線訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實現(xiàn)一個萬物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
  • 關(guān)鍵字： MMIC  GaN  

學習采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設計最先進的人工智能、機械人、無人機、 全自動駕駛汽車及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)

  • EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場效應晶體管及集成電路的各種先進應用，包括面向人工智能的高功率密度運算應用，面向機械人、無人機及車載應用的激光雷達系統(tǒng)，以及Ｄ類放音頻放大器。宜普電源轉(zhuǎn)換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個視頻主要分享實用范例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術(shù)設計面向人工智能服務器及超薄筆記本電腦的先進?DC/DC轉(zhuǎn)換器?、
  • 關(guān)鍵字： GaN  音頻放大器  

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵（GaN）功率晶體管及集成電路的播客系列

  • 日前，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書的增訂內(nèi)容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應晶體管及集成電路的理論、設計基礎及應用，例如激光雷達、DC/DC轉(zhuǎn)換及無線電源等應用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書的內(nèi)容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
  • 關(guān)鍵字： GaN  播客  

TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設計

  • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
  • 關(guān)鍵字： GaN  UVLO  

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設計

  • 在所有電力電子應用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
  • 關(guān)鍵字： LDN  GaN  

馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領導者TRANSPHORM Inc.

  • 領先的汽車供應商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領導者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務
  • 關(guān)鍵字： OBC  GaN  
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