dram 文章 最新資訊
中國存儲三大陣營相繼試產,兩年后或取得全球產業(yè)話語權
- 今年下半年,隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段,中國存儲產業(yè)將迎來發(fā)展的關鍵階段。業(yè)界認為,國內存儲產業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖,但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響?! 《S著中美貿易局勢的緊張,以及中國監(jiān)管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查,中國存儲產業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關注?! ∧壳?,中國存儲器產業(yè)已經形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫,以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。 近期傳出合肥長鑫投產8
- 關鍵字: NAND DRAM
美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼:MU)宣布,中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司,針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件,該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權訴訟,實為報復此前臺灣檢察機關針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟,以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?! ≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷
- 關鍵字: 美光科技 DRAM NAND
重拳!美芯片巨頭在華遭禁售

- 此次對美國芯片巨頭美光(Micron)發(fā)出“訴中禁令”雖不是最終判決,但似乎暗示美光確實存在侵權行為。而這是中國發(fā)展半導體一路被指稱“竊密”和“侵權”以來,首次成功重拳回擊。
- 關鍵字: 芯片,美光,DRAM
DRAM漲價驅動,全球服務器銷額增33%、高于銷量升幅
- Gartner 6月11日公布,2018年第1季全球服務器銷售額年增33.4%至166.93億美元、出貨量年增17.3%。 Gartner研究副總裁Jeffrey Hewitt指出,服務器市場是由超大規(guī)模(Hyperscale)數據中心以及企業(yè)與中型數據中心支出攀高所驅動。他還提到,服務器第1季銷售均價上揚的原因之一是DRAM價格因供給吃緊而走高?! artner統(tǒng)計顯示,2018年第1季北美服務器銷售額、出貨量分別成長34%、24.3%,亞太分別成長47.8%、21.9%,歐洲、中東與非洲(EM
- 關鍵字: DRAM
中國存儲芯片要打破美日韓的壟斷局面尚需時間

- 受中美競爭特別是中興事件的影響,國內對芯片的重視程度被進一步拔高,而在存儲芯片方面隨著三大存儲芯片企業(yè)長江存儲、合肥長鑫和福建晉華的快速推進讓人看到中國存儲芯片企業(yè)有機會打破當前由美日韓企業(yè)壟斷的局面,不過要打破這一局面還需要時間。 美日韓壟斷存儲芯片市場 存儲芯片主要分為兩種,分別是DRAM和NAND flash,在我們日常見到的產品中分別是PC用的DRAM內存條和SSD硬盤,這兩類產品在各個行業(yè)都有廣泛的應用,而且隨著各個產業(yè)的發(fā)展這兩類產品的重要性正日益凸顯,這也導致存儲芯片價格自2016年
- 關鍵字: 芯片,DRAM
無錫SK海力士工廠突發(fā)火災,DRAM又要漲價了?
- SK海力士在無錫可謂多災多難。2008年曾經停電4個小時,2013年又發(fā)生重大火災,都有大量晶圓報廢,對全球DRAM內存、NAND閃存供應造成重大影響。
- 關鍵字: SK海力士,DRAM
DRAM行業(yè)深度報告:期待國產產能釋放改變全球供給格局
- 存儲器市場爆發(fā),DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%,首次超越邏輯電路,成為半導體第一大產品。DRAM繼續(xù)保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位,合計市占率超過95%,國產廠商開始積極布局,2018年將實現(xiàn)量產,有望逐步改變當前產業(yè)格局。DRAM消費產品中,移動終端、服務器和PC依舊占據頭三名,合計占比86%,未來將繼續(xù)拉動DRAM消費增長。 三星領先優(yōu)勢明顯,傳統(tǒng)技術難以替代。三星于2017年開始量產第二
- 關鍵字: DRAM 三星
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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