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DDR3：千呼萬喚始出來尤抱琵琶半遮面

內(nèi)存是PC機重要的部件之一，一般而言，每代內(nèi)存規(guī)格的生命周期為3-5年，如今DDR2規(guī)格在經(jīng)歷了4年左右的發(fā)展后，已經(jīng)進(jìn)入了其生命的最后歷程。　　隨著電腦技術(shù)以及應(yīng)用軟件的不斷進(jìn)步，在各種應(yīng)用當(dāng)中， DDR2內(nèi)存無論在性能還是功耗上對現(xiàn)今以及未來的需求都顯的有些捉襟見肘。作為IT行業(yè)的領(lǐng)跑者，在Intel現(xiàn)階段以及今后的發(fā)展藍(lán)圖中，我們可以看見DDR3內(nèi)存正逐漸取代DDR2。　　作為即將取代DDR2規(guī)格內(nèi)存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進(jìn)能為我們帶來什么好處呢？
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在DDR3 SDRAM存儲器接口中使用調(diào)平技術(shù)

　　引言　　DDR3 SDRAM存儲器體系結(jié)構(gòu)提高了帶寬，總線速率達(dá)到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結(jié)構(gòu)的確速率更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但是怎樣才能實現(xiàn)DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調(diào)平技術(shù)是關(guān)鍵。如果FPGA I/O結(jié)構(gòu)中沒有直接內(nèi)置調(diào)平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口會非常復(fù)雜，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是調(diào)平技術(shù)，這一技
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DRAM過剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來良機

　　據(jù)國外媒體報道，人們現(xiàn)在可以歡呼DRAM內(nèi)存芯片的供過于求，雖然它影響了一些公司和它們的庫存產(chǎn)品價格。從積極的角度看，較低的內(nèi)存價格正在刺激電腦制造商在新機器上安裝更多DRAM芯片，同時將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進(jìn)的第三代內(nèi)存芯片。　　全球最大DRAM制造商三星電子公司相信，內(nèi)存價格下跌將加快業(yè)界采用更大字節(jié)容量DRAM芯片的步伐，其速度將大大超過以往。就在三個月前，三星公司曾表示，由于價格疲弱，電腦標(biāo)配內(nèi)存已從512M變成了1G。　　目前，主流DRAM芯片為1G字
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FPGA如何同DDR3存儲器進(jìn)行接口?

　　大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III產(chǎn)品營銷經(jīng)理。到目前為止，我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器工作，今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯，如屏幕上所示。　　為了更好地進(jìn)行演示，我們將使用這里所示的Stratix III DDR3存儲器電路板。它上面有幾個高速雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器，例如DDR2 UDIMM插槽、RLD RAM、QDR，當(dāng)然，還有DDR3 UDIMM插槽。因此，我們所要做的就是通過Quartus軟件來下載一個簡單設(shè)計，F(xiàn)PGA
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奇夢達(dá)1GB和2GB的省電DDR3 SO-DIMMs開始出貨

　　奇夢達(dá)公司宣布1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM內(nèi)存模塊 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開始出貨給主要客戶，以布局下一代的筆記型計算機市場。奇夢達(dá)將其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化，提供了超強的省電功能，已居于業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)地位。在移動運算中，省電是新DDR3內(nèi)存接口很重要的價值體現(xiàn)，因它能在筆記型計算機及其它移動運算應(yīng)用裝置中，讓電池有較長壽命且仍保持較高的性能表現(xiàn)。奇夢達(dá)率先于2006年6
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Stratix III FPGA性能達(dá)到了533-MHz DDR3接口標(biāo)準(zhǔn)

　　Altera公司宣布，Stratix® III FPGA的DDR3存儲器接口速率超過1067 Mbps，存儲器性能比競爭FPGA解決方案高出33%。更寬的存儲器帶寬支持新的通信、計算和視頻處理應(yīng)用，以前很難實現(xiàn)這類應(yīng)用或者需要增加存儲器塊才能實現(xiàn)。Altera的Stratix III FPGA系列是業(yè)界唯一完全符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的FPGA，該標(biāo)準(zhǔn)包括為提高性能而制定的高性能讀寫均衡規(guī)范。　　Altera高端產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)David Greenfie
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 Altera FPGA DDR3 MCU和嵌入式微處理器

Altera宣布Stratix® III FPGA的DDR3存儲器接口速率超過1067 Mbps

　　Altera公司宣布，Stratix® III FPGA的DDR3存儲器接口速率超過1067 Mbps，存儲器性能比競爭FPGA解決方案高出33%。更寬的存儲器帶寬支持新的通信、計算和視頻處理應(yīng)用，以前很難實現(xiàn)這類應(yīng)用或者需要增加存儲器塊才能實現(xiàn)。Altera的Stratix III FPGA系列是業(yè)界唯一完全符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的FPGA，該標(biāo)準(zhǔn)包括為提高性能而制定的高性能讀寫均衡規(guī)范。　　Altera高端產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)David Greenfie
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FPGA與DDR3 SDRAM的接口設(shè)計

DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達(dá)到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達(dá)到2Gbits的高密度。這個架構(gòu)毫無疑問更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何實現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DIMM條的接口設(shè)計呢？　　關(guān)鍵字：均衡（leveling）　　如果FPGA&nbs
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奇夢達(dá)DDR3內(nèi)存組件和模組經(jīng)過英特爾認(rèn)證

　　奇夢達(dá)近日宣布，作為首批DRAM供應(yīng)商之一，已開始向重要的主板廠商和超頻內(nèi)存模組制造商提供全新的DDR3組件和模組。此外，奇夢達(dá)新一代DDR3 DRAM產(chǎn)品已通過英特爾平臺的認(rèn)證。　　奇夢達(dá)目前可提供512 MB DDR3 SDRAM組件和具備512MB和1GB存儲密度的 DDR3非緩沖DIMM。當(dāng)前提供的這些器件支持800MHz、1066MHz 和 1333MHz的工作速度，甚至可超頻到1600MHz及以上，使它們成為迄今為止行業(yè)速度最快的器件。超頻是提高高端應(yīng)用PC系統(tǒng)性能的常用技術(shù)，例如3
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ddr3介紹

目錄概述設(shè)計發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn) 概述　　針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下：　　(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]

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DDR3 和 LPDDR3 測量和分析
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