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Quamtum-SI DDR3仿真解析

  • Automated DDR3 Analysis

    Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam
  • 關鍵字： Quamtum-SI  DDR3  仿真    

Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭

  • 　　DRAM價格走揚，帶動全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長6.9%;其中，南韓三星市占率達32.3%，穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。 　　集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過，在電腦系統(tǒng)廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡，價格也持續(xù)走揚。 　　根據(jù)統(tǒng)計，第一季DDR3合約季均價上漲16%，現(xiàn)貨季均價也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面，第1季合約季均價上漲5%，現(xiàn)貨季均價則持平表現(xiàn)。 　　而在產(chǎn)品價格走揚，加上各
  • 關鍵字： 三星  DRAM  DDR3  

三星將加大40nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)能

  • 　　頂級內存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐，刺激服務器廠商對DDR3內存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內存芯片產(chǎn)品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內存條。 　　三星半導體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當與
  • 關鍵字： 三星  內存芯片  40nm  DDR3  

集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9%

  • 　　根據(jù)集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現(xiàn)貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現(xiàn)貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價持平，持續(xù)維持在高檔價格。 　　由于計算機系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉進至DDR3，使買方亦努力拉
  • 關鍵字： Samsung  DRAM  DDR3  

27日:AMD推7款嵌入式處理器支持DDR3

  • 　　newsfactor.com：谷歌Android市場目前已有3.8萬個應用程序 　　Android市場向企業(yè)開放僅僅幾個月之后，這個移動應用程序市場就提供了3.8萬多個移動應用程序。推出其開源軟件Android操作系統(tǒng)市場的谷歌正在與蘋果應用程序商店爭奪人們的注意力。 　　有報道稱，谷歌Android市場已經(jīng)有5萬個應用程序。但是，谷歌發(fā)言人Anthony House說，截止到4月15日，谷歌有3.8萬多個應用程序。他不愿意對5萬個應用程序的報道發(fā)表評論。 　　無論是3.8萬還是5萬個應用程序，
  • 關鍵字： AMD  嵌入式處理器  DDR3  

AMD 集顯SOC芯片將采用基于體硅制程的40nm制程技術制作

  • 　　AMD公司據(jù)稱已經(jīng)收到了首批Fusion集顯處理器產(chǎn)品Ontario的試產(chǎn)樣件。Ontario是Fusion集顯處理器系列產(chǎn)品中專門面向上網(wǎng)本， 平板電腦以及其它低功耗設備的處理器。這款處理器將采用內部集成Bobcat架構雙核x86處理器核心的設計，同時還將集成DX11級別集顯核心和 DDR3內存控制器。不過從本質上講，Ontario其實算是一款單芯片式的SOC產(chǎn)品。據(jù)Xbit labs網(wǎng)站的報道，Ontario芯片將會使用基于體硅的40nm制程工藝制作。 　　這款芯片的可能代工方將有Globalf
  • 關鍵字： AMD  處理器  DDR3  

全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

  • 　　日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內存條，雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。 　　爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
  • 關鍵字： 爾必達  40nm  CMOS  DDR3  

壞消息：DDR2/DDR3芯片價格仍保持漲勢

  • 　　1Gb DDR2/DDR3內存芯片的現(xiàn)貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位，顯示目前內存芯片市場仍處于供不應求的緊張局面。據(jù)消息來源表示，造成這種局面 的原因主要是內存芯片廠商目前都在實施轉產(chǎn)DDR3芯片的動作;另外一方面，由于PC廠商事先預計到了這種狀況，因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略，而這則進一步加劇了這種危機。 　　據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計，3月18日，打標和eTT(即經(jīng)過芯片廠商完全測試，但沒有打上原廠激光標記的芯片)1Gb DDR2芯片的價格分別上升了3.97%和4.3
  • 關鍵字： 內存芯片  DDR3  

三星、力晶猛喊節(jié)制擴產(chǎn)　DRAM廠：高手過招戲碼

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風向球。權五鉉表示，2010年下半DRAM價格可以維持穩(wěn)定，未來DRAM業(yè)者不應一昧地追求價格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產(chǎn)，要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個論壇最大高潮。 　　權五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關半導體市場及
  • 關鍵字： Samsung  DRAM  DDR3  

DDR3測試產(chǎn)能不足　DRAM封測廠加緊進設備

  • 　　隨著各家DRAM廠加快腳步轉進DDR3，對后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測試、預燒等相關產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測廠上演搶機臺戲碼，希望能夠盡量提前讓機臺進駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復正常，存儲器封測廠3月接單熱絡，預期單月營收應可處于歷史高檔水平。 　　受惠于2010年存儲器市場復蘇，以及DDR2轉換至DDR3速度加快，力成訂單能見度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分，卡在測試機臺供應不及，測試產(chǎn)能不足
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  DDR3  

三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片

  • 　　三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內存芯片。 　　這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內存條或者8GB SO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%，能為數(shù)據(jù)中心、服務器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。 　　三星指出，目前服務器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內存條，總容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內存子系統(tǒng)功耗可達210W，換
  • 關鍵字： 三星電子  40nm  DDR3  

鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內存芯片

  • 　　鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設在Boise的研發(fā)中心開始研制。     　　兩家廠商預計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。 　　兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節(jié)省30%電能。 　　這款42nm 2Gb
  • 關鍵字： 鎂光  內存芯片  DDR3  

DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

  • 　　報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。 　　Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。 　　Simon Chen還表示，上游芯片供應商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過這種升級或許會因為其它設備的供應短缺而延緩。 　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
  • 關鍵字： DRAM  DDR3  DDR2  

三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內存芯片

  • 　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經(jīng)通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。 　　三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內存(Gree
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  30nm  DDR3   

DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”

  • 　　在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。 　　但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。 　　DDR3來臨 　　第三季度，下一代DRAM技術——DDR3看到希望，而且顯然這種技術代表未來的一股潮流。iSuppli公司預測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
  • 關鍵字： DRAM  DDR3  DDR2  
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ddr3介紹

目錄概述 設計 發(fā)展 DDR3內存的技術改進 概述 　　針對Intel新型芯片的一代內存技術（但目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下： 　　(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細 ]

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