- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現更高的效率，同時避免出現導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電
- 關鍵字：
Vishay MOSFET
- 美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉
- 關鍵字：
GaN MOSFET
- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評定這些參數對其的影響，以及在哪些應用條件下需要考慮這些參數。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關條件下的工作狀態(tài)。
- 關鍵字：
雪崩 能量 UIS MOSFET 功率 理解
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的液晶電視功率解決方案相比現今使用的傳統(tǒng)解決方案，可為設計人員提供顯著優(yōu)勢，最近的創(chuàng)新技術能夠減少元件數目，簡化設計，并進一步提高可靠性——所有這些可以大幅降低成本。
通過技術進步，飛兆半導體的半橋解決方案Ultra FRFET系列進一步優(yōu)化設計，具有35ns~65ns的同類最佳反向恢復時間(trr)和業(yè)界最小的反向恢復電流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶電視設計使用MOSFET和半橋電路中的兩個快速恢
- 關鍵字：
Fairchild 液晶電視 MOSFET
- 據iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。
GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術，最近已從大學實驗階段進入商業(yè)化階段。該技術對于供應商來說是一個有吸引力的市場機會，它可以向它們的客戶提供目前半導體工藝材料可能無法企及的性能。
iSuppli公司認為，在過去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導體領域中大有前途的新星。
首先，硅在
- 關鍵字：
iSuppli MOSFET 電源管理芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產品。這些系列器件具有業(yè)內領先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創(chuàng)新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關鍵應用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產品線組合的典型代表產品。
2010年將要發(fā)布的Super 12產品是：
597D和T97多模鉭電容：對于+28V應
- 關鍵字：
Vishay 電容 導通電阻 MOSFET
- 全球高性能模擬半導體設計和制造領導廠商Intersil公司今天宣布，推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 --- ISL8088。該器件采用超小封裝，具有非常高的功率轉換效率和低靜態(tài)電流。
ISL8088是每通道800mA的雙通道降壓穩(wěn)壓器，內部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的輸入電壓和35mA的靜態(tài)電流，使ISL8088成為電池供電和其他“綠色電源”應用的理想之選。ISL8088可以選擇工作在強制的PWM模式和自動的PWM/PFM模式，以延長電池壽命。
- 關鍵字：
Intersil 穩(wěn)壓器 ISL8088 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉換器解決方案，具有先進的控制器IC和柵極驅動器、兩個針對PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨立降壓穩(wěn)壓器配置中的自啟動開關，采用節(jié)省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。
microBUCK系列的產品綜合了Vishay獨特的分立MOSFET設計、IC專長和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
- 關鍵字：
Vishay microBUCK MOSFET 封裝
- 在節(jié)能環(huán)保意識的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動下，提高能效已經成為業(yè)界共識。與反激、正激、雙開關反激、雙開關正激和全橋等硬開關技術相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開關技術能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應用中，軟開關技術越來越受設計人員青睞。
另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應用。半橋配置涉及兩種基本類型的MOSFET驅動器，即高端(High-Side)驅動器和低端(Low-Side)驅動器。高端表示M
- 關鍵字：
安森美 MOSFET 變壓器 硅芯片
- 國際著名電子、電機和工業(yè)產品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產品。
此次推出的產品中，除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通電阻特性, 并實現了小型薄型大功率), 低壓驅動閃光用IGBT產品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產品。 通過驅使獨自的核心技術, 三洋在多
- 關鍵字：
RS MOSFET IGBT
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現業(yè)界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
- 關鍵字：
IR MOSFET HEXFET
- PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產品系列共由16款高度集成的功率轉換IC組成，其內部均集成有一個725 V功率MOSFET，適用于設計反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個負載范圍內的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時降低系統(tǒng)散熱管理的復雜性及費用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機模式下對系統(tǒng)的供電量，這一點特別適用于受到能效標準和規(guī)范約束的產品應用。
- 關鍵字：
PI 功率轉換IC TOPSwitch-JX MOSFET
- 基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1 引言
隨著電力電子技術的發(fā)展，各種新型的驅動芯片層出不窮，為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
- 關鍵字：
芯片 功能 應用 驅動 MOSFET UCC27321 高速 基于
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產品系列，可應對工業(yè)、計算和電信系統(tǒng)對更高效率和功率密度的設計挑戰(zhàn)。
FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供無與倫比的效率和結溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm，在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導損耗更比其它外形尺寸相同
- 關鍵字：
Fairchild MOSFET 電源
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會上，展示其最新的功率技術和移動技術。時間及地點分別是3月4至5日于深圳會展中心2號展館2K19展臺，以及3月15至16日于上海世貿商城四樓8H01展臺。
智能移動解決方案：
飛兆半導體將展示其豐富的模擬技術產品系列，以及相關的定制解決方案和系統(tǒng)級專有技術，這些產品及方案在解決移動領域之設計和應用難題方面發(fā)揮不可或缺的重要作用。例如，飛兆半導體的業(yè)界最小的USB附件開關FSA800將所有主
- 關鍵字：
飛兆 功率 智能移動 MOSFET
coolsic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條coolsic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
