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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流

- 由于具有較低的偏置電流,人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應(yīng)該意識到,這個事實還與很多其它的原因相關(guān)?! MOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個例子。這些二極管會存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時候,漏電流匹配的相當好,僅僅會存在小于1皮安的殘余誤差電流
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場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂

- 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念 場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱,由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電,也稱為單極性場效應(yīng)管,是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件,場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點,而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω,噪聲低,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強,且比后者耗電省,這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字: 場效應(yīng)管 MOS JFET 場效應(yīng)管工作原理
導入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率,半導體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場效應(yīng)電晶體(FET);其中,采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
- 關(guān)鍵字: Cascode GaN 場效應(yīng)管
Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
- 關(guān)鍵字: Power Integrations SiC二極管 JFET
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