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帶休眠國產(chǎn)CAN收發(fā)器SIT1043Q網(wǎng)絡(luò)故障診斷原理及應(yīng)用

CAN總線學(xué)名控制器局域網(wǎng)，本身就是為了控制汽車而開發(fā)的。因?yàn)槠鋽?shù)據(jù)傳輸速度快抗干擾能力強(qiáng)，目前已經(jīng)成為了最為主流的汽車總線。對(duì)于汽車來說，CAN總線就是它的神經(jīng)系統(tǒng)。這個(gè)系統(tǒng)一般由很多ECU節(jié)點(diǎn)組成的控制單元，每個(gè)ECU節(jié)點(diǎn)都有自己的故障檢測功能，基本上每個(gè)ECU都有一塊EEPROM，用來存儲(chǔ)自身故障信息，然后還會(huì)上傳到網(wǎng)關(guān)的EEPROM，并以診斷故障碼（Diagnose trouble code）的形式存儲(chǔ)。車載CAN網(wǎng)絡(luò)診斷系統(tǒng)框圖如圖1所示，為保障車輛行車安全，ECU應(yīng)當(dāng)能夠進(jìn)行故障自檢，DTC(
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意法半導(dǎo)體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？

現(xiàn)代-起亞集團(tuán)的 E-GMP 純電平臺(tái)以 800V 高電壓架構(gòu)、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺(tái)在后馬達(dá) Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導(dǎo)體，成本與轉(zhuǎn)換效率比傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體更高，更能提升續(xù)航。如今瑞士半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認(rèn) E-GMP 平臺(tái)的起亞 EV6 等車款將采用，預(yù)計(jì)在動(dòng)力、續(xù)航都能再升級(jí)。E-GMP 平臺(tái)，原先已在后馬達(dá)逆變器采用 Si
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宇宙輻射對(duì)OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評(píng)估

汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對(duì)大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來提供解決方案。在追求性能的同時(shí)，對(duì)于車載產(chǎn)品來說，可靠性也是一個(gè)重要的話題。在車載OBC/DCDC應(yīng)用中，高壓功率半導(dǎo)體器件用的越來越多。對(duì)于汽車級(jí)高壓半導(dǎo)體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及，但事實(shí)是無論
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通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題

高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴(kuò)建，推出最新MOSFET產(chǎn)品

近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績，其三季度業(yè)績直線上揚(yáng)，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級(jí)解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業(yè)務(wù)全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統(tǒng)的I
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EEVIA媒體論壇之英飛凌：賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展

在最近召開的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會(huì)上，來自英飛凌安全互聯(lián)系統(tǒng)事業(yè)部的汽車級(jí)WiFi/BT及安全產(chǎn)品應(yīng)用市場管理經(jīng)理?xiàng)畲蠓€(wěn)以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展“為題，詳細(xì)介紹了英飛凌在汽車電子領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品和未來趨勢。?新能源車是全球汽車市場增長最快也是需求最旺盛的領(lǐng)域，特別是在中國這個(gè)全球產(chǎn)銷第一的市場，2022年國有品牌汽車占據(jù)近一半的中國汽車市場份額，最大的驅(qū)動(dòng)力是來自于新能源車和電動(dòng)車?？梢灶A(yù)想，隨著政府和車廠的支持，電動(dòng)車未來幾年會(huì)迎
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC 電動(dòng)汽車無人駕駛

SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”

當(dāng)前，全球主要國家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現(xiàn)的過程中，軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)?dòng)大量基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，因此軌道交通的“碳達(dá)峰”雖然和工業(yè)的“碳達(dá)峰”路徑有差異，但總體實(shí)現(xiàn)時(shí)間將較為接近。在中國，這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)是2030年之前。當(dāng)然，“碳達(dá)峰”在每一個(gè)領(lǐng)域都有狹義和廣義的區(qū)分，比如在工業(yè)領(lǐng)域，一方面是重點(diǎn)企業(yè)自身通過節(jié)能+綠電的方式實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰”，另一方面也需要圍繞重點(diǎn)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實(shí)現(xiàn)能耗降低。對(duì)于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
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智能汽車CAN FD總線需要什么樣的降噪對(duì)策？

CAN FD等接口使用被稱為差分傳輸?shù)膫鬏敺绞健２罘謧鬏斖ㄟ^兩條信號(hào)線之間的電位差傳輸信號(hào)，因此具有不易受外部輻射噪聲影響的特點(diǎn)。1. CAN FD是什么CAN FD是連接汽車內(nèi)的ECU或電腦并進(jìn)行通訊的車內(nèi)局域網(wǎng)之一。CAN FD能夠以比以往的CAN標(biāo)準(zhǔn)更快的速度進(jìn)行通訊。2. 噪聲問題CAN FD具有比以往的CAN更高的比特率，這也增加了CAN通訊時(shí)產(chǎn)生的發(fā)射噪聲問題。CAN FD等接口使用被稱為差分傳輸?shù)膫鬏敺绞?。差分傳輸通過兩條信號(hào)線之間的電位差傳輸信號(hào)，因此具有不易受外部輻射噪聲影響的特點(diǎn)。此外
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬物電氣化”

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線，首個(gè)SiC器件芯片投片成功

10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)測，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
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浪涌保護(hù)不再難適于ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發(fā)器的5種方案請查收

引言在工業(yè)、汽車和儀器儀表應(yīng)用中，因操作不當(dāng)、存在電氣噪聲的操作環(huán)境，甚至雷擊造成的大瞬態(tài)電壓可能會(huì)形成巨大壓力，導(dǎo)致通信端口和基礎(chǔ)電子設(shè)備受損。對(duì)此，ADI推出了信號(hào)和電源隔離式ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發(fā)器，能夠承受其中許多瞬態(tài)電壓，并保護(hù)敏感的電子設(shè)備。根據(jù)IEC標(biāo)準(zhǔn)和瞬態(tài)電壓大小，瞬態(tài)電壓可分為靜電放電(ESD)、電快速瞬變脈沖群(EFT)和浪涌。通過ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發(fā)器的片內(nèi)集成保護(hù)，可實(shí)現(xiàn)4級(jí)IEC 61000-4-2 ESD保護(hù)、IE
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意法半導(dǎo)體CAN FD Light多像素驅(qū)動(dòng)器助力下一代汽車照明設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體的L99LDLH32線性穩(wěn)流器為使用輕量級(jí)?CAN FD Light 協(xié)議控制動(dòng)態(tài)汽車照明提供了一個(gè)簡便的集成解決方案。OLED 燈可以從很小的表面發(fā)射明亮、均勻和高對(duì)比度的光線，新驅(qū)動(dòng)器與OLED完美匹配，讓設(shè)計(jì)師能夠創(chuàng)造復(fù)雜的圖案和光效，增強(qiáng)汽車的安全性和外觀設(shè)計(jì)視覺效果。L99LDLH32有32個(gè)可在1mA至15mA范圍內(nèi)獨(dú)立編程的穩(wěn)流電源，可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)車內(nèi)外燈具的每個(gè)像素，還提供8 位分辨率的整體調(diào)光功能。當(dāng)用車輛電池電壓供電時(shí)，驅(qū)動(dòng)器最高輸出電壓35 V，覆蓋較寬的發(fā)射極正向
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi

使用TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率

隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商競相開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因?yàn)樗鼤?huì)影響系統(tǒng)熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級(jí)別更高，每輛汽車的電機(jī)數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高
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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC
關(guān)鍵字：貿(mào)澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET