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ak2+esd 文章 最新資訊

為便攜應用選擇適合的集成EMI濾波及ESD保護方案

  • 　　如今的手機等便攜設備的尺寸日趨小巧纖薄，同時又在集成越來越多的新功能或新特性，如大尺寸顯示屏、高分辨率相機模塊、高速數(shù)據(jù)接口、互聯(lián)網(wǎng)接入、電視接收等，讓便攜設備的數(shù)據(jù)率及時鐘頻率越來越高。這樣，便攜設備面臨著諸多潛在的電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)源的風險，如開關負載、電源電壓波動、短路、電感開關、雷電、開關電源、RF放大器和功率放大器、帶狀線纜與視頻顯示屏的互連及時鐘信號的高頻噪聲等。因此，設計人員需要針對音頻插孔/耳機、USB端口、揚聲器、鍵盤、麥克風、相機、顯示屏互連等多個位置，為便攜設
  • 關鍵字： 安森美  EMI  ESD  

飛兆半導體推出一款單一P溝道MOSFET器件

  • 　　飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應用的設計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠實現(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197P
  • 關鍵字： Farichild  MOSFET  FDZ197PZ  ESD  

保護汽車電子系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)線與電源線

  • 　　前言 　　今天，汽車電子設備在整車中所占的比例相當大。這些電子模塊雖然為汽車用戶帶來了舒適性和安全性，但與此同時，從汽車環(huán)境中電子模塊的可靠性來分析，也產(chǎn)生了一些不容忽視的問題。 　　因為電子模塊對電磁干擾(EMI)、靜電放電(ESD)和其它電氣干擾(汽車本身是這些危害的源頭)十分敏感，所以在汽車環(huán)境中使用電子模塊時必須慎重考慮。針對當前汽車常見的電氣危害，國際標準化組織出臺了多套電氣保護標準。汽車制造商和供應商必須考慮這些標準，而只有在電子模塊中增加保護元器件，才能履行這些標準所規(guī)定的主要責任。
  • 關鍵字： ST  汽車電子  EMI  ESD  

保護汽車電子系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)線和電源線

ST推出一款新的濾波和ESD保護二合一芯片

  • 　　消費電子全球領先半導體供應商意法半導體推出一款新的濾波和ESD保護二合一芯片，新產(chǎn)品可以濾除手機產(chǎn)生的高頻干擾，讓便攜音樂播放器和功能手機輸出更為優(yōu)異的音質。 　　意法半導體的這款新器件是銷售量日益增長的音樂手機的理想選擇。市場調(diào)查公司iSuppli預測，到2010年，音樂手機的年銷售量將超過10億臺，占整個手機市場份額的90%以上。這款新器件還可以保護其它便攜音樂播放器，防止附近的手機產(chǎn)生的電磁干擾。 　　新器件EMIF04-EAR02M8的尺寸為1.5 x 1.7mm，可以替代音樂播放器的
  • 關鍵字： ST  ESD  濾波  便攜音樂播放器  

高性能的便攜應用ESD保護方案

  • 　　隨著手機等便攜設備中具備更多的功能，可供靜電放電(ESD)電壓進入的潛在輸入輸出(I/O)通道更趨眾多，包括鍵盤、按鍵、SIM卡、電池充電、USB接口、FM天線、LCD顯示屏、耳機插孔、FM天線等眾多位置都需要ESD保護。根據(jù)電容及數(shù)據(jù)率的不同，便攜設備的ESD保護應用領域可分為大功率、高速和極高速等三個類型，其電容分別為大于30 pF、介于1至30 pF之間和小于1 pF，參見表1。由此表中可見，速度越高的應用要求的電容也越低，這是因為高速應用中更需要維持信號完整性及降低插入損耗。 　　表1：便攜
  • 關鍵字： 安森美  ESD  便攜設備  CMOS芯片  TVS  

安森美半導體推出兩款靜電放電保護器件

  • 　　全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積，與采用塑模封裝的產(chǎn)品相比，提供顯著的性能/電路板面積比優(yōu)勢。 　　安森美半導體采用這新型封裝的首批產(chǎn)品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G，擴展了公司高性能片外ESD保護產(chǎn)品系列。安森美
  • 關鍵字： 安森美  ESD  ESD11N  ESD11B  

飛思卡爾系統(tǒng)基礎芯片簡化并幫助保護汽車網(wǎng)絡

  • 　　LIN(Local Interconnect Network)是基于通用異步收發(fā)器(UART)的串行通信協(xié)議作為一種低成本的串行通訊網(wǎng)絡，用于實現(xiàn)汽車中的分布式電子系統(tǒng)控制，LIN為現(xiàn)有汽車網(wǎng)絡(例如CAN總線)提供輔助功能，LIN網(wǎng)絡為電機、開關、傳感器和燈的連接提供了經(jīng)濟高效的單線主從架構。 　　為了保護運行在惡劣環(huán)境中的汽車電子組件，飛思卡爾半導體近日推出了先進系統(tǒng)基礎芯片(SBC)系列，旨在為LIN汽車網(wǎng)絡提供強勁的電磁兼容性(EMC)和靜電放電(ESD)性能。 　　針對汽車電子應用市場對
  • 關鍵字： 飛思卡爾  LIN  UART  汽車網(wǎng)絡  SMARTMOS  EMC  ESD  200906  

安森美推出共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護IC

  • 　　安森美半導體(ON Semiconductor)推出業(yè)界首款共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護集成電路(IC) ，應用于高速數(shù)據(jù)線路。 　　新的NUC2401MN結合了高帶寬差分濾波、固體共模停止帶寬衰減及世界級ESD保護。這些結合的特性，使這方案遠優(yōu)于典型的電磁干擾(EMI)濾波器及分立可選方案，同時有助顯著減少元件數(shù)量。這器件讓設計人員實現(xiàn)優(yōu)異的濾波及保護性能，且節(jié)省空間及成本，并提高總體可靠性，非常適用于基于高速差分數(shù)據(jù)線路的廣泛應用，包括USB 2.0、IEEE1394、低壓差分信令(L
  • 關鍵字： 安森美  ESD  IC  

技術降成本 創(chuàng)新求發(fā)展

  •         電子元件技術網(wǎng)(www.cntronics.com)攜手中國電子展將在4月9日-4月10日在深圳會展中心舉辦三大技術和采購研討會及峰會，主題為：技術降成本，創(chuàng)新求發(fā)展。 　　金融海嘯席卷全球，中國的電子制造業(yè)也受到不同程度的影響。今天的設計活動是明天的晴雨表,知道了產(chǎn)品的趨勢和技術應用的趨勢可以預測市場的變化。市場不好，研發(fā)更不能停。電子元件技術網(wǎng)CEO劉杰博士（Michael Liu）認為經(jīng)濟下坡時，市場受信心的影響
  • 關鍵字： 元件  創(chuàng)新  ESD  LED  

探索供應電源關閉時的‘Off-amps’問題

  • 除了靜電放電(ESD)測試以外，放大器的所有特性都是以電源開啟的狀態(tài)下所呈現(xiàn)的，因此，當電源供應關閉時，放大器所 ...
  • 關鍵字： ADI  ESD  電源  關閉  保護  

在PCB板的設計當中抗ESD的方法與分析

可靠性工程——關于電子設備靜電放電(ESD)防護的設計原則

  • 0 引言 　　靜電是物體表面的靜止電荷。物體在接觸、摩擦、分離、電解等過程中，發(fā)生電子或離子的轉移，正電荷和負電荷在局部范圍內(nèi)失去平衡，就形成了靜電。當物體表面的靜電場梯度達到一定的程度，正電荷和負電荷發(fā)生中和，就出現(xiàn)了靜電放電(ESD)。靜電放電可以出現(xiàn)在兩個物體之間，也可由物體表面經(jīng)電荷直接向空氣放電。 l 靜電放電的危害 　　靜電作為一種普遍物理現(xiàn)象，近十多年來伴隨著集成電路的飛速發(fā)展和高分子材料的廣泛應用，靜電的作用力、放電和感應現(xiàn)象引起的危害十分嚴重，美國統(tǒng)計，美國電子行業(yè)部門每年因靜電危
  • 關鍵字： ESD  

CMOS集成電路中ESD保護技術研究

  • 　　靜電在芯片的制造、封裝、測試和使用過程中無處不在，積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時間里釋放，瞬間功率高達幾百千瓦，放電能量可達毫焦耳，對芯片的摧毀強度極大。所以芯片設計中靜電保護模塊的設計直接關系到芯片的功能穩(wěn)定性，極為重要。隨著工藝的發(fā)展，器件特征尺寸逐漸變小，柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強度近似為8×106V／cm，因此厚度為10 nm的柵氧擊穿電壓約為8 V左右，盡管該擊穿電壓比3.3 V的電源電壓要高一倍多，但是各種因素造成的靜電，一般其峰值電壓遠超過8 V
  • 關鍵字： CMOS  ESD  

安森美半導體專家在靜電放電保護技術研討會作主題報告

  • 　　2008年11月4日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術研討會上，針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個層級的技術面加以探討，為業(yè)界提供實質建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長期投入于研發(fā)ESD保護技術，通過先進的ESD保護技術和完整的產(chǎn)品系列
  • 關鍵字： 安森美半導體  ESD  電子  
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