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X-FAB為180納米XH018工藝新增隔離等級(jí)，提升SPAD集成能力

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其180納米XH018半導(dǎo)體工藝平臺(tái)中推出新的隔離等級(jí)，旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管（SPAD）應(yīng)用。新隔離等級(jí)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功能集成度并提升像素密度和填充因子，從而減少芯片面積。采用全新緊湊型25V隔離等級(jí)模塊ISOMOS1（左）和先前所需的模塊ISOMOS2（右）的4×3 SPAD像素示例設(shè)計(jì)SPAD是眾多新興應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋應(yīng)用于自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達(dá)（LiDAR）、
  • 關(guān)鍵字： X-FAB  180納米  XH018  SPAD  
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